公开(公告)号：CN1359157A

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN01125517.X

申请日：2001-08-10

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 高田佳史 ,  泉谷淳子 ,  砂田繁树

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/76838 ,  H01L28/75

Abstract: 一种具有电容元件的半导体器件及其制造方法,在下层电极9A上形成电容元件用电介质层10。在该下部电极层9A和电容元件用电介质层10上形成层间绝缘层11,在该层间绝缘层11上形成到达电容元件用电介质层10的插塞孔11a。形成上层电极12A,13A使得充填该插塞孔11a的内部,而且把电容元件用电介质层10夹在中间与下层电极9A相对。电容元件用电介质层10在插塞孔11a的正下方区以及插塞孔11a的周壁的外周的区域与下层电极9A接触。由此,可以得到能够防止下层电极9A的金属原子的扩散的同时具有大容量的电容元件的半导体器件及其制造方法。