公开(公告)号：CN110277326A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201811265967.7

申请日：2018-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李干实 ,  金东宽 ,  姜宝蓝 ,  宋昊建 ,  金沅槿

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/31 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括半导体封装衬底。绝缘层设置在半导体封装衬底上。半导体芯片设置在半导体封装衬底上并被绝缘层覆盖。反射层设置在绝缘层上并与半导体芯片间隔开。反射层被配置为选择性将辐射透射到绝缘层。保护层设置在反射层上。

公开(公告)号：CN103700633A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310452241.5

申请日：2013-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明成 ,  高廷旼 ,  朴商植 ,  金沅槿 ,  洪志硕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/28 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/1017 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，位于第一半导体芯片上；第三半导体芯片，位于第二半导体芯片上；第四半导体芯片，位于第三半导体芯片上。第一底填充层位于第二半导体芯片和第一半导体芯片之间；第二底填充层位于第三半导体芯片和第二半导体芯片之间；第三底填充层位于第四半导体芯片和第三半导体芯片之间。在一些实施例中，第二底填充层包括与第一底填充层和第三底填充层不同的材料。

公开(公告)号：CN103107146A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210377052.1

申请日：2012-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金沅槿 ,  宋炫静 ,  崔银景 ,  张慧英

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件，包括：内部封装件，其包括利用内部密封件进行密封的至少一个半导体芯片；外部衬底，在其上安装所述内部封装件；以及对所述内部封装件进行密封的外部密封件。本发明还提供了制造半导体封装件的方法，包括步骤：形成包括至少一个半导体芯片的内部封装件；在外部衬底上安装所述内部封装件；以及利用外部密封件对所述内部封装件进行密封。内部密封件和外部密封件具有不同的杨氏模量，例如，内部密封件的杨氏模量小于外部密封件的杨氏模量。因此，半导体封装件不容易受到翘曲的影响，并且在随后的半导体封装工艺中相对容易地进行操作。

公开(公告)号：CN102446863A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110306691.4

申请日：2011-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泽勋 ,  金沅槿 ,  张东铉 ,  宋昊建 ,  任成晙

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/56 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1811 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件及其制造方法。一种形成具有大容量和减小或最小化的体积的半导体封装件的方法包括以下步骤：利用粘结层将半导体基底附接在支撑基底上，其中，半导体基底包括多个第一半导体芯片和芯片切割区域；在多个第一半导体芯片中的第一个和第二个之间形成具有第一切口宽度的第一切割凹槽，从而将半导体基底分成多个第一半导体芯片；将分别与第一半导体芯片对应的多个第二半导体芯片附接到多个第一半导体芯片；形成模塑层以填充第一切割凹槽；在模塑层中形成具有比第一切口宽度小的第二切口宽度的第二切割凹槽，以将模塑层分成覆盖多个第一半导体芯片中的一个和多个第二半导体芯片中的相应的一个的各个模塑层。

公开(公告)号：CN111092074A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201910873305.6

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金沅槿 ,  吴琼硕 ,  陈华日 ,  金东宽 ,  金永锡 ,  金载春 ,  黄承泰

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/98

Abstract: 半导体封装包括：封装基板；第一半导体器件，布置在封装基板上；第一半导体器件上的至少一个第二半导体器件，从俯视图看部分地覆盖第一半导体器件；散热绝缘层，涂覆在第一半导体器件和至少一个第二半导体器件上；导电散热结构，布置在第一半导体器件的未被第二半导体器件覆盖的部分上的散热绝缘层上；以及封装基板上的模制层，覆盖第一半导体器件和至少一个第二半导体器件。散热绝缘层由电绝缘且导热材料形成，并且导电散热结构由导电和导热材料形成。

公开(公告)号：CN110854028A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201910752106.X

申请日：2019-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈华日 ,  崔容元 ,  姜明成 ,  金永锡 ,  金沅槿

IPC: H01L21/56

Abstract: 一种倒装芯片接合方法，包括：获得裸片，其包括第一衬底和位于第一衬底上的粘合层；将裸片接合至不同于第一衬底的第二衬底；以及，固化粘合层。固化粘合层包括：加热第二衬底以熔化粘合层，以及向粘合层和第二衬底提供压强大于大气压强的空气。

公开(公告)号：CN103107146B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201210377052.1

申请日：2012-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金沅槿 ,  宋炫静 ,  崔银景 ,  张慧英

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件，包括：内部封装件，其包括利用内部密封件进行密封的至少一个半导体芯片；外部衬底，在其上安装所述内部封装件；以及对所述内部封装件进行密封的外部密封件。本发明还提供了制造半导体封装件的方法，包括步骤：形成包括至少一个半导体芯片的内部封装件；在外部衬底上安装所述内部封装件；以及利用外部密封件对所述内部封装件进行密封。内部密封件和外部密封件具有不同的杨氏模量，例如，内部密封件的杨氏模量小于外部密封件的杨氏模量。因此，半导体封装件不容易受到翘曲的影响，并且在随后的半导体封装工艺中相对容易地进行操作。

公开(公告)号：CN102456658B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201110290782.3

申请日：2011-09-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金沅槿

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/58 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/585 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/26122 ,  H01L2224/26152 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/2932 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83888 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括电路基板、在电路基板上的半导体芯片、在电路基板和半导体芯片之间的内部焊球以及填充电路基板的基板绝缘层和芯片绝缘层中的至少一个层中的虚设开口的虚设焊料。虚设焊料不将半导体芯片与基板电连接。电路基板可以包括基础基板、在基础基板上的基板连接端子和覆盖基础基板的基板绝缘层。半导体芯片可以包括芯片连接端子和暴露芯片连接端子的芯片绝缘层。内部焊球可以设置在基板连接端子和芯片连接端子之间，以将电路基板电连接到半导体芯片。

公开(公告)号：CN102446863B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201110306691.4

申请日：2011-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泽勋 ,  金沅槿 ,  张东铉 ,  宋昊建 ,  任成晙

IPC: H01L21/98 ,  H01L21/56 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1811 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种半导体封装件及其制造方法。一种形成具有大容量和减小或最小化的体积的半导体封装件的方法包括以下步骤：利用粘结层将半导体基底附接在支撑基底上，其中，半导体基底包括多个第一半导体芯片和芯片切割区域；在多个第一半导体芯片中的第一个和第二个之间形成具有第一切口宽度的第一切割凹槽，从而将半导体基底分成多个第一半导体芯片；将分别与第一半导体芯片对应的多个第二半导体芯片附接到多个第一半导体芯片；形成模塑层以填充第一切割凹槽；在模塑层中形成具有比第一切口宽度小的第二切口宽度的第二切割凹槽，以将模塑层分成覆盖多个第一半导体芯片中的一个和多个第二半导体芯片中的相应的一个的各个模塑层。

公开(公告)号：CN111092074B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN201910873305.6

申请日：2019-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金沅槿 ,  吴琼硕 ,  陈华日 ,  金东宽 ,  金永锡 ,  金载春 ,  黄承泰

IPC: H10D80/30 ,  H10B80/00 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/98

Abstract: 半导体封装包括：封装基板；第一半导体器件，布置在封装基板上；第一半导体器件上的至少一个第二半导体器件，从俯视图看部分地覆盖第一半导体器件；散热绝缘层，涂覆在第一半导体器件和至少一个第二半导体器件上；导电散热结构，布置在第一半导体器件的未被第二半导体器件覆盖的部分上的散热绝缘层上；以及封装基板上的模制层，覆盖第一半导体器件和至少一个第二半导体器件。散热绝缘层由电绝缘且导热材料形成，并且导电散热结构由导电和导热材料形成。