公开(公告)号：CN119604025A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202410694901.9

申请日：2024-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林子敬 ,  林泓佑 ,  李佳晋 ,  赖俊良 ,  吴昀铮

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例涉及在栅极结构中形成隔离结构以防止电流通过源极/漏极区域(EPI)、晶体管和硅衬底泄漏。隔离结构被布置成具有与短隔离结构相邻的长隔离结构的图案。隔离结构可以在替换栅极顺序之前或之后形成在栅极结构中。

公开(公告)号：CN119602774A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411619066.9

申请日：2024-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖昱安 ,  陈建宏

IPC: H03K17/687

Abstract: 一种驱动电路，包括驱动级和第一子电路。驱动级包括被配置为驱动功率器件的第一驱动器件和第二驱动器件。第一子电路电连接到驱动级。第一子电路包括第一预充电电路和第一预驱动电路。第一预驱动电路电连接到第一预充电电路和第一驱动器件。第一预充电电路被配置为响响应于驱动电路的输入信号具有第一信号电平，产生第一预充电电压。第一预充电电路还被配置为响应于输入信号具有不同于第一信号电平的第二信号电平，基于第一预充电电压完全接通第一预驱动电路中的第一预驱动器件以驱动第一驱动器件。本申请的实施例还公开了驱动电路的多级预充电电路、操作驱动电路的方法。

公开(公告)号：CN119601472A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411627617.6

申请日：2024-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁崇铭 ,  苏安治 ,  刘醇鸿

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种制造半导体结构的方法包括：形成管芯，形成所述管芯包括：形成从半导体衬底的前侧延伸到所述半导体衬底中的第一贯通孔和第二贯通孔。所述第一贯通孔和所述第二贯通孔分别连接到所述管芯中的第一集成电路器件和第二集成电路器件。执行背侧研磨工艺以露出所述第一贯通孔和所述第二贯通孔。形成背侧再分布线，以物理结合到所述第一贯通孔和所述第二贯通孔两者。本公开的实施例还提供了半导体结构。

公开(公告)号：CN119596636A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411440012.6

申请日：2024-10-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 何俊智 ,  张庆裕

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/004

Abstract: 本公开提供一种光阻成分以及形成光阻图案和酸可裂解共聚物的方法。光阻成分包括从共聚物的主链或侧臂中的寡聚物所形成的酸可裂解共聚物。各个寡聚物包括酸不稳定基团、具有酸离去取代基的第一共聚单体，以及具有供氢取代基的第二共聚单体或具有极性取代基的第三共聚单体中的至少一者。共聚物也可以包括可逆加成断裂链转移剂。在将光阻成分曝光于辐射后，可以产生酸而裂解共聚物。这样可以改善光阻层的线边缘粗糙度且维持良好的涂布性质。

公开(公告)号：CN112447667B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202010279627.0

申请日：2020-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡敏瑛 ,  吴政达 ,  杜友伦

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H10F39/10

Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种包括设置在半导体衬底内的第一衬底穿孔的集成芯片。半导体衬底具有分别在半导体衬底的相对侧上的前侧表面及背侧表面。半导体衬底包括从前侧表面延伸到背侧表面的第一掺杂沟道区。第一衬底穿孔至少由第一掺杂沟道区定义。导电接触件上覆于半导体衬底的背侧表面且包括上覆于第一衬底穿孔的第一导电层。第一导电层包括导电材料。上部导电层位于导电接触件之下。上部导电层的上表面与半导体衬底的背侧表面对准。上部导电层包括导电材料的硅化物。

公开(公告)号：CN112289828B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202010708123.6

申请日：2020-07-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴胜郁 ,  李明机 ,  杜尚耘 ,  陈清晖

IPC: H10K59/12 ,  H10K71/00

Abstract: 一种显示器件及其制造方法。所述显示器件包括半导体衬底、隔离层、发光层及第二电极。半导体衬底具有像素区及位于像素区周围的外围区。半导体衬底包括多个第一电极及驱动元件层。多个第一电极设置在像素区中且多个第一电极电连接到驱动元件层。隔离层设置在半导体衬底上。隔离层包括设置在外围区中的第一隔离图案，且第一隔离图案具有第一侧表面及与第一侧表面相对的第二侧表面。发光层设置在隔离层及多个第一电极上，且覆盖第一隔离图案的第一侧表面及第二侧表面。第二电极设置在发光层上。

公开(公告)号：CN110970357B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN201910927026.3

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗元彦 ,  张家诚 ,  郭明誌 ,  陈健源

IPC: H01L21/768 ,  H10D84/03 ,  G03F1/76

Abstract: 在一种制造半导体元件的方法中，制备初始连接图案；制备用于切割初始连接图案的初始切割图案；至少从初始连接图案识别非功能性连接图案；从初始切割图案和非功能性连接图案来制备最终切割图案；从最终切割图案制备光掩模；通过使用该光掩模的光微影操作在靶层上方形成光阻剂图案；通过使用光阻剂图案来图案化该靶层以在该靶层中形成开口；以及通过用导电材料填充开口来形成连接层。另亦提供一种制造光掩模的方法。

公开(公告)号：CN109755141B

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN201810523342.X

申请日：2018-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈怡秀 ,  余振华 ,  陈明发 ,  邱文智

IPC: H01L21/56

Abstract: 一种制造半导体封装结构的方法包括以下步骤。将管芯接合到晶片。在晶片及管芯上形成介电材料层。介电材料层覆盖管芯的顶表面及侧壁。执行至少一个平坦化工艺来移除介电材料层的一部分及管芯的一部分，以暴露出管芯的顶表面并形成位于管芯侧边的介电层。介电层环绕且覆盖管芯的侧壁。

公开(公告)号：CN119562544A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202410375302.0

申请日：2024-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江淳修 ,  赖蓓盈 ,  侯承浩 ,  徐志安 ,  廖善美 ,  吴宏基

IPC: H10D30/01 ,  H10D64/01 ,  H10D64/27 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请公开了调谐晶体管阈值电压的处理。一种方法包括：基于半导体区域的第一部分形成源极/漏极区域，基于半导体区域的第二部分形成高k电介质层，在高k电介质层上形成偶极子膜，使用包含氮气和氢气的工艺气体对偶极子膜执行处理工艺，执行驱入工艺以将偶极子膜中的偶极子掺杂剂驱入高k电介质层，以及在高k电介质层上沉积功函数层。

公开(公告)号：CN119560376A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411401739.3

申请日：2024-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李尚融 ,  李致葳

IPC: H01L21/28 ,  H10B10/00

Abstract: 一种形成半导体装置的方法。此方法包括在一基板的一通道区上方形成一高介电常数栅极介电层；在高介电常数栅极介电层上方沉积一功函数金属层；在功函数金属层上方形成一氮化钛盖体，其中氮化钛盖体包括一个或多个充氧区域；在氮化钛盖体上沉积一硅盖层；在硅盖层上沉积一导电粘合层；以及在导电粘合层的上方沉积一栅极填充金属层，以形成一栅极结构。