公开(公告)号：CN113053907A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202010975063.4

申请日：2020-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具利恩 ,  李允雅 ,  金善煐 ,  朴庆宰 ,  朴钟炫 ,  李宝罗 ,  任钟皓

IPC: H01L27/11563 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573

Abstract: 提供了一种竖直型非易失性存储器装置及其制造方法，该竖直型非易失性存储器装置包括：衬底，其具有块单元的单元阵列区域和扩展区域；竖直接触件，其设置在扩展区域中；多个竖直沟道结构，其设置在在单元阵列区域中的衬底上；多个伪沟道结构，其设置在扩展区域中的衬底上；以及多个栅电极层和多个层间绝缘层，其交替地堆叠在衬底上。在连接至竖直接触件的电极焊盘中，伪沟道结构设置在竖直接触件的两侧，并且多个伪沟道结构中的每一个的水平横截面具有在一个方向上更长的形状。

公开(公告)号：CN113496999B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202110294907.3

申请日：2021-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任钟皓 ,  赵厚成 ,  金泓秀

IPC: H01L23/538 ,  H10B43/40 ,  H10B41/40

Abstract: 一种垂直存储器件包括：在基板上的外围电路的电路图案，该电路图案包括下导电图案；单元堆叠结构，在电路图案之上并在第一水平方向上间隔开，其中每个单元堆叠结构包括在垂直方向上间隔开的栅电极；第一绝缘夹层，覆盖单元堆叠结构以及在单元堆叠结构之间的部分；贯穿通路接触，穿过单元堆叠结构之间的第一绝缘夹层以接触下导电图案的上表面；至少一个虚设贯穿通路接触，穿过单元堆叠结构之间的第一绝缘夹层并与贯穿通路接触相邻地设置；以及在贯穿通路接触上的上布线。

公开(公告)号：CN113496999A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110294907.3

申请日：2021-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任钟皓 ,  赵厚成 ,  金泓秀

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11573

Abstract: 一种垂直存储器件包括：在基板上的外围电路的电路图案，该电路图案包括下导电图案；单元堆叠结构，在电路图案之上并在第一水平方向上间隔开，其中每个单元堆叠结构包括在垂直方向上间隔开的栅电极；第一绝缘夹层，覆盖单元堆叠结构以及在单元堆叠结构之间的部分；贯穿通路接触，穿过单元堆叠结构之间的第一绝缘夹层以接触下导电图案的上表面；至少一个虚设贯穿通路接触，穿过单元堆叠结构之间的第一绝缘夹层并与贯穿通路接触相邻地设置；以及在贯穿通路接触上的上布线。