公开(公告)号：CN101615618A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910149282.0

申请日：2009-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴镇泽 ,  崔正达 ,  柳璋铉 ,  朴泳雨

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/762 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/11573 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11592 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种集成电路及其制作方法、固态存储器模块和计算机系统。一种集成电路包括闪速存储器单元和外围电路，该外围电路包括低电压晶体管(LVT)和高电压晶体管(HVT)。该集成电路包括隧道阻障层，该隧道阻障层包括SiON、SiN或其他高k材料。隧道阻障层可以包括HVT的栅极电介质的一部分。隧道阻障层可以构成HVT的完整的栅极电介质。在浅槽隔离(STI)之间或者在STI之上可以形成对应的隧道阻障层。因此，可以提高驱动器芯片IC的制造效率。

公开(公告)号：CN107017264B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201710037082.0

申请日：2017-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳璋铉 ,  朴镇泽 ,  申宅秀 ,  李成润

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 本公开涉及存储器件。一种存储器件，其包括衬底、多个沟道柱、栅堆叠、层间绝缘层、多个第一沟槽、以及至少一个第二沟槽。衬底包括单元阵列区和连接区。沟道柱在单元阵列区中与衬底的上表面交叉。栅堆叠包括围绕单元阵列区中的构道柱的多个栅电极层。栅电极层在连接区中延伸至不同长度从而形成阶梯式结构。层间绝缘层在栅堆叠上。第一沟槽将栅堆叠和层间绝缘层划分成多个区域。所述至少一个第二沟槽在连接区中的层间绝缘层内并且在第一沟槽之间。

公开(公告)号：CN101615618B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN200910149282.0

申请日：2009-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴镇泽 ,  崔正达 ,  柳璋铉 ,  朴泳雨

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/762 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/11573 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11592 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种集成电路及其制作方法、固态存储器模块和计算机系统。一种集成电路包括闪速存储器单元和外围电路，该外围电路包括低电压晶体管(LVT)和高电压晶体管(HVT)。该集成电路包括隧道阻障层，该隧道阻障层包括SiON、SiN或其他高k材料。隧道阻障层可以包括HVT的栅极电介质的一部分。隧道阻障层可以构成HVT的完整的栅极电介质。在浅槽隔离(STI)之间或者在STI之上可以形成对应的隧道阻障层。因此，可以提高驱动器芯片IC的制造效率。

公开(公告)号：CN102299137B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201110176544.X

申请日：2011-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳璋铉 ,  李钟旻 ,  朴泳雨 ,  郭东华 ,  金泰瑢 ,  韩智勋 ,  罗宗勋 ,  李东植

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11536 ,  H01L29/66825

Abstract: 一种半导体器件，包括第一、第二和第三导电线，每一个均具有在衬底上形成并沿着第一方向延伸的各自的线部分，并且具有从所述各自的线部分的端部沿着不同于第一方向的方向延伸的各自的分支部分。中间导电线的分支部分被置于外部导电线的各自的分支部分之间，并且比外部导电线的各自的分支部分短，从而接触焊盘可以和导电线的这些分支部分整体形成。

公开(公告)号：CN102468241A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110361877.X

申请日：2011-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗宗勋 ,  朴泳雨 ,  郭东华 ,  金泰瑢 ,  韩智勋 ,  柳璋铉 ,  李东植 ,  朴秀振

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种制造非易失性存储器装置的方法，包括：提供衬底，其具有由多个沟槽限定的有源区；在具有多个沟槽的衬底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成牺牲层以填充沟槽，该牺牲层包括填充沟槽的下部的第一区以及填充除下部之外的部分的第二区；移除牺牲层的第二区；在第一隔离层和牺牲层的第一区上形成第二隔离层；通过移除牺牲层的第一区而在沟槽中形成空气间隙；以及在维持该空气间隙的同时移除第一隔离层的一部分和第二隔离层的一部分。

公开(公告)号：CN102299137A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110176544.X

