公开(公告)号：CN102665999A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080053436.7

申请日：2010-11-24

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 中野诚 ,  井上卓 ,  神山信治

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/06 ,  B23K26/08 ,  B23K26/40 ,  B28D5/00 ,  C03B33/09 ,  B23K101/40 ,  H01L21/301

CPC分类号： B28D5/0011 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/03 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0676 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/354 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  H01L33/0095

摘要： 本发明的激光加工方法中，一边反复地进行使激光（L1～L3）同时聚光于沿着切断预定线（5）相互分离的聚光位置（P1～P2）的聚光工序，一边使激光（L1～L3）沿着切断预定线（5）相对移动。由此，沿着切断预定线（5）形成多个改质点（S），由这些多个改质点（S）来形成改质区域（7）。在此，反复进行的聚光工序的聚光位置（P1～P3）相互不重叠，另外，后段的聚光工序的聚光位置（P21～P23）中的至少一个位于前段的聚光工序的聚光位置（P11～P13）间。

公开(公告)号：CN102019507B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201010506533.9

申请日：2004-12-13

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 渥美一弘 ,  久野耕司 ,  楠昌好 ,  铃木达也

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/04 ,  B23K26/08

CPC分类号： B23K26/53 ,  B23K26/046 ,  B23K26/048 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/50

摘要： 尽量减少激光的聚焦点的偏离，并且可有效率地执行激光加工。具备位移取得步骤(S07～S11)，以透镜集光用以测定加工对象物(S)的表面(S1)位移的测距用激光，并将其而向加工对象(S)物照射，一边检测随着该照射在主面被反射的反射光(45)，一边取得沿着切割预定线的表面的位移；基于在该位移取得步骤中所取得的位移，一边调整加工用物镜(42)与表面(S1)的间隔，一边使加工用物镜(42)与加工对象物(S)沿着主面作相对移动，并沿着切割预定线(P)形成改质区域。

公开(公告)号：CN101796698B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200880106090.5

申请日：2008-09-02

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 熊谷正芳 ,  福满宪志 ,  久野耕司

IPC分类号： H01S5/02 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  H01L21/301 ,  B23K101/40

CPC分类号： B23K26/0624 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  C03B33/0222 ,  H01L21/78 ,  H01S5/0201 ,  Y02P40/57

摘要： 本发明涉及半导体激光元件的制造方法。对于加工对象物(1)，预先进行沿着切断预定线(5a、5b)的切断起点区域(8a、8b)的形成。在此，切断起点区域(8b)是具有通过使聚光点对准加工对象物(1)的内部并照射激光而形成的改质区域(7b)的区域，并且在沿着切断预定线(5b)的部分中的、除了与切断预定线(5a)交叉的部分(34b)之外的部分被形成。由此，在将切断起点区域(8a)作为起点而切断加工对象物(1)时，切断起点区域(8b)的影响力变得极小，从而能够可靠地得到具有高精度的劈开面的条。因此，对于多个条的各个，不需要进行沿着切断预定线(5b)的切断起点区域的形成，从而可以提高半导体激光元件的生产性。

公开(公告)号：CN101681822B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN200880017270.6

申请日：2008-05-23

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 坂本刚志 ,  下井英树 ,  内山直己

IPC分类号： H01L21/301 ,  B23K26/40 ,  B23K101/40

CPC分类号： B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/78

摘要： 一种切断用加工方法，沿着切断预定线可靠地将加工对象物切断。通过向加工对象物(1)对准聚光点并照射激光，以沿着切断预定线(5)在加工对象物(1)中形成改质区域(M1)。对该形成有改质区域(M1)的加工对象物1，通过利用对改质区域的蚀刻速率比对非改质区域的蚀刻速率高的蚀刻液施以蚀刻处理，来蚀刻改质区域(M1)。因此，利用对改质区域(M1)的高蚀刻速率，沿着切断预定线(5)有选择且迅速地蚀刻加工对象物(1)。

公开(公告)号：CN102481666A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080037144.4

申请日：2010-08-17

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 中川爱湖 ,  坂本刚志

IPC分类号： B23K26/40 ,  B23K26/00 ,  B23K26/38 ,  H01L21/301

CPC分类号： H01L23/562 ,  B23K26/046 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/67092 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 可一边可靠地切断加工对象物，一边提升所得到的芯片的强度。将激光(L)照射于加工对象物(1)，将沿着切断预定线(5)延伸且在厚度方向上排列的改质区域(17、27、37、47)形成于加工对象物(1)。在此，以改质区域形成部分(17a)与改质区域非形成部分(17b)沿着切断预定线交替地存在的方式形成改质区域(17)，以改质区域形成部分(47a)与改质区域非形成部分(47b)沿着切断预定线交替地存在的方式形成改质区域(47)。因此，在进行切断而得到的芯片中，可抑制起因于所形成的改质区域(7)而使背面(21)侧及表面(3)侧的强度降低的情况。另一方面，由于从切断预定线(5)的一端侧遍及另一端侧而连续地形成位于改质区域(17、47)间的改质区域(27、37)，所以可可靠地确保加工对象物(1)的切断性。

