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公开(公告)号：CN114078817A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110935533.9
申请日：2021-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528
Abstract: 一种半导体器件包括第一金属布线图案区域以及在平面图中不与第一金属布线图案区域重叠的第二金属布线图案区域。第一金属布线图案区域包括第一图案，第二金属布线图案区域包括第二图案，该第二图案与第一图案间隔开并包括一条或更多条线。第一金属布线图案区域包括辅助图案，该辅助图案包括一条或更多条线。辅助图案与第二图案间隔开，平行于第二图案，并且在第一图案和第二图案之间。辅助图案的一端连接到第一图案。
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公开(公告)号：CN107068637B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201610879501.0
申请日：2016-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体芯片，包括：衬底上的栅极图案；栅极图案上的层间绝缘层；在层间绝缘层上的第一布线结构；以及电连接到所述栅极图案和第一布线结构的缺陷探测电路。第一布线结构通过接触插塞电连接到栅极图案，该接触插塞穿过所述层间绝缘层。所述缺陷探测电路电连接到所述栅极图案和第一布线结构，且所述缺陷探测电路被构造成探测所述第一布线结构以及所述栅极图案和衬底中的至少一个内的缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106571353B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201610282522.4
申请日：2016-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/52
Abstract: 提供了一种半导体装置和一种焊盘布置，所述半导体装置包括：多个半导体器件，电连接到至少一个半导体器件的多条金属线，以及位于金属线上的保护层。保护层包括部分暴露金属线并且用作焊盘的多个开口区域。第一焊盘包括从至少一条金属线延伸的第一区域以及围绕第一区域并且与第一区域分开的至少一个第二区域。
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公开(公告)号：CN106571353A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610282522.4
申请日：2016-04-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/52
CPC classification number: H01L22/32 , G01R1/067 , G01R31/28 , G11C5/025 , G11C29/1201 , G11C29/48 , G11C2029/5602 , H01L22/34 , H01L24/09 , H01L2224/08055 , H01L2224/09055 , H01L23/488 , H01L23/52 , H01L2224/09051 , H01L2224/091
Abstract: 提供了一种半导体装置和一种焊盘布置，所述半导体装置包括：多个半导体器件，电连接到至少一个半导体器件的多条金属线，以及位于金属线上的保护层。保护层包括部分暴露金属线并且用作焊盘的多个开口区域。第一焊盘包括从至少一条金属线延伸的第一区域以及围绕第一区域并且与第一区域分开的至少一个第二区域。
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公开(公告)号：CN108538815B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201810075440.1
申请日：2018-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种在半导体衬底上包括电阻器结构的半导体器件。所述电阻器结构包括焊盘部分和连接所述焊盘部分的电阻器主体。焊盘部分均具有比电阻器主体的宽度大的宽度。焊盘部分均包括焊盘图案和覆盖焊盘图案的侧壁和下表面的衬里图案。所述电阻器主体从所述衬里图案横向地延伸。所述焊盘图案包括与所述电阻器主体和所述衬里图案不同的材料。
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公开(公告)号：CN108538815A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810075440.1
申请日：2018-01-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0738 , H01L21/31051 , H01L21/76895 , H01L24/06 , H01L27/0629 , H01L27/0802 , H01L28/24 , H01L29/435 , H01L29/4983 , H01L23/647 , H01L27/0203 , H01L28/20
Abstract: 提供了一种在半导体衬底上包括电阻器结构的半导体器件。所述电阻器结构包括焊盘部分和连接所述焊盘部分的电阻器主体。焊盘部分均具有比电阻器主体的宽度大的宽度。焊盘部分均包括焊盘图案和覆盖焊盘图案的侧壁和下表面的衬里图案。所述电阻器主体从所述衬里图案横向地延伸。所述焊盘图案包括与所述电阻器主体和所述衬里图案不同的材料。
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公开(公告)号：CN107068637A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610879501.0
申请日：2016-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L23/481 , H01L23/585
Abstract: 一种半导体芯片，包括：衬底上的栅极图案；栅极图案上的层间绝缘层；在层间绝缘层上的第一布线结构；以及电连接到所述栅极图案和第一布线结构的缺陷探测电路。第一布线结构通过接触插塞电连接到栅极图案，该接触插塞穿过所述层间绝缘层。所述缺陷探测电路电连接到所述栅极图案和第一布线结构，且所述缺陷探测电路被构造成探测所述第一布线结构以及所述栅极图案和衬底中的至少一个内的缺陷。
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