公开(公告)号：CN1128475C

公开(公告)日：2003-11-19

申请号：CN96121720.0

申请日：1996-11-20

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 富田至洋 ,  泽井章能 ,  浅井胜乘

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3107 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于增强芯片和固定基片间连接装置的疲劳寿命的半导体器件，具有近似球形的隆起电极和焊接区电极的多个突出电极部分形成于芯片下表面。多个近似球形的连接端通过加热熔化直接连接于相对应的焊接区电极。多个连接面被做在引线板的上表面。引线板在平面结构上要比芯片的面积大，多个外电极部分被制作在引线板的下表面，每一个外电极部分包括连接面和基本上为球形的外电极。连接面通过加热熔化分别直接连接于相对应的连接端。

公开(公告)号：CN1427458A

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN02130351.7

申请日：2002-08-16

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 上浦有纪 ,  飞松博 ,  小田耕治 ,  泽田真人 ,  芝田耕治 ,  川田宏幸

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76832 ,  H01L24/05 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是提供一种半导体装置的制造方法，在该方法中，在用热处理对聚酰亚胺膜进行了亚胺化的情况下，防止聚酰亚胺膜从被进行各向同性刻蚀的膜剥离下来，而且防止因各向异性刻蚀而附着的淀积物在各膜的侧壁上剥离。将被形成了规定的图形的聚酰亚胺膜5用作掩模，对氮化硅膜4进行各向同性刻蚀。然后，在对氧化硅膜3进行各向异性刻蚀之前，用热处理对聚酰亚胺膜5进行亚胺化。此时，由于因显示出各向异性的干法刻蚀而发生的淀积物没有附着到各膜的侧壁上，故在用热处理对聚酰亚胺膜5进行了亚胺化的情况下，聚酰亚胺膜5不从氮化硅膜4剥离下来。此外，在该淀积物附着到各膜的侧壁上后，该淀积物不剥离。

公开(公告)号：CN1359157A

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN01125517.X

申请日：2001-08-10

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 高田佳史 ,  泉谷淳子 ,  砂田繁树

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/76838 ,  H01L28/75

Abstract: 一种具有电容元件的半导体器件及其制造方法,在下层电极9A上形成电容元件用电介质层10。在该下部电极层9A和电容元件用电介质层10上形成层间绝缘层11,在该层间绝缘层11上形成到达电容元件用电介质层10的插塞孔11a。形成上层电极12A,13A使得充填该插塞孔11a的内部,而且把电容元件用电介质层10夹在中间与下层电极9A相对。电容元件用电介质层10在插塞孔11a的正下方区以及插塞孔11a的周壁的外周的区域与下层电极9A接触。由此,可以得到能够防止下层电极9A的金属原子的扩散的同时具有大容量的电容元件的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN1354503A

公开(公告)日：2002-06-19

申请号：CN01133014.7

申请日：2001-09-13

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 森长也 ,  山田真二 ,  船仓辉彦

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/28

CPC classification number: G01R31/3167 ,  G01R31/31905 ,  G01R31/31926

Abstract: 一种能以高精度、高速度对具有A/D转换电路和D/A转换电路的混合信号型半导体集成电路中的A/D转换电路和D/A转换电路进行测试的半导体集成电路的测试装置。将测试辅助装置设置在安装了被测试半导体集成电路的测试电路基板附近,在该测试辅助装置中,设有对被测试半导体集成电路的A/D转换电路供给模拟测试信号并对其D/A转换电路供给数字测试信号的数据电路、存储来自被测试半导体集成电路的测试输出的测定数据存储器、及对该测定数据存储器的存储数据进行分析的分析部。

