碳纤维增强碳化硅成型体的制造方法

    公开(公告)号:CN105367102B

    公开(公告)日:2018-01-12

    申请号:CN201510315990.2

    申请日:2015-06-10

    Abstract: 本发明涉及一种C/SiC部件的制造方法,其抑制了表面的残留Si的附着物以及内部的Si的波动。本发明中的C/SiC部件的制造方法具有:形成将树脂以及碳纤维烧结而成的C/C块的C/C块形成工序(S4);加工该C/C块而形成多个半成品的半成型品形成工序(S6);将各个所述半成品通过固定单元分别固定于形成在硅配置夹具中的多个凹部中的半成型品固定工序(S6);将Si配置于所述凹部中的硅配置工序(S7);对所述Si进行加热而使其熔融,使所述Si浸渍于所述半成品的内部的硅熔融浸渍工序(S8);以及将由使所述Si浸渍于所述半成品中而通过化学反应生成的C/SiC构成的未加工成型品,在所述固定单元部位处从所述硅配置夹具中拆下的未加工成型品拆下工序(S9)。

    半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN1131545C

    公开(公告)日:2003-12-17

    申请号:CN98119654.3

    申请日:1998-09-21

    CPC classification number: G03F7/40 G03F7/0035

    Abstract: 曝光形成抗蚀剂图形时,其微细化受到波长的界限。本发明能够超过该界限并形成出色而且干净的抗蚀剂图形。用第2抗蚀剂2覆盖在第1抗蚀剂图形1a上,曝光在第1抗蚀剂图形1a中产生酸,在界面上形成交联层4,形成比第1抗蚀剂图形1a粗的第2抗蚀剂图形2a。然后,通过用在水中溶入了有机溶剂的液体剥离第2抗蚀剂2,进而用水清洗,得到干净而且微细的抗蚀剂图形。由此,能够缩小抗蚀剂的通孔直径,缩小分离宽度。

    曲面状夹层结构体的制造方法以及曲面状夹层结构体

    公开(公告)号:CN105643954A

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201510847767.2

    申请日:2015-11-27

    CPC classification number: B29C70/36 B29C70/84

    Abstract: 本发明提供曲面状夹层结构体及其制造方法,得到预期的镜面精度,并且降低曲面状夹层结构体的成形成本。该制造方法具有:第一表皮材料成形工序,使用具有有着预期的镜面精度的凸型曲面部(5a)和侧面部(5b)的凸型成形模具(5)成形具有第一曲面表皮部(2a)和第一棱部(2b)的第一表皮材料(2);芯材粘接工序,将预先实施具有表面精度的加工的发泡芯材(4)粘接在第一曲面表皮部上;第二表皮材料成形工序,以覆盖在凸型成形模具上层叠的第一表皮材料和发泡芯材的方式成形具有第二曲面表皮部(3a)和第二棱部(3b)的第二表皮材料(3);以及突出部除去工序,将第一棱部与第二棱部层叠并向第一表皮材料的竖直下方突出的部分除去。

    半导体器件制造方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1145199C

    公开(公告)日:2004-04-07

    申请号:CN97123495.7

    申请日:1997-12-31

    Abstract: 在半导体器件层上形成能产生酸的第一抗蚀剂图形。在第一抗蚀剂图形上形成在有酸存在的情况下能发生交联反应的第二抗蚀剂层。然后,通过来自所述第一抗蚀剂的酸的作用在所述第二抗蚀剂层与所述第一抗蚀剂的交界部分形成交联膜。然后去掉所述第二抗蚀剂的未交联部分,形成微细间隔的抗蚀剂图形。利用所述的微细间隔抗蚀剂图形作为掩模刻蚀该半导体器件层,形成微间距或微孔。

    碳纤维增强碳化硅成型体的制造方法

    公开(公告)号:CN105367102A

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201510315990.2

    申请日:2015-06-10

    Abstract: 本发明涉及一种C/SiC部件的制造方法,其抑制了表面的残留Si的附着物以及内部的Si的波动。本发明中的C/SiC部件的制造方法具有:形成将树脂以及碳纤维烧结而成的C/C块的C/C块形成工序(S4);加工该C/C块而形成多个半成品的半成型品形成工序(S6);将各个所述半成品通过固定单元分别固定于形成在硅配置夹具中的多个凹部中的半成型品固定工序(S6);将Si配置于所述凹部中的硅配置工序(S7);对所述Si进行加热而使其熔融,使所述Si浸渍于所述半成品的内部的硅熔融浸渍工序(S8);以及将由使所述Si浸渍于所述半成品中而通过化学反应生成的C/SiC构成的未加工成型品,在所述固定单元部位处从所述硅配置夹具中拆下的未加工成型品拆下工序(S9)。

    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1221971A

    公开(公告)日:1999-07-07

    申请号:CN97123495.7

    申请日:1997-12-31

    Abstract: 在半导体器件层上形成能产生酸的第一抗蚀剂图形。在第一抗蚀剂图形上形成在有酸存在的情况下能发生交联反应的第二抗蚀剂层。然后,通过来自所述第一抗蚀剂的酸的作用在所述第二抗蚀剂层与所述第一抗蚀剂的交界部分形成交联膜。然后去掉所述第二抗蚀剂的未交联部分,形成微细间隔的抗蚀剂图形。利用所述的微细间隔抗蚀剂图形作为掩模刻蚀该半导体器件层,形成微间距或微孔。

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