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公开(公告)号：CN112992675B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110161020.7
申请日：2021-02-05
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/872
摘要： 本发明提供了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔金刚石衬底的制备方法，属于半导体技术领域，包括：在衬底的正面沉积外延层；在衬底的背面沉积牺牲层；选择性腐蚀牺牲层，使牺牲层在衬底的背面形成多个相互独立的柱状体；继续选择性刻蚀衬底，使柱状体延伸至外延层的背面；在外延层的背面以及柱状体的端面沉积金刚石；去除柱状体端面的金刚石层及柱状的牺牲层；去除柱状的原衬底，形成多孔金刚石衬底。本发明提供的制备方法，制备的多孔金刚石衬底用于太赫兹肖特基二极管，可以减少寄生电容，提高截止频率；同时可以增强散热能力、提高肖特基二极管的倍频效率；多孔结构有助于释放晶圆应力，改善翘曲，降低芯片制造难度。
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公开(公告)号：CN115483890A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211129592.8
申请日：2022-09-16
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种微波功率器件及设计方法。该器件包括：输入匹配电路和功率芯片。输入匹配电路的输出端连接功率芯片的输入端。功率芯片的输出端连接微波功率器件的输出端。输入匹配电路包括依次连接的主匹配电容、匹配电阻和次匹配电容。主匹配电容的输入端作为输入匹配电路的输入端。次匹配电容的输出端作为输入匹配电路的输出端。其中主匹配电容的电容值大于次匹配电容的电容值。本发明通过依次连接的主匹配电容、匹配电阻和次匹配电容，将匹配电阻设于主匹配电容与次匹配电容之间，匹配电阻距离功率芯片的位置更近，匹配电阻的阻值更小，降低了匹配电阻的功率损耗，提升了功率器件的效率和增益系数。
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公开(公告)号：CN115198347A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210829211.0
申请日：2022-07-15
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种离心合成与生长化合物晶体的装置及方法，涉及化合物半导体的制备，装置包括炉体和炉体内的坩埚，坩埚顶部设置密封槽，与密封槽配套有密封盖，坩埚通过坩埚杆连接炉体外部的离心电机。方法包括放置原料、组装装置、密封坩埚、离心合成、晶体生长步骤。使用本发明提出的装置和方法，没有易挥发元素的注入装置，具有简单、经济、节能、高效的特点；金属材料在加热前，在离心力的作用下贴在坩埚侧壁，距主加热器更近，对金属的加热效率更高；合成期间，易挥发元素不会发生逃逸，全部参与合成，杜绝浪费；化合物生成前所有材料装料完成，外界沾污减少；实现晶体在原位生长，提高效率。
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公开(公告)号：CN115183863A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210635538.4
申请日：2022-06-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01H17/00
摘要： 本发明提供一种低温波导噪声源。该噪声源包括：矩形波导、匹配负载和控温装置；矩形波导包括依次连接的输入段、过渡段和输出段；匹配负载设在输入段的内部；输入段用于置于液氮内冷却匹配负载；过渡段的导热性低于输入段和输出段的导热性；控温装置设在输出段；控温装置用于控制输出段的输出端温度处于设定的温度。本发明能够通过控温装置控制输出端温度恒定；通过过渡段减少输入端和输出端的热传导，减少输入端对输出端温度的影响，确保稳定输出低反射系数热噪声。同时过渡段减少输出端的热量损耗，降低控温装置的功耗。另外，过渡段的隔热作用，可以减少输入端的热量增加，进而减少冷却输入端的液氮挥发，节省了液氮的用量。
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公开(公告)号：CN114993505A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210635536.5
申请日：2022-06-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01K11/125 , G01J5/07 , G01J5/02 , G01J5/061 , G01J5/48
摘要： 本申请适用于基于光学原理的微电子器件温度检测领域，提供了一种实现热反射成像测温的自动重聚焦的方法和装置，该方法包括：基于参考图像和被测件温度变化，获取参考图像的矩形区域，计算矩形区域清晰度；参考图像为温度不变时聚焦清晰的图像；基于被测件温度变化和矩形区域清晰度，调节三轴纳米位移台；每次调节三轴纳米位移台后，获取当前测量图像，计算矩形区域清晰度；当前测量图像仍包含矩形区域；通过判断当前被测件的温度、三轴纳米位移台的位移和当前矩形区域清晰度是否满足预设温度阈值条件、预设位移阈值条件和预设清晰度条件，确定测量结果。本申请能够提高测温结果准确性，为实现高空间分辨率下的热反射成像测温奠定基础。
