-
公开(公告)号：CN1916097B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610100287.0
申请日：2002-08-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2224/83191 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 粘合薄片，其具备粘合剂层和底材层，通过放射线照射来控制上述粘合剂层和上述底材层间的粘合力，上述粘合剂层含有以下的成分：(a)热塑性树脂、(b)热聚合性成分、以及(c)通过放射线照射而产生碱基的化合物。本发明的粘合薄片是满足在切割时具有使半导体元件不飞散的足够的粘合力，此后通过照射放射线来控制上述粘合剂层和底材间的粘合力，从而在取出时具有不损伤各元件的低粘着力的这样相反要求的粘合薄片。
-
公开(公告)号：CN100473704C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN02816650.7
申请日：2002-08-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J163/00
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J163/00 , C09J2203/326 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/83 , H01L2224/83191 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 粘合薄片，其具备粘合剂层和底材层，通过放射线照射来控制上述粘合剂层和上述底材层间的粘合力，上述粘合剂层含有以下的成分：(a)热塑性树脂、(b)热聚合性成分、以及(c)通过放射线照射而产生碱基的化合物。本发明的粘合薄片是满足在切割时具有使半导体元件不飞散的足够的粘合力，此后通过照射放射线来控制上述粘合剂层和底材间的粘合力，从而在取出时具有不损伤各元件的低粘着力的这样相反要求的粘合薄片。
-
公开(公告)号：CN1916097A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610100287.0
申请日：2002-08-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
CPC classification number: H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2224/83191 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 粘合薄片，其具备压敏粘合剂层和底材层，通过放射线照射来控制上述压敏粘合剂层和上述底材层间的粘合力，上述压敏粘合剂层含有以下的成分：(a)热塑性树脂、(b)热聚合性成分以及(c)通过放射线照射而产生碱基的化合物。本发明的粘合薄片是满足在切割时具有使半导体元件不飞散的足够的粘合力，此后通过照射放射线来控制上述压敏粘合剂层和底材间的粘合力，从而在取出时具有不损伤各元件的低粘着力的这样相反要求的粘合薄片。
-
公开(公告)号：CN1763144A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200410098048.7
申请日：2001-02-15
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09J163/00 , H01L21/52 , H01L21/58
Abstract: 一种粘接剂组合物及其制造方法，该组合物由环氧树脂(a)、固化剂(b)、以及与环氧树脂为非相溶的高分子化合物(c)所组成，必要时还包括填充剂(d)或/和固化促进剂(e)；其制造方法为：先混合环氧树脂(a)以及固化剂(b)与填充剂(d)，再混合与环氧树脂系为非相溶的高分子化合物(c)于该混合物。本发明还涉及将上述粘接剂组合物制成薄膜状而形成的粘接薄膜、于电路基板的芯片装载面设置有该粘接薄膜的半导体装载用基板、以及使用该粘接薄膜或半导体装载用基板的半导体装置。
-
公开(公告)号：CN1208418C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN01805118.9
申请日：2001-02-15
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09J163/00 , C09J7/00 , H01L21/52 , H01L23/14
Abstract: 一种粘接剂组合物及其制造方法，该组合物由环氧树脂(a)、固化剂(b)、以及与环氧树脂为非相溶的高分子化合物(c)所组成，必要时还包括填充剂(d)或/和固化促进剂(e)；其制造方法为：先混合环氧树脂(a)以及固化剂(b)与填充剂(d)，再混合与环氧树脂系为非相溶的高分子化合物(c)于该混合物。本发明还涉及将上述粘接剂组合物制成薄膜状而形成的粘接薄膜、于电路基板的芯片装载面设置有该粘接薄膜的半导体装载用基板、以及使用该粘接薄膜或半导体装载用基板的半导体装置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102709201A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210191649.7
申请日：2008-03-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/58 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L23/29 , C09J7/00 , C09J179/08 , C08G73/10
CPC classification number: C09J183/10 , C08G73/106 , C08G77/26 , C08G77/452 , C09D183/08 , C09J179/08 , C09J183/08 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L23/296 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/274 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01058 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/2826 , Y10T428/2896 , H01L2924/07025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体用粘接膜，其能够在低温下贴附在半导体晶片，可以在充分地抑制芯片裂纹或毛刺的产生的同时，以良好的产品合格率由半导体晶片得到半导体芯片。本发明的半导体用粘接膜含有聚酰亚胺树脂，可以利用含有由下述化学式(I)表示的4，4’-氧双邻苯二甲酸酐的四羧酸二酐；与含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反应得到，能够在100℃以下贴附在半导体晶片。
-
公开(公告)号：CN102148179B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201110008103.9
