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公开(公告)号：CN116387360A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211664653.0
申请日：2022-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/06 , H10B41/41 , H10B41/20 , H10B43/40 , H10B43/20 , H10B51/40 , H10B51/20
Abstract: 提供了半导体器件及包括其的非易失性存储器装置和电子系统。所述半导体器件包括：基底，包括有源区域；栅极结构，与有源区域相交；源极/漏极区域，设置在有源区域上；下接触件，设置在源极/漏极区域或栅极结构上；上接触件，设置在下接触件上；以及多条导电线，设置在上接触件上，其中，所述多条导电线在平行于基底的上表面的第一方向上延伸，其中，所述多条导电线包括设置在上接触件上的第一导电线，其中，下接触件在第一方向上的尺寸小于上接触件在第一方向上的尺寸，其中，下接触件在第二方向上的尺寸大于上接触件在第二方向上的尺寸，其中，第二方向与第一方向相交。
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公开(公告)号：CN118804594A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202311712064.X
申请日：2023-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。该半导体器件可以包括：源极结构，所述源极结构包括单元区和与所述单元区相邻的延伸区；位于所述单元区和延伸区上的栅极堆叠件；穿透接触，所述穿透接触设置在所述延伸区中；阶梯式绝缘层，所述阶梯式绝缘层设置在所述栅极堆叠件上；以及位于所述阶梯式绝缘层上的互连结构。所述互连结构可以包括第一互连绝缘层、位于所述第一互连绝缘层中的第一下导电图案、位于所述第一互连绝缘层上的覆盖层、以及穿透所述覆盖层的通路结构。所述通路结构可以包括连接到所述第一下导电图案和上导电图案的多个第一通路，并且所述第一通路可以设置在所述延伸区上。
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公开(公告)号：CN107644875B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201710480033.4
申请日：2017-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器装置，包括：堆叠在衬底的上表面上的栅电极层，每个栅电极层包括沿着第一方向延伸的多个单位电极；和将各单位电极彼此连接的多个连接电极。存储器装置还包括：沿着垂直于衬底的上表面的方向穿过栅电极层而延伸的沟道结构；沿着第一方向延伸并介于各单位电极之间的第一公共源极线；和在各第一公共源极线之间沿着第一方向延伸的第二公共源极线，每条第二公共源极线具有在第一方向上通过连接电极彼此隔离的第一线和第二线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104733468B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201510134332.3
申请日：2011-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L21/28273 , H01L27/11 , H01L27/11519 , H01L27/11524
Abstract: 一种制造非易失性存储器装置的方法，包括：提供衬底，其具有由多个沟槽限定的有源区；在具有多个沟槽的衬底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成牺牲层以填充沟槽，该牺牲层包括填充沟槽的下部的第一区以及填充除下部之外的部分的第二区；移除牺牲层的第二区；在第一隔离层和牺牲层的第一区上形成第二隔离层；通过移除牺牲层的第一区而在沟槽中形成空气间隙；以及在维持该空气间隙的同时移除第一隔离层的一部分和第二隔离层的一部分。
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公开(公告)号：CN104733468A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510134332.3
申请日：2011-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L21/28273 , H01L27/11 , H01L27/11519 , H01L27/11524
Abstract: 一种制造非易失性存储器装置的方法，包括：提供衬底，其具有由多个沟槽限定的有源区；在具有多个沟槽的衬底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成牺牲层以填充沟槽，该牺牲层包括填充沟槽的下部的第一区以及填充除下部之外的部分的第二区；移除牺牲层的第二区；在第一隔离层和牺牲层的第一区上形成第二隔离层；通过移除牺牲层的第一区而在沟槽中形成空气间隙；以及在维持该空气间隙的同时移除第一隔离层的一部分和第二隔离层的一部分。
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公开(公告)号：CN102468241A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110361877.X
申请日：2011-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L21/28273 , H01L27/11 , H01L27/11519 , H01L27/11524
Abstract: 一种制造非易失性存储器装置的方法，包括：提供衬底，其具有由多个沟槽限定的有源区；在具有多个沟槽的衬底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成牺牲层以填充沟槽，该牺牲层包括填充沟槽的下部的第一区以及填充除下部之外的部分的第二区；移除牺牲层的第二区；在第一隔离层和牺牲层的第一区上形成第二隔离层；通过移除牺牲层的第一区而在沟槽中形成空气间隙；以及在维持该空气间隙的同时移除第一隔离层的一部分和第二隔离层的一部分。
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公开(公告)号：CN114188337A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111079273.6
申请日：2021-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11565 , H01L27/11573 , H01L27/11578
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件和包括其的数据存储系统。该半导体器件包括：堆叠结构，包括在下部结构上的层间绝缘层和水平层；垂直存储结构，在垂直方向上穿过堆叠结构；第一阻挡结构和第二阻挡结构，在垂直方向上穿过堆叠结构并且彼此平行；穿过堆叠结构的支撑物图案；以及穿过堆叠结构的贯穿接触插塞。第一阻挡结构包括在第一方向上排列并彼此间隔开的第一阻挡图案以及在第一方向上排列并彼此间隔开的第二阻挡图案。第一阻挡图案和第二阻挡图案中的每个包括在第一方向上延伸的线形形状。在彼此相邻的第一阻挡图案和第二阻挡图案中，第一阻挡图案的一部分在垂直于第一方向的第二方向上与第二阻挡图案的一部分相对。
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公开(公告)号：CN107644875A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201710480033.4
申请日：2017-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11551 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L23/528 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/1157 , H01L27/11575
Abstract: 一种存储器装置，包括：堆叠在衬底的上表面上的栅电极层，每个栅电极层包括沿着第一方向延伸的多个单位电极；和将各单位电极彼此连接的多个连接电极。存储器装置还包括：沿着垂直于衬底的上表面的方向穿过栅电极层而延伸的沟道结构；沿着第一方向延伸并介于各单位电极之间的第一公共源极线；和在各第一公共源极线之间沿着第一方向延伸的第二公共源极线，每条第二公共源极线具有在第一方向上通过连接电极彼此隔离的第一线和第二线。
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