申请日：2011-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳璋铉 ,  李钟旻 ,  朴泳雨 ,  郭东华 ,  金泰瑢 ,  韩智勋 ,  罗宗勋 ,  李东植

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76229 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11536 ,  H01L29/66825

Abstract: 一种半导体器件，包括第一、第二和第三导电线，每一个均具有在衬底上形成并沿着第一方向延伸的各自的线部分，并且具有从所述各自的线部分的端部沿着不同于第一方向的方向延伸的各自的分支部分。中间导电线的分支部分被置于外部导电线的各自的分支部分之间，并且比外部导电线的各自的分支部分短，从而接触焊盘可以和导电线的这些分支部分整体形成。

公开(公告)号：CN107017264A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710037082.0

申请日：2017-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳璋铉 ,  朴镇泽 ,  申宅秀 ,  李成润

IPC: H01L27/11551 ,  H01L27/11578

CPC classification number: H01L27/11568 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 本公开涉及存储器件。一种存储器件，其包括衬底、多个沟道柱、栅堆叠、层间绝缘层、多个第一沟槽、以及至少一个第二沟槽。衬底包括单元阵列区和连接区。沟道柱在单元阵列区中与衬底的上表面交叉。栅堆叠包括围绕单元阵列区中的构道柱的多个栅电极层。栅电极层在连接区中延伸至不同长度从而形成阶梯式结构。层间绝缘层在栅堆叠上。第一沟槽将栅堆叠和层间绝缘层划分成多个区域。所述至少一个第二沟槽在连接区中的层间绝缘层内并且在第一沟槽之间。

公开(公告)号：CN104733468B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201510134332.3

申请日：2011-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗宗勋 ,  朴泳雨 ,  郭东华 ,  金泰瑢 ,  韩智勋 ,  柳璋铉 ,  李东植 ,  朴秀振

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种制造非易失性存储器装置的方法，包括：提供衬底，其具有由多个沟槽限定的有源区；在具有多个沟槽的衬底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成牺牲层以填充沟槽，该牺牲层包括填充沟槽的下部的第一区以及填充除下部之外的部分的第二区；移除牺牲层的第二区；在第一隔离层和牺牲层的第一区上形成第二隔离层；通过移除牺牲层的第一区而在沟槽中形成空气间隙；以及在维持该空气间隙的同时移除第一隔离层的一部分和第二隔离层的一部分。

公开(公告)号：CN104733468A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510134332.3

申请日：2011-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗宗勋 ,  朴泳雨 ,  郭东华 ,  金泰瑢 ,  韩智勋 ,  柳璋铉 ,  李东植 ,  朴秀振

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11524

Abstract: 一种制造非易失性存储器装置的方法，包括：提供衬底，其具有由多个沟槽限定的有源区；在具有多个沟槽的衬底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成牺牲层以填充沟槽，该牺牲层包括填充沟槽的下部的第一区以及填充除下部之外的部分的第二区；移除牺牲层的第二区；在第一隔离层和牺牲层的第一区上形成第二隔离层；通过移除牺牲层的第一区而在沟槽中形成空气间隙；以及在维持该空气间隙的同时移除第一隔离层的一部分和第二隔离层的一部分。

公开(公告)号：CN102479811A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110386473.6

申请日：2011-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫 ,  曹秉奎 ,  柳璋铉 ,  A.费鲁欣

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L27/11519

Abstract: 本发明公开非易失性存储器件及其制造方法。本发明提供的一种非易失性存储器件包括栅结构、绝缘层图案和隔离结构。在第一方向上彼此间隔开的多个栅结构形成在基板上。所述栅结构中的栅结构在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸。基板包括在第二方向上交替且重复地形成的有源区域和场区域。绝缘层图案形成在栅结构之间，并且绝缘层图案中具有第二气隙。在基板上在每个场区域中形成各所述隔离结构，各所述隔离结构在第一方向上延伸，且具有在栅结构、绝缘层图案和隔离结构之间的第一气隙。