公开(公告)号：CN101218664B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200680024607.7

申请日：2006-07-03

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 坂本刚志 ,  村松宪一

IPC分类号： H01L21/301 ,  B23K26/40 ,  B23K101/40

CPC分类号： B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/78

摘要： 本发明提供了一种加工对象物切断方法，即使在基板较厚的情况下，也能够在短时间内沿着切断预定线将包括基板以及具有多个功能元件并设置在基板的表面上的叠层部的加工对象物切断成各个功能元件。通过将聚光点(P)对准基板(4)的内部并从叠层部(16)侧照射激光(L)，从而沿着切断预定线，在基板(4)的内部形成从基板(4)的厚度方向的中心位置(CL)偏向基板(4)的背面(21)侧的第1改质区域(71)和从基板(4)的厚度方向的中心位置(CL)偏向基板(4)的表面(3)侧的第2改质区域(72)，并从第2改质区域(72)向基板(4)的表面(3)产生裂缝(24)。然后，在使贴于基板(4)的背面(21)的扩张带(23)扩张的状态下，使加工对象物(1)内产生应力以使裂缝(24)打开。

公开(公告)号：CN101351870B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200680049819.0

申请日：2006-12-26

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 坂本刚志 ,  村松宪一

IPC分类号： H01L21/301 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B28D5/00 ,  B23K101/40

CPC分类号： H01L23/544 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  C03B33/0222 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 在具备基板(14)、和形成在基板(14)的表面的多个功能元件(15)的加工对象物(1)的基板(4)内部，对准聚光点(P)并照射激光(L)，而对于1条切断预定线(5)，形成至少1列分割改质区域(72)，位于分割改质区域(72)和基板(4)的表面(3)之间的至少1列的品质改质区域(71)，及位于分割改质区域(72)和基板(4)的背面(21)之间的至少1列的HC改质区域(73)。此时，在沿着切断预定线的方向上，分割改质区域(72)的形成密度，比品质改质区域(71)的形成密度及HC改质区域(73)的形成密度低。

公开(公告)号：CN101821833B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200880110812.4

申请日：2008-10-07

申请人： 日立化成工业株式会社

发明人： 畠山惠一 ,  中村祐树

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/52

CPC分类号： H01L21/67132 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  B28D5/0052 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本发明提供一种带粘接膜半导体芯片的制造方法，其具备以下工序：准备层叠体的工序，其将半导体晶片、半导体用粘接膜及切割带以所述顺序层叠，其中，半导体用粘接膜具有1～15μm范围的厚度、具有小于5％的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110％，所述半导体晶片具有由激光照射而形成的用于将所述半导体晶片分割为多个半导体芯片的改性部；将切割带沿多个半导体芯片相互分离的方向拉伸，从而不分割所述半导体用粘接膜地将所述半导体晶片分割为所述多个半导体芯片的工序；以及将多个半导体芯片分别沿层叠体的层叠方向拾起，从而分割半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。

公开(公告)号：CN102357739A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201110319239.1

申请日：2007-09-27

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 久野耕司 ,  铃木达也 ,  渥美一弘

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/06 ,  B23K26/04 ,  B23K26/40 ,  H01L21/301

CPC分类号： B23K26/048 ,  B23K26/046 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/78

摘要： 一种激光加工方法，使聚光用透镜(108)沿着含切割预定线(5)的线(50)相对地移动，透镜(108)位于在加工对象物(1)与外框(22)之间具有外形的加工区域(30)上时，将测定用激光(L2)以透镜(108)聚光，检测加工对象物(1)的表面(3)所反射的激光(L2)的反射光。通过该检测，将表面(3)与透镜(108)的距离一边调整为大致一定的方式，一边以透镜(108)将激光(L1)聚光，以使加工用激光(L1)的聚光点(P)对焦在距表面(3)一定距离的位置，在加工对象物(1)的内部形成熔融处理区域(13)。

公开(公告)号：CN101516565B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200780034480.1

申请日：2007-09-13

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 坂本刚志

IPC分类号： B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  H01L21/301 ,  B23K101/40

CPC分类号： H01L21/78 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/12 ,  B23K26/354 ,  B23K26/359 ,  B23K26/382 ,  B23K26/40 ,  B23K26/53 ,  B23K26/57 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  B28D5/0011 ,  C03B33/0222

摘要： 沿着切断预定线(5)，在硅晶圆(11)的内部形成作为切断的起点的6列熔融处理区域(131、132)，但是，在形成最接近加工对象物(1)的背面(21)的熔融处理区域(131)时，沿着切断预定线(5)在背面(21)形成弱化区域(18)。如此，由于熔融处理区域(131、132)形成于硅晶圆(11)的内部，因而能够防止从熔融处理区域(131、132)产生粒子。并且，由于具有规定的深度的弱化区域(18)沿着切断预定线(5)形成于加工对象物(1)的背面(21)，因而能够用较小的外力沿着切断预定线(5)切断加工对象物(1)。