-
公开(公告)号：CN101346207B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200680048830.5
申请日：2006-12-12
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/04 , B23K26/00 , B23K26/38 , B23K26/40 , H01L21/301 , B23K101/40
CPC classification number: B23K26/048 , B23K26/046 , B23K26/0617 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50
Abstract: 激光加工装置，具备：使加工用激光与测距用激光(L2)向晶圆(1)聚光的聚光用透镜(31)，使聚光用透镜(31)动作的致动器，对测距用激光的反射光(L3)附加非点像差的整形光学系统(49)，接收反射光(L3)而输出配合其光量的电压值的(4)分割光电二极管(42)，和控制致动器的控制部；使测距用激光(L2)的聚光点(P2)位于透镜焦点(P0)与透镜(31)之间，可以在距表面(3)更深的位置形成改质区域，并抑制反射光(L3)造成的不良影响。根据实施了基于电压值总和的除算的运算值来加以控制，可由此防止运算值的反射光量所造成的变化。
-
公开(公告)号：CN102357738A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110319235.3
申请日：2007-09-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/06 , B23K26/04 , B23K26/40 , H01L21/301
CPC classification number: B23K26/048 , B23K26/046 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , H01L21/02381 , H01L21/02675 , H01L21/67092 , H01L21/78
Abstract: 一种激光加工方法，使聚光用透镜(108)沿着含切割预定线(5)的线(50)相对地移动，透镜(108)位于在加工对象物(1)与外框(22)之间具有外形的加工区域(30)上时，将测定用激光(L2)以透镜(108)聚光，检测加工对象物(1)的表面(3)所反射的激光(L2)的反射光。通过该检测，将表面(3)与透镜(108)的距离一边调整为大致一定的方式，一边以透镜(108)将激光(L1)聚光，以使加工用激光(L1)的聚光点(P)对焦在距表面(3)一定距离的位置，在加工对象物(1)的内部形成熔融处理区域(13)。
-
公开(公告)号：CN101400475A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008910.2
申请日：2007-03-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/40 , H01L21/301
CPC classification number: B23K26/53 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , C03B33/0222 , C03B33/037 , H01L21/78
Abstract: 本发明的激光加工方法，通过照射具有标准的脉冲波形的激光(L)，在硅晶片(111)的内部形成，加工对象物(1)的厚度方向的大小大，且随着容易在加工对象物(1)的厚度方向上发生破裂(24)的溶融处理区域(131)，同时，通过照射具有来自后侧脉冲波形的激光(L)，在硅晶片(112)的内部形成，加工对象物(1)的厚度方向的大小小，且在加工对象物(1)的厚度方向上不容易发生破裂(24)的溶融处理区域(132)。
-
公开(公告)号：CN100407377C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200480026066.2
申请日：2004-09-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00
CPC classification number: B23K26/0884 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011
Abstract: 提供一种半导体基板的切断方法，可将表面形成有功能元件的半导体基板连同芯片粘贴树脂层一起有效率地切断。把表面(3)形成有功能元件(15)的晶片(11)的背面(17)作为激光入射面，汇聚聚光点(P)而对晶片(11)的内部照射激光，由此产生多光子吸收并沿着切断预定线(5)而在晶片(11)的内部形成由熔融处理区域(13)所产生的切断起点区域(8)。利用此、自然地或者以比较小的力而产生以切断起点区域(8)为起点的裂缝，并可使所述裂缝到达表面(3)和背面(17)。因此，在切断起点区域(8)形成后，在晶片(11)的背面(17)隔着芯片粘贴树脂层(23)贴附上扩张薄膜(21)，当使扩张薄膜(21)扩张时，可沿着切断预定线(5)将晶片(11)及芯片粘贴树脂层(23)切断。
-
公开(公告)号：CN101227999A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200680026864.4
申请日：2006-09-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/40 , B23K26/00 , B23K26/073 , B28D5/00 , B23K101/40
CPC classification number: B28D5/00 , B23K26/066 , B23K26/073 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L21/78
Abstract: 在该激光加工方法中，使聚光点(P)上的激光(L)的截面形状为，垂直于切断预定线(5)的方向的最大长度比平行于切断预定线(5)的方向的最大长度短的形状。因此，形成在硅晶片(11)的内部的改质区域(7)的形状，由激光(L)的入射方向观看，则为垂直于切断预定绒(5)的方向的最大长度比平行于切断预定线(5)的方向的最大长度短的形状。在加工对象物(1)的内部形成具有上述形状的改质区域(7)，则在以改质区域(7)为切断的起点切断加工对象物(1)之际，可抑制在切断面出现扭梳纹，可提升切断面的平坦度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1849699A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200480026066.2
