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公开(公告)号：CN118969834A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411089232.9
申请日：2024-08-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种用于研制氮化镓开关和功率放大器的HEMT器件及制备方法。该HEMT器件包括：衬底、缓冲层，多个组合层、源极、漏极、漏极和钝化层；多个组合层内部设有第一凹槽和第二凹槽；第一凹槽设于多个组合层中最底层的势垒层上方至多个组合层中最顶层的势垒层上方；第二凹槽在第一凹槽靠近漏极的一侧的底部向下延伸至组合层中最底层的势垒层内部；栅极，设于第一凹槽内，且顶面高于多个组合层中最顶层的势垒层上方，栅极的一侧贴在靠近源极的第一凹槽的一侧，栅极的另一侧与靠近源极的第二凹槽的一侧在同一垂直线上。本发明能够提升HEMT器件电流密度、降低器件导通电阻以及改善HEMT器件的耐压性能。
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公开(公告)号：CN110690314B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201910837328.1
申请日：2019-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0288 , H01L31/18
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种吸收层与倍增层为分离结构的紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器包括：衬底；第一外延层，位于所述衬底上，所述第一外延层为重掺杂外延层；倍增层，位于所述第一外延层上，所述倍增层的掺杂浓度由下至上增加；吸收层，位于所述倍增层上，所述吸收层的掺杂浓度由下至上减小；欧姆接触层，形成于所述吸收层中，所述欧姆接触层的上表面不低于所述第三外延层的上表面，且，所述欧姆接触层的下表面高于所述第三外延层的下表面；上电极层，位于所述欧姆接触层上。本申请可以降低隧穿效应导致的暗电流，提高紫外探测器的信噪比。
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公开(公告)号：CN107104142B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201710381089.4
申请日：2017-05-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种高阻衬底上的GaN HEMT管芯结构，涉及GaN HEMT器件结构技术领域，自下而上包括接地层、衬底、沟道层、势垒层、绝缘介质、台面、填充区、栅极、源极和漏极；栅极和漏极下面为绝缘介质，栅极和漏极正下方的势垒层和沟道层被掏空形成填充区，填充区内填充金，接地层为金，栅极和漏极正下方的势垒层和沟道层被掏空形成填充区，然后填充金，由于金具有良好的导电性，因此栅极和漏极对地之间的寄生电导减小，从而降低了射频信号在衬底上的损耗，提高器件的射频性能。
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公开(公告)号：CN110676316B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201910892871.1
申请日：2019-09-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/40
Abstract: 本发明适用于半导体器件技术领域，公开了一种增强型场效应晶体管，增强型场效应晶体管自下而上依次包括衬底、沟道层、势垒层、钝化层和至少一层预设结构；预设结构自下而上依次包括绝缘介质层和场板；沟道层上分列有源电极和漏电极，势垒层上设有栅电极，钝化层位于源电极与栅电极之间以及栅电极与漏电极之间，绝缘介质层覆盖栅电极；在源电极和漏电极之间的沟道层中存在无载流子区和载流子区，在栅电极正下方以外的沟道层中存在无载流子区，且在栅电极正下方的沟道层中存在载流子区；在无载流子区的正上方具有场板。本发明提供的增强型场效应晶体管利用横向能带工程实现增强型器件，并利用场板结构能够提高击穿电压，提高器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN112992675B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202110161020.7
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔金刚石衬底的制备方法，属于半导体技术领域，包括：在衬底的正面沉积外延层；在衬底的背面沉积牺牲层；选择性腐蚀牺牲层，使牺牲层在衬底的背面形成多个相互独立的柱状体；继续选择性刻蚀衬底，使柱状体延伸至外延层的背面；在外延层的背面以及柱状体的端面沉积金刚石；去除柱状体端面的金刚石层及柱状的牺牲层；去除柱状的原衬底，形成多孔金刚石衬底。本发明提供的制备方法，制备的多孔金刚石衬底用于太赫兹肖特基二极管，可以减少寄生电容，提高截止频率；同时可以增强散热能力、提高肖特基二极管的倍频效率；多孔结构有助于释放晶圆应力，改善翘曲，降低芯片制造难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115312387A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211020575.0
