公开(公告)号：CN103021775A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210098146.5

申请日：2012-04-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黃至鸿 ,  张钧琳 ,  郑迺汉 ,  杨棋铭 ,  林进祥

IPC: H01J37/244

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24542

Abstract: 本发明公开了束监控器件、方法和系统。一种示例性束监控器件包括一维(1D)轮廓仪。该1D轮廓仪包括具有绝缘材料和导电材料的法拉第件。该束监控器件进一步包括二维(2D)轮廓仪。该2D轮廓仪包括具有绝缘材料和导电材料的多个法拉第件。该束监控器件进一步包括控制臂。该控制臂可操作地便于在纵向方向上移动束监控器件，以及便于绕轴旋转束监控器件。

公开(公告)号：CN102540761A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110461339.8

申请日：2006-06-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张庆裕 ,  游大庆 ,  林进祥

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70341

Abstract: 本发明提供一种在半导体基底上进行浸润式光刻的方法及其处理系统，所述浸润式光刻的方法包括：提供一光阻层在半导体基底上，以及使用浸润式光刻曝光系统曝光该光阻层。该浸润式光刻曝光系统在曝光时使用液体，并可在曝光后去除一些但不是全部的液体；曝光后，使用一处理步骤去除光阻层上残留的液体；处理后，进行曝光后烘烤及显影步骤。

公开(公告)号：CN102146553A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201010192803.3

申请日：2010-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林思宏 ,  杨棋铭 ,  陈其贤 ,  林进祥

IPC: C23C14/22 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56 ,  C23C16/06 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L29/78 ,  C23C14/022 ,  C23C14/046 ,  C23C14/18 ,  C23C14/221 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  C23C16/48 ,  C23C16/484 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

Abstract: 本发明实施例公开了一种沉积含金属膜于具有图案化构造的基板上的方法，即揭示由底部向上的金属沉积方法，以填入内连线结构和置换栅极结构，能使具有高深宽比的细微构造的间隙填入不会造成空洞，并且提供具有良好镀膜品质的金属膜。利用GCIB工艺沉积金属膜的临场前处理能允许表面杂质和表面氧化物，以改善底层和沉积的金属之间的粘结性。借由PI-CVD工艺沉积的金属膜是使用高能量低频率的光源，于相对低的温度时呈现类液态的性质，而允许金属膜由底部向上填入细微构造。由PI-CVD工艺沉积的金属膜的后沉积退火工艺能使金属膜致密化，并从金属膜移除残留的气态物种。本发明解决了具有高深宽比的细微构造在间隙填入时所面临的挑战。

公开(公告)号：CN102117745A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201010529270.3

申请日：2010-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄国彬 ,  李思毅 ,  陈嘉仁 ,  杨棋铭 ,  陈其贤 ,  林进祥

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明一实施例中，提供一种半导体结构金属栅极堆叠的制造方法，该方法包括：形成一第一伪栅极与一第二伪栅极于一基板上；移除该第一伪栅极的一多晶硅层，以形成一第一栅极沟槽；形成一第一金属层与一第一铝层于该第一栅极沟槽中；对该基板实施一化学机械研磨(CMP)工艺；使用一含氮与含氧气体，对该第一铝层实施一回火工艺，以形成一界面层于该第一铝层上，该界面层含铝、氮与氧；移除该第二伪栅极的一多晶硅层，以形成一第二栅极沟槽；以及形成一第二金属层与一第二铝层于该第二栅极沟槽中，该第二铝层形成于该第二金属层上。本发明的优点包括：可避免p型场效晶体管(pFET)的门槛电压漂移；可降低半导体结构的RC延迟，改善电路效能。

公开(公告)号：CN101414058B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200810173239.3

申请日：2007-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张瑞鸿 ,  李雅雯 ,  吴子扬 ,  潘升良 ,  林进祥 ,  高蔡胜

IPC: G02B26/10 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: G02B26/0841

