公开(公告)号：CN116155216A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310004722.3

申请日：2023-01-03

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 高茂原 ,  刘帅 ,  游恒果 ,  杨卅男 ,  许春良

IPC: H03F1/42 ,  H03F1/56 ,  H03F3/193 ,  H03F3/21

Abstract: 本发明提供一种基于MMIC的高频宽带功率放大器及电子设备，其中，高频宽带功率放大器包括：多级放大器级联的GaN MMIC电路，每级放大器均包括栅极偏置电路和漏极偏置电路，且每级放大器的漏极偏置电路通过传输线和低寄生介质电容与下一级放大器的栅极偏置电路连接；栅极偏置电路包括微带匹配电路和并联连接的电容匹配电路，微带匹配电路包括一微带线和一电阻串联，漏极偏置电路包括一微带线和并联连接的电容匹配电路；功率放大器还包括：在多级放大器中的至少一级放大器的栅极偏置电路上设置一第一电路，第一电路与栅极偏置电路上的电容匹配电路并联设置，第一电路包括串接的电容和对地的电阻。本发明的功率放大器可以满足高频宽带电路稳定性的要求。

公开(公告)号：CN108923761A

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201810738874.5

申请日：2018-07-06

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 刘帅 ,  武继斌 ,  冯威 ,  游恒果

IPC: H03F3/21 ,  H03F3/213

Abstract: 本发明公开了一种工作模式可切换的功率放大器，包括：输入模块、第一开关模块、小功率放大模块、第二开关模块、大功率放大模块和输出模块。在脉冲工作模式，第一开关模块和第二开关模块断开，大功率放大模块采用脉冲信号加电并对输入信号进行放大后通过输出模块进行输出。在连续波工作模式，大功率放大模块不工作，第一开关模块和第二开关模块闭合，小功率放大模块采用直流电加电并对输入信号进行放大后通过输出模块进行输出。本发明使得功率放大器电路可工作在脉冲和连续波两种状态下，在大功率放大过程中，信号不通过开关，从而降低了开关耐功率要求，具有更高的可靠性和更高的性能指标。

公开(公告)号：CN116388741A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310080388.X

申请日：2023-02-06

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 杨卅男 ,  许春良 ,  高茂原 ,  刘帅 ,  游恒果

IPC: H03K17/14 ,  H03K17/90

Abstract: 本申请提供一种偏置电路、功率开关及功率芯片。该偏置电路包括：第一节点、第二节点和二极管模块；第一节点用于接受外部供电，第二节点用于与外部功率开关管的栅极连接；其中，功率开关管的漏极连接射频传输线；二极管模块，阴极与第一节点连接，阳极与第二节点连接。本申请能够在不增加功率开关管的插入损耗的同时保证功率开关管的工作可靠性。

公开(公告)号：CN115312387A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202211020575.0

申请日：2022-08-24

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 宋旭波 ,  冯志红 ,  吕元杰 ,  梁士雄 ,  张立森 ,  许婧 ,  游恒果 ,  刘帅 ,  刘京亮 ,  刘桢 ,  盛百城

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/872

Abstract: 本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种高频肖特基二极管及其制备方法，该制备方法包括：在重掺杂半导体层上制备轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层上制备导电层，导电层的宽度小于轻掺杂半导体层的宽度；在轻掺杂半导体层和导电层上表面制备预设形状的钝化层，钝化层未覆盖导电层的中部区域；对导电层进行湿法腐蚀，形成保护环，露出部分轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层的露出部分制备第一电极，第一电极、钝化层、保护环和轻掺杂半导体层之间形成空气腔；在重掺杂半导体层下表面形成第二电极。本申请的方法能够较容易实现寄生电容小，击穿电压高的肖特基二极管，提高工作频率和耐受功率，有效提升二极管器件的成品率和一致性。

公开(公告)号：CN108199692A

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201711333883.8

申请日：2017-12-14

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 刘帅 ,  武继斌 ,  冯威 ,  游恒果 ,  米谭

IPC: H03F3/213

Abstract: 本发明涉及放大器技术领域，提供了一种半导体微波集成电路及其功率放大装置。该功率放大装置包括：输出匹配网络，与所述第一输出端连接；高功率放大单元，信号输入端与所述第一输入端电连接，信号输出端通过所述输出匹配网络与所述第一输出端电连接；低功率放大单元，信号输入端与所述第一输入端电连接，信号输出端通过所述输出匹配网络与所述第一输出端电连接；开关单元，设置在所述低功率放大单元与所述第一输入端之间，和/或所述低功率放大单元与所述输出匹配网络之间。从而在高功率放大单元工作而低功率放大单元不工作时，大功率信号不通过开关单元，从而能够降低开关耐功率要求，提升开关单元工作的可靠性。