申请日：2004-09-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00
CPC classification number: B23K26/0884 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , B28D5/0011
Abstract: 提供一种半导体基板的切断方法，可将表面形成有功能元件的半导体基板连同芯片粘贴树脂层一起有效率地切断。把表面(3)形成有功能元件(15)的晶片(11)的背面(17)作为激光入射面，汇聚聚光点(P)而对晶片(11)的内部照射激光，由此产生多光子吸收并沿着切断预定线(5)而在晶片(11)的内部形成由熔融处理区域(13)所产生的切断起点区域(8)。利用此、自然地或者以比较小的力而产生以切断起点区域(8)为起点的裂缝，并可使所述裂缝到达表面(3)和背面(17)。因此，在切断起点区域(8)形成后，在晶片(11)的背面(17)隔着芯片粘贴树脂层(23)贴附上扩张薄膜(21)，当使扩张薄膜(21)扩张时，可沿着切断预定线(5)将晶片(11)及芯片粘贴树脂层(23)切断。
-
公开(公告)号：CN102357738B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201110319235.3
申请日：2007-09-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/53 , B23K26/06 , B23K26/046 , B23K26/70 , H01L21/301
CPC classification number: B23K26/048 , B23K26/046 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , H01L21/02381 , H01L21/02675 , H01L21/67092 , H01L21/78
Abstract: 一种激光加工方法，使聚光用透镜(108)沿着含切割预定线(5)的线(50)相对地移动，透镜(108)位于在加工对象物(1)与外框(22)之间具有外形的加工区域(30)上时，将测定用激光(L2)以透镜(108)聚光，检测加工对象物(1)的表面(3)所反射的激光(L2)的反射光。通过该检测，将表面(3)与透镜(108)的距离一边调整为大致一定的方式，一边以透镜(108)将激光(L1)聚光，以使加工用激光(L1)的聚光点(P)对焦在距表面(3)一定距离的位置，在加工对象物(1)的内部形成熔融处理区域(13)。
-
公开(公告)号：CN102172799B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110027035.0
申请日：2006-09-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/40 , B23K26/06 , B23K26/073 , B28D5/00 , H01L21/78 , B23K101/40
CPC classification number: B28D5/00 , B23K26/066 , B23K26/073 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L21/78
Abstract: 在该激光加工方法中，使聚光点(P)上的激光(L)的截面形状为，垂直于切断预定线(5)的方向的最大长度比平行于切断预定线(5)的方向的最大长度短的形状。因此，形成在硅晶片(11)的内部的改质区域(7)的形状，由激光(L)的入射方向观看，则为垂直于切断预定线(5)的方向的最大长度比平行于切断预定线(5)的方向的最大长度短的形状。在加工对象物(1)的内部形成具有上述形状的改质区域(7)，则在以改质区域(7)为切断的起点切断加工对象物(1)之际，可抑制在切断面出现扭梳纹，可提升切断面的平坦度。
-
公开(公告)号：CN101522362B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200780037204.0
申请日：2007-09-27
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/06 , B23K26/40 , H01L21/301
CPC classification number: B23K26/048 , B23K26/046 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50 , B28D5/0011 , H01L21/02381 , H01L21/02675 , H01L21/67092 , H01L21/78
Abstract: 一种激光加工方法，使聚光用透镜(108)沿着含切割预定线(5)的线(50)相对地移动，透镜(108)位于在加工对象物(1)与外框(22)之间具有外形的加工区域(30)上时，将测定用激光(L2)以透镜(108)聚光，检测加工对象物(1)的表面(3)所反射的激光(L2)的反射光。通过该检测，将表面(3)与透镜(108)的距离一边调整为大致一定的方式，一边以透镜(108)将激光(L1)聚光，以使加工用激光(L1)的聚光点(P)对焦在距表面(3)一定距离的位置，在加工对象物(1)的内部形成熔融处理区域(13)。
-
公开(公告)号：CN101522363A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037214.4
申请日：2007-09-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/00 , B23K26/04 , B23K26/40 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/046 , B23K26/048 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , C03B33/0222 , C03B33/091 , H01L21/02381 , H01L21/02675
Abstract: 本发明涉及在加工对象物的激光照射面上高精度地将改质区域形成于所期望的位置。在追踪记录时，在平均差分(γ)具有超过特定阈值的值的情况下，确定包含有平均差分(γ)超过特定阈值的线区间(S)的粒子区间(Z)。由此，可判断出于切断预定线(5)上存在有粒子且因该粒子使测定用激光产生漫反射，并检测出在切断预定线区间中因粒子的存在而对控制信号产生影响的区间，作为粒子区间(Z)。于是，通过在粒子区间(Z)中校正控制信号，可防止因粒子存在的影响造成在控制信号中包含误差从而导致聚光用透镜的过度移动，因此可使加工用激光的聚光点高精度地对表面(3)进行追踪。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
35
records
(took 0.029 seconds)
