公开(公告)号：CN1145199C

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN97123495.7

申请日：1997-12-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石桥健夫 ,  南出安由美 ,  丰岛利之 ,  片山圭一

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/31 ,  G03F7/00

Abstract: 在半导体器件层上形成能产生酸的第一抗蚀剂图形。在第一抗蚀剂图形上形成在有酸存在的情况下能发生交联反应的第二抗蚀剂层。然后，通过来自所述第一抗蚀剂的酸的作用在所述第二抗蚀剂层与所述第一抗蚀剂的交界部分形成交联膜。然后去掉所述第二抗蚀剂的未交联部分，形成微细间隔的抗蚀剂图形。利用所述的微细间隔抗蚀剂图形作为掩模刻蚀该半导体器件层，形成微间距或微孔。

公开(公告)号：CN1131545C

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN98119654.3

申请日：1998-09-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石桥健夫 ,  丰岛利之 ,  片山圭一 ,  保田直纪

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/0035

Abstract: 曝光形成抗蚀剂图形时，其微细化受到波长的界限。本发明能够超过该界限并形成出色而且干净的抗蚀剂图形。用第2抗蚀剂2覆盖在第1抗蚀剂图形1a上，曝光在第1抗蚀剂图形1a中产生酸，在界面上形成交联层4，形成比第1抗蚀剂图形1a粗的第2抗蚀剂图形2a。然后，通过用在水中溶入了有机溶剂的液体剥离第2抗蚀剂2，进而用水清洗，得到干净而且微细的抗蚀剂图形。由此，能够缩小抗蚀剂的通孔直径，缩小分离宽度。

公开(公告)号：CN1222756A

公开(公告)日：1999-07-14

申请号：CN98119654.3

申请日：1998-09-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石桥健夫 ,  丰岛利之 ,  片山圭一 ,  保田直纪

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/0035

Abstract: 曝光形成抗蚀剂图形时,其微细化受到波长的界限。本发明能够超过该界限并形成出色而且干净的抗蚀剂图形。用第2抗蚀剂2覆盖在第1抗蚀剂图形1a上,曝光在第1抗蚀剂图形1a中产生酸,在界面上形成交联层4,形成比第1抗蚀剂图形1a粗的第2抗蚀剂图形2a。然后,通过用在水中溶入了有机溶剂的液体剥离第2抗蚀剂2,进而用水清洗,得到干净而且微细的抗蚀剂图形。由此,能够缩小抗蚀剂的通孔直径,缩小分离宽度。

公开(公告)号：CN1310295C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN98105924.4

申请日：1998-03-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石桥健夫 ,  丰岛利之 ,  片山圭一 ,  南出安由美

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/302 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/0271 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/038 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273

Abstract: 在用曝光形成抗蚀剂图形时，存在由波长引起的微细化方面的界限，故需要超越其界限。为此，把含有通过曝光产生酸的材料的抗蚀剂图形上表面用含有通过酸的存在而交联的抗蚀剂覆盖。通过加热或曝光使得在抗蚀剂图形中产生酸，作为抗蚀剂图形的被覆层形成生成在表面的交联层，使得抗蚀剂图形变粗。由此，能够缩小抗蚀剂的通孔直径，缩小分离宽度。

公开(公告)号：CN1221971A

公开(公告)日：1999-07-07

申请号：CN97123495.7

申请日：1997-12-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石桥健夫 ,  南出安由美 ,  丰岛利之 ,  片山圭一

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/31 ,  G03F7/00

Abstract: 在半导体器件层上形成能产生酸的第一抗蚀剂图形。在第一抗蚀剂图形上形成在有酸存在的情况下能发生交联反应的第二抗蚀剂层。然后,通过来自所述第一抗蚀剂的酸的作用在所述第二抗蚀剂层与所述第一抗蚀剂的交界部分形成交联膜。然后去掉所述第二抗蚀剂的未交联部分,形成微细间隔的抗蚀剂图形。利用所述的微细间隔抗蚀剂图形作为掩模刻蚀该半导体器件层,形成微间距或微孔。

公开(公告)号：CN1199922A

公开(公告)日：1998-11-25

申请号：CN98105924.4

申请日：1998-03-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石桥健夫 ,  丰岛利之 ,  片山圭一 ,  南出安由美

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/302 ,  H01L21/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L21/0271 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/038 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273

Abstract: 在用曝光形成抗蚀剂图形时,存在由波长引起的微细化方面的界限,故需要超越其界限。为此,把含有通过曝光产生酸的材料的抗蚀剂图形上表面用含有通过酸的存在而交联的抗蚀剂覆盖。通过加热或曝光使得在抗蚀剂图形中产生酸,作为抗蚀剂图形的被覆层形成生成在表面的交联层,使得抗蚀剂图形变粗。因此,能够缩小抗蚀剂的通孔直径,缩小分离宽度。