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公开(公告)号：CN110945628A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048563.4
申请日：2018-07-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/53
Abstract: 层叠工序具有：将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的电路层的第1接合工序；研磨所述第2晶圆的半导体基板的研磨工序；及将所述第3晶圆的电路层接合于所述第2晶圆的所述半导体基板的第2接合工序。在激光照射工序中，通过对于所述第1晶圆的半导体基板照射激光来形成改质区域，并且沿着层叠体的层叠方向使龟裂从所述改质区域伸展。
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公开(公告)号：CN102172799A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110027035.0
申请日：2006-09-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/40 , B23K26/06 , B23K26/073 , B28D5/00 , H01L21/78 , B23K101/40
CPC classification number: B28D5/00 , B23K26/066 , B23K26/073 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L21/78
Abstract: 在该激光加工方法中，使聚光点(P)上的激光(L)的截面形状为，垂直于切断预定线(5)的方向的最大长度比平行于切断预定线(5)的方向的最大长度短的形状。因此，形成在硅晶片(11)的内部的改质区域(7)的形状，由激光(L)的入射方向观看，则为垂直于切断预定线(5)的方向的最大长度比平行于切断预定线(5)的方向的最大长度短的形状。在加工对象物(1)的内部形成具有上述形状的改质区域(7)，则在以改质区域(7)为切断的起点切断加工对象物(1)之际，可抑制在切断面出现扭梳纹，可提升切断面的平坦度。
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公开(公告)号：CN110945630A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048624.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/304 , B23K26/00 , B23K26/53
Abstract: 层叠型元件的制造方法具备：第1形成工序，对于第1晶圆的半导体基板，沿着切断预定线照射激光，由此，沿着切断预定线形成第1改质区域；第1研磨工序，研磨第1晶圆的半导体基板；接合工序，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板；第2形成工序，对于第2晶圆的半导体基板，沿着切断预定线照射激光，由此，沿着切断预定线形成第2改质区域；及第2研磨工序，研磨第2晶圆的半导体基板。
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公开(公告)号：CN101100018B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200710126927.X
申请日：2007-07-03
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/00 , B23K26/08 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0622 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , C03B33/0222
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，其能够进行沿着切割预定线的加工对象物的高精度的切割。通过将聚焦点对准硅晶片(11)的内部在加工对象物(1)上照射激光，并使聚焦点沿着切割预定线(5)相对移动，由此，沿着切割预定线(5)分别形成位于加工对象物(1)的内部的改质区域(M1)、(M2)之后，在加工对象物(1)的内部形成位于改质区域(M1)和改质区域(M2)之间的改质区域(M3)。
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公开(公告)号：CN101227999B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200680026864.4
申请日：2006-09-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/40 , B23K26/00 , B23K26/073 , B28D5/00 , B23K101/40
CPC classification number: B28D5/00 , B23K26/066 , B23K26/073 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L21/78
Abstract: 在该激光加工方法中，使聚光点(P)上的激光(L)的截面形状为，垂直于切断预定线(5)的方向的最大长度比平行于切断预定线(5)的方向的最大长度短的形状。因此，形成在硅晶片(11)的内部的改质区域(7)的形状，由激光(L)的入射方向观看，则为垂直于切断预定线(5)的方向的最大长度比平行于切断预定线(5)的方向的最大长度短的形状。在加工对象物(1)的内部形成具有上述形状的改质区域(7)，则在以改质区域(7)为切断的起点切断加工对象物(1)之际，可抑制在切断面出现扭梳纹，可提升切断面的平坦度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110945628B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201880048563.4
申请日：2018-07-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/53
Abstract: 层叠工序具有：将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的电路层的第1接合工序；研磨所述第2晶圆的半导体基板的研磨工序；及将所述第3晶圆的电路层接合于所述第2晶圆的所述半导体基板的第2接合工序。在激光照射工序中，通过对于所述第1晶圆的半导体基板照射激光来形成改质区域，并且沿着层叠体的层叠方向使龟裂从所述改质区域伸展。
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公开(公告)号：CN110945629A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048622.8
申请日：2018-07-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/53 , H01L21/02 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/322
Abstract: 层叠型元件的制造方法具备：第1形成工序，对于第1晶圆的半导体基板照射激光，由此，在每个功能元件形成第1吸除区域；第1研磨工序，研磨第1晶圆的半导体基板，去除第1吸除区域的一部分；接合工序，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板；第2形成工序，对于第2晶圆的半导体基板照射激光，由此，在每个功能元件形成第2吸除区域；及第2研磨工序，研磨第2晶圆的半导体基板，去除第2吸除区域的一部分。
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公开(公告)号：CN102933347B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201180027408.2
申请日：2011-05-20
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 杉浦隆二
IPC: B23K26/00 , B23K26/0622 , B23K26/402 , C03B33/09 , H01L21/301
CPC classification number: B23K26/38 , B23K26/0622 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50
Abstract: 本发明提供对应于被要求的品质提高分割力的激光加工方法。通过对加工对象物照射具有半值宽度与底宽彼此相等的脉冲波形的激光（L），从而沿着切断预定线在加工对象物内形成多个改质点，并由多个改质点形成改质区域。在此，激光光源（101）通过激光光源控制部（102）控制驱动电源（51），对应于激光（L）的PE值，在第1～第3脉冲波形之间切换脉冲波形。在低PE值的情况，将构成为峰值位于其前半侧且成为锯刃状的第1脉冲波形作为脉冲波形而设定，并且在高PE值的情况，将构成为峰值位于其后半侧且成为锯刃状的第2脉冲波形作为脉冲波形而设定。
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公开(公告)号：CN102317030B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201080008067.X
申请日：2010-03-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 杉浦隆二
IPC: B23K26/53 , H01L21/301
CPC classification number: B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2103/50
Abstract: 激光加工装置(100)具有射出激光(L)的激光光源(101)和控制激光(L)的脉冲宽度的激光光源控制部(102)，通过使聚光点(P)对准加工对象物(1)的内部并照射激光(L)，从而沿着加工对象物(1)的切断预定线(5)，在加工对象物(1)形成改质区域，并且，伴随着改质区域的形成，从该改质区域产生沿着加工对象物(1)的厚度方向延伸的龟裂。在该激光加工装置(100)中，由激光光源控制部(102)，对应于由使“龟裂长度”、“加工对象物(1)的厚度”、“激光(L)的脉冲宽度”相互附加关联所成的数据表，改变激光(L)的脉冲宽度。即，基于从改质区域所产生的龟裂长度，改变脉冲宽度。因此，根据激光加工装置(100)，能够从改质区域产生所期望的长度的龟裂。
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公开(公告)号：CN102554462A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210032963.0
申请日：2007-07-03
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/00 , B23K26/08 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/0622 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , C03B33/0222
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法，其能够进行沿着切割预定线的加工对象物的高精度的切割。通过将聚焦点对准硅晶片(11)的内部在加工对象物(1)上照射激光，并使聚焦点沿着切割预定线(5)相对移动，由此，沿着切割预定线(5)分别形成位于加工对象物(1)的内部的改质区域(M1)、(M2)之后，在加工对象物(1)的内部形成位于改质区域(M1)和改质区域(M2)之间的改质区域(M3)。
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