公开(公告)号：CN102479811A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110386473.6

申请日：2011-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫 ,  曹秉奎 ,  柳璋铉 ,  A.费鲁欣

IPC: H01L29/423 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11521 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L27/11519

Abstract: 本发明公开非易失性存储器件及其制造方法。本发明提供的一种非易失性存储器件包括栅结构、绝缘层图案和隔离结构。在第一方向上彼此间隔开的多个栅结构形成在基板上。所述栅结构中的栅结构在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸。基板包括在第二方向上交替且重复地形成的有源区域和场区域。绝缘层图案形成在栅结构之间，并且绝缘层图案中具有第二气隙。在基板上在每个场区域中形成各所述隔离结构，各所述隔离结构在第一方向上延伸，且具有在栅结构、绝缘层图案和隔离结构之间的第一气隙。