申请日：2007-06-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/60 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/67092 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2221/6834 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81121 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/83851 , H01L2224/83885 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01058 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07811 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供一种粘结薄膜的使用方法，该方法在高效地获得附有粘结薄膜的半导体芯片单片的同时，可以使半导体芯片与配线基板良好地连接。该使用方法，经过以半导体晶片(6)的电路面(6a)向着切割带(9)一侧的方式而将由切割带(9)、粘结薄膜(3)以及半导体晶片(6)按照这一顺序叠层所得的层压体(60)的准备工序，从与所述半导体晶片(6)的反面(6b)识别所述电路面(6a)的电路图案(P)进而识别切割位置的工序，至少将所述半导体晶片(6)以及所述粘结薄膜(3)在所述层压体(60)的厚度方向上切割的工序，得到连接于配线基板的半导体芯片单片，由此防止半导体芯片的污染，而且可以防止由飞散、流出引起的丢失。
-
公开(公告)号：CN102148179A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110008103.9
申请日：2007-06-20
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/60 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/67092 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L2221/6834 , H01L2223/54426 , H01L2223/54473 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81121 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2224/83191 , H01L2224/838 , H01L2224/83851 , H01L2224/83885 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01058 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07811 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 本发明提供一种粘结薄膜的使用方法，该方法在高效地获得附有粘结薄膜的半导体芯片单片的同时，可以使半导体芯片与配线基板良好地连接。该使用方法，经过以半导体晶片(6)的电路面(6a)向着切割带(9)一侧的方式而将由切割带(9)、粘结薄膜(3)以及半导体晶片(6)按照这一顺序叠层所得的层压体(60)的准备工序，从与所述半导体晶片(6)的反面(6b)识别所述电路面(6a)的电路图案(P)进而识别切割位置的工序，至少将所述半导体晶片(6)以及所述粘结薄膜(3)在所述层压体(60)的厚度方向上切割的工序，得到连接于配线基板的半导体芯片单片，由此防止半导体芯片的污染，而且可以防止由飞散、流出引起的丢失。
-
公开(公告)号：CN101821834A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880110828.5
申请日：2008-10-07
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/304 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/8388 , H01L2224/83885 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种带粘接膜半导体芯片的制造方法，其具备以下工序：准备层叠体的工序，其至少将由多个半导体芯片构成的分割完成的半导体晶片、半导体用粘接膜和切割带进行层叠，所述由多个半导体芯片构成的分割完成的半导体晶片是通过在半导体晶片的一个面上以比半导体晶片的厚度小的深度形成将半导体晶片区分成多个半导体芯片的切痕、并将半导体晶片的未形成切痕的另一个面研削至达到所述切痕而得到的，所述半导体用粘接膜具有1～15μm范围的厚度、具有小于5％的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110％；将多个半导体芯片分别沿层叠体的层叠方向拾起，从而分割半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。
-
公开(公告)号：CN101647096A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200880010712.4
申请日：2008-03-31
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/00 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC classification number: C09J201/00 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/172 , B23K2103/50 , B28D5/0082 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/29006 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92247 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01077 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , Y10T428/28 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512
Abstract: 本发明提供既能够充分抑制芯片裂纹及毛刺的发生又能够从半导体晶片获得高合格率的半导体芯片的方法。该半导体芯片的制造方法具有以下工序：准备层叠体的工序，该层叠体顺次层叠半导体晶片、半导体用粘接膜以及切割胶带，从上述半导体晶片侧形成切槽，以使上述半导体晶片被分割为多个半导体芯片、并且上述半导体用粘接膜在厚度方向上的至少一部分不被切断而保留；以及将上述切割胶带在上述多个半导体芯片相互分离的方向上进行拉伸，由此沿着上述切槽来分割上述半导体用粘接膜的工序。上述半导体用粘接膜具有小于5％的拉伸断裂伸度，该拉伸断裂伸度小于最大负荷时的伸度的110％。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.04 seconds)
