公开(公告)号：CN101400475B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200780008910.2

申请日：2007-03-06

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  大村悦二 ,  福满宪志 ,  熊谷正芳 ,  渥美一弘 ,  内山直己

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/53 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/037 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明的激光加工方法，通过照射具有标准的脉冲波形的激光(L)，在硅晶片(111)的内部形成，加工对象物(1)的厚度方向的大小大，且随着容易在加工对象物(1)的厚度方向上发生破裂(24)的溶融处理区域(131)，同时，通过照射具有来自后侧脉冲波形的激光(L)，在硅晶片(112)的内部形成，加工对象物(1)的厚度方向的大小小，且在加工对象物(1)的厚度方向上不容易发生破裂(24)的溶融处理区域(132)。

公开(公告)号：CN101400475A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200780008910.2

申请日：2007-03-06

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 福世文嗣 ,  大村悦二 ,  福满宪志 ,  熊谷正芳 ,  渥美一弘 ,  内山直己

IPC: B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  H01L21/301

CPC classification number: B23K26/53 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0853 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  C03B33/0222 ,  C03B33/037 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明的激光加工方法，通过照射具有标准的脉冲波形的激光(L)，在硅晶片(111)的内部形成，加工对象物(1)的厚度方向的大小大，且随着容易在加工对象物(1)的厚度方向上发生破裂(24)的溶融处理区域(131)，同时，通过照射具有来自后侧脉冲波形的激光(L)，在硅晶片(112)的内部形成，加工对象物(1)的厚度方向的大小小，且在加工对象物(1)的厚度方向上不容易发生破裂(24)的溶融处理区域(132)。