公开(公告)号：CN1329358A

公开(公告)日：2002-01-02

申请号：CN01102886.6

申请日：2001-02-21

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 石桥健夫 ,  冲田刚志

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76808

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法以及其使用的填埋材料和半导体器件,具有可以均匀地进行填埋而与通孔图形的疏密度无关的良好填埋特性,并且使用腐蚀速度大的有机高分子材料。通过将有机高分子材料多次涂敷在通孔图形上,可以均匀地填埋而与该通孔图形疏密度无关。而且,形成通孔图形填埋用并且除去色素成分来形成提高腐蚀速度的有机高分子材料膜,在该层上涂敷有机防反射膜,可以用多级处理来形成均匀的膜。

公开(公告)号：CN1328345A

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN01120880.5

申请日：2001-06-06

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 幡手一成 ,  高野和丰

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878

Abstract: 本发明的课题是提高反向偏置下的特性。P基层6作为相互平行的多个带形部分配置。在P基层6的底部,不形成有高杂质浓度的下方突起部分即P+基层。P基层6以浅于N层17的方式形成,此外,形成P基层6的多个带形部分在其端部被相互连接起来。还有,N源层5为梯形,仅通过梯形的横档部分连接到源电极16。

公开(公告)号：CN1309416A

公开(公告)日：2001-08-22

申请号：CN00131475.0

申请日：2000-10-20

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 田中干宏 ,  石桥健夫

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及在可以供给酸的底层抗蚀图形上,覆盖由于酸的供给而发生交联的增厚材料。在该基准增厚材料中,添加规定量的弱酸或添加通过热分解可以产生酸的化合物。通过加热,将酸从底层抗蚀图形转移到增厚材料中,界面上生成的交联层是作为底层抗蚀图形的被覆层而形成的,使抗蚀图形变粗。因此,抗蚀孔径缩小,隔离宽度也缩小。

公开(公告)号：CN1244723A

公开(公告)日：2000-02-16

申请号：CN99104841.5

申请日：1999-04-07

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 杉野干二 ,  石桥健夫 ,  胜谷隆之

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/76816

Abstract: 本发明的目的在于形成孔径或线路图形的分离宽度微小的抗蚀剂图形,获得有微细图形的半导体器件。为此,在半导体衬底形成能产生酸的第一抗蚀剂的孔图形或分离图形,在第一抗蚀剂图形侧壁上形成交联膜(有机框),缩小抗蚀剂图形上的孔径或分离宽度,利用交联膜的热回流现象可进一步缩小分离宽度,然后将该抗蚀剂图形作为掩模,刻蚀半导体衬底。

公开(公告)号：CN1200562A

公开(公告)日：1998-12-02

申请号：CN97125554.7

申请日：1997-12-15

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 松本晓典 ,  黑田健 ,  伴功二 ,  小西瞳子 ,  横井直树

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67034

Abstract: 本发明的目的是抑制处理对象的干燥不良现象。向喷嘴34提供IPA液,IPA液通过流出孔35流出而形成IPA液的流体29。流体29以膜状的形式沿处理槽11侧壁的内侧表面流下,之后,通过在处理槽11下部形成的液体接收部36排向外部。由于处理槽11侧壁的内侧表面被IPA液的流体29覆盖,所以,抑制了IPA蒸汽在该内侧表面上无用的凝结。因此,可有效利用IPA蒸汽在置于接受器皿6上的处理对象表面凝结,从而抑制处理对象的干燥不良。

公开(公告)号：CN1472819A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN03110247.6

申请日：2003-04-08

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 洼田睦 ,  木村雅俊

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14806

Abstract: 设置金属布线层(2)、多个金属栓(3)、金属布线层(4)、多个金属栓(5)、金属布线层(6)、多个金属栓(7)及金属布线层(8)，使之包围位于对光电变换元件(1)的半导体衬底(10)的主表面垂直的方向的空间。由这些金属部形成光路。由于该光路反射从外部入射的入射光，能够抑制成使得该入射光不至漏泄到其它的光电变换元件上。得到能够抑制在相邻的像素彼此之间产生了颜色的离散或者颜色的洇渗的不良现象的固体摄像元件。