-
公开(公告)号：CN104347717A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410372950.7
申请日：2014-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7853 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/3085 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823481 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0886 , H01L27/1211 , H01L29/0673 , H01L29/42364 , H01L29/4238 , H01L29/49 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L29/78 , H01L29/785 , H01L2229/00
Abstract: 本发明提供了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括半导体基板，该半导体基板具有与第二半导体鳍端对端地对准的第一半导体鳍，在第一和第二半导体鳍的面对的端部之间具有凹陷。第一绝缘体图案邻近第一和第二半导体鳍的侧壁形成，第二绝缘体图案形成在第一凹陷内。第二绝缘体图案可以具有比第一绝缘体图案的上表面高的上表面，诸如可以具有至鳍的上表面的高度的上表面(或可以具有高于或低于鳍的上表面的高度的上表面)。第一和第二栅极沿第一半导体鳍的侧壁和上表面延伸。虚设栅电极可以形成在第二绝缘体图案的上表面上。还公开了制造半导体器件以及变型的方法。
-
公开(公告)号：CN113972212A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202110830313.X
申请日：2021-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244 , H01L21/762
Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底，其包括单元区、外围区和单元区与外围区之间的边界区；单元器件隔离图案，其位于衬底的单元区上，以限定单元有源图案；外围器件隔离图案，其位于衬底的外围区上，以限定外围有源图案；以及绝缘隔离图案，其位于衬底的边界区上，所述绝缘隔离图案在单元有源图案与外围有源图案之间，其中，绝缘隔离图案的底表面包括：第一边缘，其邻近于单元有源图案中对应的一个的侧表面，以及第二边缘，其邻近于外围有源图案中对应的一个的侧表面，当从衬底的底表面测量时，第一边缘位于低于第二边缘的高度。
-
公开(公告)号：CN108695378B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN201810289668.0
申请日：2018-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种半导体装置。半导体装置包含衬底、沟道半导体图案、栅极电极、源区/漏区以及气隙。沟道半导体图案竖直地堆叠在衬底上且彼此间隔开。栅极电极跨过沟道半导体图案。源区/漏区位于栅极电极的相对侧边，源区/漏区连接到沟道半导体图案。气隙位于衬底与源区/漏区的底部表面之间，以使得源区/漏区的底部表面不接触衬底。
-
公开(公告)号：CN110120421A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201811311021.X
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 提供了一种具有源/漏极区的半导体装置，该半导体装置包括：基底，具有具备突出形状的鳍有源区图案；器件隔离层图案，覆盖鳍有源区图案的下部的侧表面；分隔图案，覆盖鳍有源区图案的从器件隔离层图案的顶表面突出的部分的侧表面；以及源/漏极区，与鳍有源区图案的顶表面和分隔图案的顶表面接触。
-
公开(公告)号：CN107799597A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710684495.8
申请日：2017-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7855 , H01L29/0611 , H01L29/0657 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7854 , H01L29/42356
Abstract: 本文所述的半导体器件可以包括：鳍状图案，沿第一方向延伸，其中第一侧壁和第二侧壁彼此面对；第一和第二栅电极，沿第二方向延伸并且彼此间隔开；第一栅极侧墙，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极侧墙，位于第二栅电极的侧壁上；鳍状图案中的第一沟槽，位于第一栅电极和第二栅电极之间并且具有第一宽度；以及鳍状图案中的第二沟槽，位于第一沟槽下方并且具有小于第一宽度的第二宽度。鳍状图案可以包括位于鳍状图案的侧壁上的第一拐点和第二拐点，并且第二沟槽的底部表面可以低于所述拐点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101393904B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200810176959.5
申请日：2008-05-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种包括层间导电接触的半导体器件及其形成方法，其中半导体器件包括：第一绝缘层，在半导体器件的下层接触区域上，第一绝缘层具有上表面；第一导电图案，在穿过第一绝缘层的第一开口中，第一导电图案的上部具有第一宽度，第一导电图案的上表面相对于第一绝缘层的上表面凹陷，从而第一导电图案的上表面相对于下层接触区域的高度小于第一绝缘层的上表面相对于下层接触区域的高度；以及第二导电图案，其接触第一导电图案的上表面，第二导电图案的下部具有小于第一宽度的第二宽度。
-
公开(公告)号：CN110416304B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910052730.9
申请日：2019-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍式图案，在基底上沿第一方向延伸；场绝缘层，位于基底上，场绝缘层包围鳍式图案的侧壁；栅电极，位于鳍式图案上，栅电极在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一分隔件，位于栅电极的下部的侧壁上；以及蚀刻停止层，沿栅电极的上部的侧壁和上表面延伸，沿第一分隔件的侧壁延伸，并且沿场绝缘层的上表面延伸。
-
-
公开(公告)号：CN107785430B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201710641779.9
申请日：2017-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第一有源鳍片阵列及第二有源鳍片阵列，在衬底上设置成在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上相互间隔开；一对第一栅极间隔壁，在第一及第二有源鳍片阵列上设置成在第二方向上延伸，且一对第一栅极间隔壁中的每一个包括具有第一宽度的第一区、具有第二宽度的第二区、及位于第一区与第二区之间且具有第三宽度的第三区；其中一对第一栅极间隔壁的第一区位于第一有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第二区位于第二有源鳍片阵列上，一对第一栅极间隔壁的第三区位于第一有源鳍片阵列与第二有源鳍片阵列之间；第一宽度及第二宽度中的每一个大于第三宽度。所述半导体装置可改善生产良率。
-
公开(公告)号：CN108461494B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201810087764.7
申请日：2018-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/423
Abstract: 半导体器件可以包括衬底上的第一有源图案，第一有源图案包括从衬底突出的多个第一有源区。第二有源图案可以在衬底上，包括从衬底突出的多个第二有源区。第一栅电极可以包括以第一高度在第一有源图案上延伸的上部，并且包括以比第一栅电极的第一高度低的第二高度在第一有源图案上延伸的凹入部分。第二栅电极可以包括以第一高度在第二有源图案上延伸的上部，并且包括以比第二栅电极的第一高度低的第二高度在第二有源图案上延伸的凹入部分。绝缘图案可以位于第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分之间，并且与第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分直接相邻，绝缘图案使第一栅电极和第二栅电极彼此电隔离。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.033 seconds)