申请日：2022-08-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/329 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/872
Abstract: 本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种高频肖特基二极管及其制备方法，该制备方法包括：在重掺杂半导体层上制备轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层上制备导电层，导电层的宽度小于轻掺杂半导体层的宽度；在轻掺杂半导体层和导电层上表面制备预设形状的钝化层，钝化层未覆盖导电层的中部区域；对导电层进行湿法腐蚀，形成保护环，露出部分轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层的露出部分制备第一电极，第一电极、钝化层、保护环和轻掺杂半导体层之间形成空气腔；在重掺杂半导体层下表面形成第二电极。本申请的方法能够较容易实现寄生电容小，击穿电压高的肖特基二极管，提高工作频率和耐受功率，有效提升二极管器件的成品率和一致性。
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公开(公告)号：CN115172342A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210876663.4
申请日：2022-07-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/065 , H01L23/488 , H01L21/50
Abstract: 本发明提供一种太赫兹倍频器芯片、制备方法及通信装置。该太赫兹倍频器芯片，包括：第一晶圆芯片及第二晶圆芯片；第一晶圆芯片的正面设置有第一集成电路，第二晶圆芯片正面设置有第二集成电路，第一集成电路和第二集成电路电连接，用于倍频；第一晶圆芯片的背面和第二晶圆芯片的背面背靠背设置。本发明将太赫兹倍频器电路制备在两个背靠背的晶圆芯片上，有效减小了太赫兹倍频器芯片的体积，合成效率高，且提高了芯片的耐受功率和输出功率。
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公开(公告)号：CN112993054B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110161027.9
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/207 , H01L29/06 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种倍频器及其制备方法，属于半导体器件技术领域，倍频器包括倍频单片，倍频单片包括GaN太赫兹二极管，GaN太赫兹二极管包括高阻硅衬底、外延生长于高阻硅衬底上的金刚石薄膜层、外延生长于金刚石薄膜层上的N+GaN层、外延生长于N+GaN层上的N‑GaN层、欧姆接触电极，以及肖特基接触电极。本发明提供的倍频器所采用的GaN太赫兹二极管利用金刚石材料介电常数低、热导率高的特性，能够提升器件散热能力，降低寄生电容和内部结温，从而提升器件的耐功率水平。
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公开(公告)号：CN112992678B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110161018.X
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供了一种基于金刚石衬底的GaN场效应晶体管的制备方法，属于半导体制造技术领域，包括：SiC衬底正面制备GaN异质结层；减薄SiC衬底；刻蚀SiC衬底；生长金刚石层；去除牺牲层及其上的金刚石层；GaN异质结层的正面制备源极、漏极和栅极；刻蚀SiC衬底和GaN异质结层，形成与源极连通的源通孔；去除通孔掩膜层，制备背面接地金属，完成金刚石衬底GaN晶体管器件的制备。本发明提供的制备方法，借助SiC刻蚀通孔，取代难度较大的金刚石激光通孔，实现金刚石上GaN异质结器件背面通孔接地，为金刚石衬底GaN晶体管器件的制备提供了方便；同时，由于只是在背面部分小区域去除了SiC衬底，避免了材料大的形变，为后序正面工艺提供了方便。
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公开(公告)号：CN112992674B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110160027.7
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/861 , H01L29/41 , H01L29/207
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构的氮化镓太赫兹二极管及制备方法，包括：在一衬底上外延N+掺杂层；在所述N+掺杂层的第一表面上生长牺牲层；对所述牺牲层上除第一预设区域和第二预设区域外的其他区域进行刻蚀；在所述N+掺杂层的第一表面上沉积金刚石；去除所述衬底，在所述N+掺杂层的第二表面上生长N‑掺杂层，进行刻蚀实现台面隔离，并分别制备阳极和阴极；去除所述金刚石层上的第一预设区域和第二预设区域内的牺牲层，采用电镀工艺形成贯穿所述金刚石层的第一表面和第二表面的金属介质，实现阴极互联。本发明提供的垂直结构的氮化镓太赫兹二极管的制备方法，不仅可有效降低器件寄生电阻，提升器件频率特性，同时高热导率的金刚石可增强其散热能力。
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