公开(公告)号：CN1244723A

公开(公告)日：2000-02-16

申请号：CN99104841.5

申请日：1999-04-07

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  菱电半导体系统工程株式会社

Inventor： 杉野干二 ,  石桥健夫 ,  胜谷隆之

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/26

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/76816

Abstract: 本发明的目的在于形成孔径或线路图形的分离宽度微小的抗蚀剂图形,获得有微细图形的半导体器件。为此,在半导体衬底形成能产生酸的第一抗蚀剂的孔图形或分离图形,在第一抗蚀剂图形侧壁上形成交联膜(有机框),缩小抗蚀剂图形上的孔径或分离宽度,利用交联膜的热回流现象可进一步缩小分离宽度,然后将该抗蚀剂图形作为掩模,刻蚀半导体衬底。