Abstract: 本发明揭示一种透明基底上的装置与微机电系统装置，特别涉及一种在透明基底上形成对准标记的方法及系统。在一晶圆的光学透明基底上沉积一光反射层。在光学透明基底上定义围绕一对准标记的一区域。去除透明基底上该区域以外绝大部分的光反射层。另外，本发明所揭示的微机电系统装置，包括一光学透明基底、位于光学透明基底上至少一部分光学透明对准标记以及多个反射元件或影像像素贴附于光学透明基底上。本发明所提供的透明基底上的装置及对准标记形成方法与微机电系统装置，可提供更准确的晶圆对准，在光学透明基底的对准结合时提供更坚固的反射元件，且使镜面投影器具有平稳的对比率及灰阶。

公开(公告)号：CN101349872A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200810088048.7

申请日：2008-03-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李凤宁 ,  陈永镇 ,  高耀寰 ,  柯力仁 ,  林进祥

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70991 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/67748

Abstract: 本发明涉及一种光刻曝光装置、系统和光刻图形化方法。该装置至少包含曝光模块、烘烤模块和控制模块。曝光模块设计适用于曝光程序。烘烤模块嵌置于前述的曝光模块中，且设计适用于曝光后烘烤(Post Exposure Baking；PEB)。控制模块设计用来控制曝光模块和烘烤模块。

公开(公告)号：CN100445870C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200410057194.5

申请日：2004-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林本坚 ,  杨平 ,  谢弘璋 ,  辜耀进 ,  林进祥 ,  游秋山

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70425 ,  G03F1/72 ,  G03F1/76 ,  G03F1/84 ,  G03F7/70383 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7046 ,  G03F9/7049

Abstract: 揭露一种方法与系统，用以处理在一掩模或倍缩掩模基底上一个或多个倾斜的特征。在将所述掩模或倍缩掩模基底与一预定的参考系统对准之后，决定在所述掩模或倍缩掩模基底上要被处理的一个特征的一个偏移角，所述偏移角是对于所述预定的参考系统的水平或垂直参考方向而言。所述掩模或倍缩掩模基底在一预定的方向上被旋转所述偏移角度；而且使用所述预定的参考系统处理在所述掩模或倍缩掩模基底上的所述特征，其中所述特征是在所述预定的参考系统的水平或垂直参考方向上被处理。

公开(公告)号：CN101174087A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710166661.1

申请日：2007-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林进祥 ,  陆晓慈 ,  陈桂顺 ,  张庆裕 ,  张尚文

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0271 ,  G03F7/095

Abstract: 本发明有关于一种在半导体元件上形成光刻胶图案的工艺。其中集成电路的图案化工艺，包括：提供一基底层；形成一缓冲层于该基底层之上；形成一光刻胶层于该缓冲层之上；诱导一反应于该缓冲层的一区域，使得该区域具有可移除性；以及以一显影剂移除该缓冲层的该区域及该区域上的该光刻胶层的一对应部位。本发明还公开了一种图案化一基材的工艺和在半导体元件层上显影图案的工艺。本发明降低了图案化的光刻胶层开口处的光刻胶足部及(或)残余物，从而更加适于实用。

公开(公告)号：CN1949082A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610152415.6

申请日：2006-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张庆裕 ,  林进祥 ,  林本坚 ,  鲁定中

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/2041 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70941

Abstract: 本发明有关于一种浸润式微影方法及系统，该一种浸润式微影方法，首先，提供一个涂布光阻层的基板；之后，在基板和微影系统的物镜间配置导电浸润流体；最后，使用辐射光经由导电浸润流体，曝光光阻层。该一种浸润式微影系统，其包括：一物镜模组具有一前表面；一载座位于该物镜模组的该前表面之下；一流体定位模组，该流体定位模组使一流体至少部分填满该前表面和该载座上一基板间的空间；以及一放电元件，用以降低静电放电的程度。本发明的浸润式微影系统和方法中使用具有导电性的流体作为浸润流体，有效去除了曝光制程中积聚的静电荷。

公开(公告)号：CN1924706A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610112136.7

申请日：2006-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈桂顺 ,  林进祥 ,  鲁定中

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70341 ,  G03F7/203 ,  G03F7/70466

Abstract: 本发明是有关于一种形成图案于基材上的方法，包括进行一高精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上，以及进行一低精密微影制程，以提供至少一图案曝光制程于该基材层上。该曝光制程可在任一步骤中完成，并且可包含额外曝光制程。该高精密微影制程可以是湿浸式微影制程，而该低精密微影制程可以是干式微影制程。此形成图案于基材上的方法可应用于制造更高密度的集成(积体)电路。