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公开(公告)号：CN106803508B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201611035683.X
申请日：2016-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/11551 , H01L27/11578 , H01L27/11597 , H01L27/11514 , H01L23/488
Abstract: 提供了三维(3D)半导体装置。3D半导体装置可以包括：基底，包括芯片区域和划线区域；单元阵列结构，包括三维地布置在基底的芯片区域上的存储器单元；堆叠结构，设置在基底的划线区域上，包括竖直地并交替地堆叠的第一层和第二层；多个竖直结构，沿与基底的顶表面垂直的竖直方向延伸并穿透堆叠结构。
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公开(公告)号：CN107644875B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201710480033.4
申请日：2017-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器装置，包括：堆叠在衬底的上表面上的栅电极层，每个栅电极层包括沿着第一方向延伸的多个单位电极；和将各单位电极彼此连接的多个连接电极。存储器装置还包括：沿着垂直于衬底的上表面的方向穿过栅电极层而延伸的沟道结构；沿着第一方向延伸并介于各单位电极之间的第一公共源极线；和在各第一公共源极线之间沿着第一方向延伸的第二公共源极线，每条第二公共源极线具有在第一方向上通过连接电极彼此隔离的第一线和第二线。
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公开(公告)号：CN107845638B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201710770958.2
申请日：2017-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11526 , H01L27/11573
Abstract: 存储器件包括：一对公共源极线，彼此间隔开地设置在衬底上，并沿第一方向延伸；多个接地选择线，设置在所述一对公共源极线之间，沿所述第一方向延伸并且设置在相同的层面上；多个字线，设置在所述一对公共源极线之间所述多个接地选择线上，沿所述第一方向延伸并且设置在相同的层面上，所述多个字线的至少一部分通过连接电极进行连接；和多个第一分离绝缘图案，设置在所述多个接地选择线的部分的各个接地选择线之间，并且沿第一方向延伸。所述多个字线的至少一部分通过连接电极进行连接。
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公开(公告)号：CN109148462B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201810677598.6
申请日：2018-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置，其包括在衬底上在第一方向上排列的第一沟道组至第三沟道组。第一沟道组至第三沟道组在衬底上沿着第二方向彼此间隔开。第一沟道组至第三沟道组中的每一个包括在垂直于衬底的顶表面的第三方向上延伸的多个竖直沟道。第一沟道组和第二沟道组在第二方向上彼此邻近并且在第二方向上以第一距离间隔开。第二沟道组和第三沟道组在第二方向上彼此邻近并且以小于第一距离的第二距离间隔开。
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公开(公告)号：CN106803508A
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201611035683.X
申请日：2016-11-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/11 , H01L27/115 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/544 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L28/00 , H01L2223/5446 , H01L27/108 , H01L23/488 , H01L27/11 , H01L27/115
Abstract: 提供了三维(3D)半导体装置。3D半导体装置可以包括：基底，包括芯片区域和划线区域；单元阵列结构，包括三维地布置在基底的芯片区域上的存储器单元；堆叠结构，设置在基底的划线区域上，包括竖直地并交替地堆叠的第一层和第二层；多个竖直结构，沿与基底的顶表面垂直的竖直方向延伸并穿透堆叠结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106571353B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201610282522.4
申请日：2016-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/52
Abstract: 提供了一种半导体装置和一种焊盘布置，所述半导体装置包括：多个半导体器件，电连接到至少一个半导体器件的多条金属线，以及位于金属线上的保护层。保护层包括部分暴露金属线并且用作焊盘的多个开口区域。第一焊盘包括从至少一条金属线延伸的第一区域以及围绕第一区域并且与第一区域分开的至少一个第二区域。
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公开(公告)号：CN109148462A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810677598.6
申请日：2018-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11556 , H01L27/11582
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器装置，其包括在衬底上在第一方向上排列的第一沟道组至第三沟道组。第一沟道组至第三沟道组在衬底上沿着第二方向彼此间隔开。第一沟道组至第三沟道组中的每一个包括在垂直于衬底的顶表面的第三方向上延伸的多个竖直沟道。第一沟道组和第二沟道组在第二方向上彼此邻近并且在第二方向上以第一距离间隔开。第二沟道组和第三沟道组在第二方向上彼此邻近并且以小于第一距离的第二距离间隔开。
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公开(公告)号：CN106571353A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610282522.4
申请日：2016-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/52
CPC classification number: H01L22/32 , G01R1/067 , G01R31/28 , G11C5/025 , G11C29/1201 , G11C29/48 , G11C2029/5602 , H01L22/34 , H01L24/09 , H01L2224/08055 , H01L2224/09055 , H01L23/488 , H01L23/52 , H01L2224/09051 , H01L2224/091
Abstract: 提供了一种半导体装置和一种焊盘布置，所述半导体装置包括：多个半导体器件，电连接到至少一个半导体器件的多条金属线，以及位于金属线上的保护层。保护层包括部分暴露金属线并且用作焊盘的多个开口区域。第一焊盘包括从至少一条金属线延伸的第一区域以及围绕第一区域并且与第一区域分开的至少一个第二区域。
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公开(公告)号：CN113053907A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202010975063.4
申请日：2020-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11573
Abstract: 提供了一种竖直型非易失性存储器装置及其制造方法，该竖直型非易失性存储器装置包括：衬底，其具有块单元的单元阵列区域和扩展区域；竖直接触件，其设置在扩展区域中；多个竖直沟道结构，其设置在在单元阵列区域中的衬底上；多个伪沟道结构，其设置在扩展区域中的衬底上；以及多个栅电极层和多个层间绝缘层，其交替地堆叠在衬底上。在连接至竖直接触件的电极焊盘中，伪沟道结构设置在竖直接触件的两侧，并且多个伪沟道结构中的每一个的水平横截面具有在一个方向上更长的形状。
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公开(公告)号：CN106601745B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201610354031.6
申请日：2016-05-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L27/11517 , H01L27/11551 , H01L27/11526
Abstract: 提供了一种存储装置。所述存储装置包括：单元区域，包括与基底的上表面垂直地延伸的通道区域和与通道区域相邻地堆叠在基底上的多个栅电极层；以及外围电路区域，包括设置在单元区域附近的第一有源区域、面积大于第一有源区域的面积的第二有源区域、连接到第一有源区域的多个第一接触件以及连接到第二有源区域的多个第二接触件。所述多个第一接触件之间的距离小于所述多个第二接触件之间的距离。
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