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公开(公告)号：CN112429708B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011327308.9
申请日：2020-11-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 中国电子科技南湖研究院
摘要： 一种非金属半导体材料的提纯方法，涉及高纯材料的制备领域，尤其适用于高纯非金属材料的制备，特别是通过金属熔体对易挥发性非金属材料进行提纯的设备及方法。基于提纯设备完成，设备包括炉体、平衡压力阀门，设置在炉体下部中间位置的坩埚、坩埚的加热和支撑结构、设置在坩埚正上方的可升降注入机构及设置在可升降注入机构旁边的可升降和旋转的回收机构；方法包括：将气化的非金属材料在高压环境下注入到金属熔体中；降低环境压力，收集从金属熔体中挥发出的气泡，得到提纯后的非金属材料。采用本发明提出的技术方案，可以有效去除非金属材料中的杂质，尤其是去除性质相近的元素，设备集成化程度高、易于控制、方法简单。
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公开(公告)号：CN111477612B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010206725.1
申请日：2020-03-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L25/065
摘要： 本发明提供了一种可调芯片，包括：堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片印制有基础电路，所述基础电路包含至少一级功能电路；所述第二芯片印制有至少一个调试电路，每个调试电路都对应一级功能电路；对于相互对应的功能电路与调试电路，所述功能电路的输出端与所述调试电路的输入端连接，所述功能电路的下级电路的输入端与所述调试电路的输出端连接。本发明提供的可调芯片能够在不改变芯片平面面积的同时实现对芯片性能的调整。
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公开(公告)号：CN114112113A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111172077.3
申请日：2021-10-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01K15/00
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种热阻传递标准件及热阻测量仪器校准方法，上述热阻传递标准件包括：第一半导体芯片、第二半导体芯片、第一管脚、第二管脚、第三管脚、第四管脚及壳体；第一半导体芯片和第二半导体芯片均设置在壳体内部；第一管脚穿过壳体与第一半导体芯片的阳极连接，第二管脚穿过壳体与第一半导体芯片的阴极连接；第三管脚穿过壳体与第二半导体芯片的阳极连接，第四管脚穿过壳体与第二半导体芯片的阴极连接。本发明提供的热阻传递标准件设置两个相互独立的半导体芯片，分别用于输入测试电流和工作电流，不存在电流的切换，有效提高了热阻传递标准件的标定精度。
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公开(公告)号：CN113395056A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110656500.0
申请日：2021-06-11
申请人： 西安交通大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03K3/02
摘要： 本发明公开了一种快前沿大电流脉冲调制器电路及脉冲调制器，该大电流脉冲调制器电路包括电流源单元、开关单元、储能单元和负载单元，所述的开关单元由一组或者多组半导体开关组成，所述得电流源可以为恒流源或者脉冲电流源，所述的电流源其峰值电流高于工作时的脉冲电流。本发明提出一种快前沿大电流脉冲调制器，其由电流源单元和开关单元所构成。电流源单元在主开关单元动作前在极短时间内对负载施加一较高幅值的脉冲电流，使负载两端电压快速提升至额定电压，从而获得快前沿脉冲，采用此种方法可以在负载两端获得远小于30ns的脉冲前沿。
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公开(公告)号：CN111192926B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010013555.5
申请日：2020-01-07
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/335 , H01L29/06
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，该氧化镓肖特基二极管由下至上包括阴极金属，高掺杂氧化镓衬底，低掺杂氧化镓外延层，阳极金属、围绕阳极金属的钝化介质层，以及，覆盖于阳极金属之上的场板金属；其中，所述钝化介质层内含有氟负离子。本发明可以提高氧化镓肖特基二极管器件的击穿特性。
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