公开(公告)号：CN109755204B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201810101863.6

申请日：2018-02-01

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吕文雄 ,  陈承先 ,  颜晨恩 ,  林政仁 ,  康金玮 ,  詹凯钧

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

摘要： 本发明提供一种微连接结构。所述微连接结构包括凸块下金属(UBM)接垫、凸块及绝缘环。所述凸块下金属接垫电连接到衬底的至少一个金属触点。所述凸块设置在凸块下金属接垫上且与凸块下金属接垫电连接。所述绝缘环环绕凸块及凸块下金属接垫。所述凸块与绝缘环隔开一距离且所述凸块被绝缘环与凸块之间的间隙隔离。

公开(公告)号：CN115513128A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202210178755.5

申请日：2022-02-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 杨挺立 ,  吕文雄 ,  王肇仪 ,  刘富维 ,  古进誉

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 一种半导体装置包括衬底、至少一个通孔、衬层和导电层。衬底包括电子电路。至少一个通孔穿过衬底。至少一个通孔在其侧壁上包括多个凹入部分。衬层填满至少一个通孔的多个凹入部分。导电层配置于至少一个通孔的侧壁上、覆盖衬层，并延伸至衬底表面上。至少一个通孔的侧壁上的导电层的厚度是变化的。

公开(公告)号：CN114572929A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210059325.1

申请日：2022-01-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王肇仪 ,  古进誉 ,  吕文雄 ,  毛隆凯 ,  郑明达

IPC分类号： B81B7/02 ,  B81C1/00

摘要： 本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括将支撑衬底接合至晶圆的半导体衬底。接合层位于支撑衬底和半导体衬底之间，并且接合至支撑衬底和半导体衬底两者。执行第一蚀刻工艺以蚀刻支撑衬底且形成贯穿支撑衬底终且止于接合层的开口。开口具有基本上直的边缘。然后蚀刻接合层。执行第二蚀刻工艺以将开口向下延伸到半导体衬底中。开口的底部是弯曲的。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。

公开(公告)号：CN113628976A

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110378733.9

申请日：2021-04-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 颜晨恩 ,  康金玮 ,  詹凯钧 ,  吕文雄 ,  林政仁 ,  郑明达 ,  李明机

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/60

摘要： 一种半导体装置的形成方法，包括：提供基板；形成掩膜层于基板的表面之上，掩膜层具有开口位于表面的部分之上；沉积导电层于表面的部分及掩膜层之上；移除掩膜层及掩膜层之上的导电层，在移除掩膜层及掩膜层之上的导电层之后，在表面的部分之上余留的导电层形成导电垫，且导电垫的宽度朝着基板增加；以及通过焊料层接合装置至导电垫，导电垫埋藏于焊料层中。

公开(公告)号：CN113363158A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110185564.7

申请日：2021-02-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郑明达 ,  李梓光 ,  李松柏 ,  吕文雄 ,  蔡柏豪 ,  张文哲

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L23/488

摘要： 一种方法包括形成第一导电部件；在第一导电部件的侧壁和顶面上沉积钝化层；蚀刻钝化层以露出第一导电部件；以及使钝化层的第一顶面凹进以形成阶梯。阶梯包括钝化层的第二顶面。该方法还包括在钝化层上形成平坦化层；以及形成延伸至钝化层中以接触第一导电部件的第二导电部件。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN103426724B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201210480122.6

申请日：2012-11-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄晖闵 ,  林志伟 ,  吕文雄 ,  郑明达 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67288 ,  H01L21/6838

摘要： 本发明提供了用于调整晶圆翘曲的方法和装置，该方法包括提供具有中心部分和边缘部分的晶圆以及提供其上具有用于保持晶圆的保持区的保持台。将晶圆放置在保持台上，其中中心部分高于边缘部分，此后将晶圆按压在保持区上，使得晶圆通过自吸力吸引并保持在保持台上。根据晶圆的翘曲量，以预定温度和预定时间加热晶圆以实现基本平坦的晶圆或预定的晶圆水平面。

公开(公告)号：CN103094130B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210082793.7

申请日：2012-03-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈孟泽 ,  林修任 ,  林俊成 ,  吕文雄 ,  郑明达 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/56 ,  B29C45/14 ,  B29C45/26

CPC分类号： H01L24/97 ,  B29C33/68 ,  B29C43/18 ,  H01L21/563 ,  H01L21/566 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明披露了用于在倒装芯片封装中模制下层填料的装置和方法。本文中披露的方法包括在第一温度下将倒装芯片衬底装载到模压件的所选择的上模具和下模具之一中；定位该上模具和下模具中的至少之一中的模制的下层填料材料并保持低于该模制的下层填料材料的熔化温度的第一温度；形成密封的模腔并在该模腔中形成真空；将该模制的下层填料材料的温度升高至高于该熔点的第二温度以使得该模制的下层填料材料在形成下层填料层并形成过模制层的该倒装芯片衬底上方流动；以及将该倒装芯片衬底冷却至基本低于该模制的下层填料材料的熔化温度的第三温度。本发明还公开了一种装置。

公开(公告)号：CN103050486B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201210047905.5

申请日：2012-02-27

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林志伟 ,  郑明达 ,  陈孟泽 ,  吕文雄 ,  黄贵伟 ,  刘重希

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L21/98

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/786 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/03618 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/27019 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1047 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明包括一种器件，该器件包括层间电介质、位于该层间电介质下方的器件管芯、以及位于该层间电介质下方并且位于该器件管芯上方的管芯接合膜，其中，管芯接合膜与器件管芯相接合。多个再分布线的一部分与管芯接合膜相齐平。多个Z互连件与器件管芯和多个再分布线电连接。含聚合物材料位于层间电介质下方。器件管芯、管芯接合膜、和多个Z互连件设置在含聚合物材料中。本发明还提供了一种形成封装堆叠结构的工艺。

公开(公告)号：CN102456647A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110092051.8

申请日：2011-04-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林志伟 ,  郑明达 ,  吕文雄 ,  周孟纬 ,  郭宏瑞 ,  刘重希

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0341 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明涉及半导体器件的凸块结构。半导体器件的示例性结构包括衬底；在衬底上延伸的、在接触焊盘上具有开口的钝化层；和在钝化层的开口上方的导电柱，其中，导电柱包括与衬底基本垂直的上部和具有锥形侧壁的下部。

公开(公告)号：CN102222629A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN201010530393.9

申请日：2010-10-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林志伟 ,  郑明达 ,  吕文雄 ,  刘重希

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/00 ,  C23C18/38

CPC分类号： C23C18/1605 ,  C23C18/165 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其中该方法是以无电铜电镀工艺于一光致抗蚀剂层的开口中的钛凸块下金属层上选择性形成铜凸块下金属层的制造方法。包括提供一基材；形成一第一凸块下金属(UBM)层于此基材上；形成一掩模层于此第一凸块下金属层上，其中此掩模层具有一开口，暴露一部分的此第一凸块下金属层；以及进行一无电电镀工艺以形成一第二凸块下金属层于此掩模层的此开口所暴露的此第一凸块下金属层上。在剥除此光致抗蚀剂层之后，无需于铜凸块下金属层上进行湿式蚀刻工艺，及因而使凸块下金属层结构不具有底切结构。