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公开(公告)号：CN1329358A
公开(公告)日：2002-01-02
申请号：CN01102886.6
申请日：2001-02-21
Applicant: 三菱电机株式会社 , 菱电半导体系统工程株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76808
Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法以及其使用的填埋材料和半导体器件,具有可以均匀地进行填埋而与通孔图形的疏密度无关的良好填埋特性,并且使用腐蚀速度大的有机高分子材料。通过将有机高分子材料多次涂敷在通孔图形上,可以均匀地填埋而与该通孔图形疏密度无关。而且,形成通孔图形填埋用并且除去色素成分来形成提高腐蚀速度的有机高分子材料膜,在该层上涂敷有机防反射膜,可以用多级处理来形成均匀的膜。
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公开(公告)号：CN1309416A
公开(公告)日：2001-08-22
申请号：CN00131475.0
申请日：2000-10-20
Applicant: 三菱电机株式会社 , 菱电半导体系统工程株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明涉及在可以供给酸的底层抗蚀图形上,覆盖由于酸的供给而发生交联的增厚材料。在该基准增厚材料中,添加规定量的弱酸或添加通过热分解可以产生酸的化合物。通过加热,将酸从底层抗蚀图形转移到增厚材料中,界面上生成的交联层是作为底层抗蚀图形的被覆层而形成的,使抗蚀图形变粗。因此,抗蚀孔径缩小,隔离宽度也缩小。
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公开(公告)号：CN1244723A
公开(公告)日：2000-02-16
申请号：CN99104841.5
申请日：1999-04-07
Applicant: 三菱电机株式会社 , 菱电半导体系统工程株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/26
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/0035 , G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/67017 , H01L21/76816
Abstract: 本发明的目的在于形成孔径或线路图形的分离宽度微小的抗蚀剂图形,获得有微细图形的半导体器件。为此,在半导体衬底形成能产生酸的第一抗蚀剂的孔图形或分离图形,在第一抗蚀剂图形侧壁上形成交联膜(有机框),缩小抗蚀剂图形上的孔径或分离宽度,利用交联膜的热回流现象可进一步缩小分离宽度,然后将该抗蚀剂图形作为掩模,刻蚀半导体衬底。
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公开(公告)号：CN1332472A
公开(公告)日：2002-01-23
申请号：CN01108949.0
申请日：2001-02-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 石桥健夫
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/31 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70466 , G03F7/0035 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 本发明的课题在于,在形成光刻技术的分辨率以上的微细图形的情况下,全部剩余图形变小。解决办法是:形成其刻蚀速度与被加工膜不同、刻蚀时成为被加工膜的掩模的硬掩模膜,利用光刻法在其上形成第一抗蚀剂图形来形成硬掩模图形,除去第一抗蚀剂图形后,利用光刻法在硬掩模图形上形成第二抗蚀剂图形,对未被该第二抗蚀剂图形覆盖的部分进行各向同性刻蚀,除去第二抗蚀剂图形后,将其一部分被各向同性刻蚀过的硬掩模图形作为掩模,刻蚀被加工膜。
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公开(公告)号：CN1199257C
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN01108949.0
申请日：2001-02-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 石桥健夫
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/31 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70466 , G03F7/0035 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 本发明的课题在于，在形成光刻技术的分辨率以上的微细图形的情况下，全部剩余图形变小。解决办法是：形成其刻蚀速度与被加工膜不同、刻蚀时成为被加工膜的掩模的硬掩模膜，利用光刻法在其上形成第一抗蚀剂图形来形成硬掩模图形，除去第一抗蚀剂图形后，利用光刻法在硬掩模图形上形成第二抗蚀剂图形，对未被该第二抗蚀剂图形覆盖的部分进行各向同性刻蚀，除去第二抗蚀剂图形后，将其一部分被各向同性刻蚀过的硬掩模图形作为掩模，刻蚀被加工膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1222756A
公开(公告)日：1999-07-14
申请号：CN98119654.3
申请日：1998-09-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/027 , H01L21/30 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0035
Abstract: 曝光形成抗蚀剂图形时,其微细化受到波长的界限。本发明能够超过该界限并形成出色而且干净的抗蚀剂图形。用第2抗蚀剂2覆盖在第1抗蚀剂图形1a上,曝光在第1抗蚀剂图形1a中产生酸,在界面上形成交联层4,形成比第1抗蚀剂图形1a粗的第2抗蚀剂图形2a。然后,通过用在水中溶入了有机溶剂的液体剥离第2抗蚀剂2,进而用水清洗,得到干净而且微细的抗蚀剂图形。由此,能够缩小抗蚀剂的通孔直径,缩小分离宽度。
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公开(公告)号：CN1145199C
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN97123495.7
申请日：1997-12-31
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在半导体器件层上形成能产生酸的第一抗蚀剂图形。在第一抗蚀剂图形上形成在有酸存在的情况下能发生交联反应的第二抗蚀剂层。然后，通过来自所述第一抗蚀剂的酸的作用在所述第二抗蚀剂层与所述第一抗蚀剂的交界部分形成交联膜。然后去掉所述第二抗蚀剂的未交联部分，形成微细间隔的抗蚀剂图形。利用所述的微细间隔抗蚀剂图形作为掩模刻蚀该半导体器件层，形成微间距或微孔。
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公开(公告)号：CN1131545C
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN98119654.3
申请日：1998-09-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/0035
Abstract: 曝光形成抗蚀剂图形时，其微细化受到波长的界限。本发明能够超过该界限并形成出色而且干净的抗蚀剂图形。用第2抗蚀剂2覆盖在第1抗蚀剂图形1a上，曝光在第1抗蚀剂图形1a中产生酸，在界面上形成交联层4，形成比第1抗蚀剂图形1a粗的第2抗蚀剂图形2a。然后，通过用在水中溶入了有机溶剂的液体剥离第2抗蚀剂2，进而用水清洗，得到干净而且微细的抗蚀剂图形。由此，能够缩小抗蚀剂的通孔直径，缩小分离宽度。
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公开(公告)号：CN1310295C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN98105924.4
申请日：1998-03-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/302 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC classification number: H01L21/0271 , G03F7/0035 , G03F7/038 , G03F7/40 , H01L21/0273
Abstract: 在用曝光形成抗蚀剂图形时，存在由波长引起的微细化方面的界限，故需要超越其界限。为此，把含有通过曝光产生酸的材料的抗蚀剂图形上表面用含有通过酸的存在而交联的抗蚀剂覆盖。通过加热或曝光使得在抗蚀剂图形中产生酸，作为抗蚀剂图形的被覆层形成生成在表面的交联层，使得抗蚀剂图形变粗。由此，能够缩小抗蚀剂的通孔直径，缩小分离宽度。
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公开(公告)号：CN1221971A
公开(公告)日：1999-07-07
申请号：CN97123495.7
申请日：1997-12-31
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在半导体器件层上形成能产生酸的第一抗蚀剂图形。在第一抗蚀剂图形上形成在有酸存在的情况下能发生交联反应的第二抗蚀剂层。然后,通过来自所述第一抗蚀剂的酸的作用在所述第二抗蚀剂层与所述第一抗蚀剂的交界部分形成交联膜。然后去掉所述第二抗蚀剂的未交联部分,形成微细间隔的抗蚀剂图形。利用所述的微细间隔抗蚀剂图形作为掩模刻蚀该半导体器件层,形成微间距或微孔。
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