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公开(公告)号：CN119945331A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510042245.9
申请日：2025-01-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种新型双平衡太赫兹倍频器，属于太赫兹通信技术领域。该倍频器包括：输入Y型波导功分器，包括一个输入和两个输出端口，用于将一路基波输入信号分解为两路功率相同且相位相反的输入信号；输出Y型波导功分器，包括两个输入和一个输出端口，用于将两路倍频信号合成为一路输出信号；倍频电路，包括四路二极管，每路二极管首尾串联，整体组成环形对称结构，相邻两路二极管连接处作为外部连接端口；一组对称的外部连接端口作为输入端口与输入Y型波导功分器的两个输出端口连接；另一组对称的外部连接端口作为输出端口与输出Y型波导功分器的两个输入端口连接。本发明能够实现双平衡提高带宽并降低谐波分量。
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公开(公告)号：CN110719067B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201910837993.0
申请日：2019-09-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种具有热匹配结构的太赫兹倍频器，属于太赫兹器件领域，包括金属外壳、设于金属外壳内腔中的金刚石基板、设于金刚石基板上且依次连接的输入波导结构、滤波电路结构、第一匹配电路结构、倍频芯片、第二匹配电路结构及输出波导结构，金刚石基板的上板面与倍频芯片对应的第一类压点处设有第三热膨胀适配层，金刚石基板的下板面与金属外壳内腔对应的第二类压点处设有第四热膨胀适配层。本发明提供的具有热匹配结构的太赫兹倍频器，第三热膨胀适配层和第四热膨胀适配层均选用具有较低热膨胀系数的材质，有效改善金刚石基板与倍频芯片及金刚石基板与金属外壳之间的热膨胀失配，使金刚石基板能够用于太赫兹倍频器中。
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公开(公告)号：CN106992792B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201710368617.2
申请日：2017-05-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS工艺的220GHz太赫兹发射机，涉及太赫兹技术领域。所述发射机包括通过MEMS工艺制作的Si基镀金盒体和位于所述盒体内的发射机电路，所述Si基镀金盒体包括位于内侧的Si壳体和位于Si壳体外侧的金属镀层。所述发射机的盒体采用MEMS工艺实现的Si盒体，通过镀金实现和金属相同的功能，质量轻，大大降低了发射机的重量，且采用MEMS工艺，系统集成度更高。
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公开(公告)号：CN107040213B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201710393311.2
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
Abstract: 本发明公开了一种双面石英鳍线太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板正反面的前侧鳍线与后侧鳍线；位于正面的所述肖特基二极管的一端与正面的前侧鳍线电连接，位于正面的所述肖特基二极管的另一端与正面的后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路使得射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单；且石英电路采用双面电路，在正反两面均放置反向串联的肖特基二极管，可提高倍频效率，提高输出功率。
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公开(公告)号：CN107124140B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201710393300.4
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种单面石英鳍线单二极管太赫兹平衡式二次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、反向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板上的前侧鳍线与后侧鳍线；所述肖特基二极管的一端与前侧鳍线电连接，所述肖特基二极管的另一端与后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路与传统平衡式倍频电路相比，输入输出波导过渡均采用鳍线过渡，使得射频输入输出波导可以在同一直线上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107040212B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201710392404.3
申请日：2017-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03B19/16
Abstract: 本发明公开了一种单面石英鳍线太赫兹平衡式三次倍频电路，涉及多重倍频变换电路技术领域。所述电路包括石英基板鳍线电路、两个同向串联的GaAs基太赫兹肖特基二极管、射频输入波导和射频输出波导，所述石英基板鳍线电路包括石英电路基板和位于石英电路基板上的前侧鳍线与后侧鳍线；两个所述肖特基二极管的一端与前侧鳍线电连接，两个所述肖特基二极管的另一端与后侧鳍线电连接，且所述肖特基二极管位于前侧鳍线与后侧鳍线间距离保持不变的位置处。所述电路的射频输入输出波导可以在同一直线上，方便电路人员设计，同时加工更为简单，并可以承受大功率输入，提高输出功率。
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公开(公告)号：CN112289791B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202011085015.4
申请日：2020-10-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L27/08 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件，属于半导体器件技术领域，包括多个同向并联的肖特基结。本发明提供的用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管，采用多个同向肖特基结并联的形式，进而增加总电容数值，提高电容测试精度，通过测试多个二极管电容的准确值，再进行线性拟合得到单结二极管的准确结电容。
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公开(公告)号：CN114584087A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210089557.1
申请日：2022-01-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供一种射频功率放大装置。该射频功率放大装置包括：功率放大模块、输入监控模块、热监控模块和输出监控模块；功率放大模块包括输入端、偏置端和输出端，用于对输入该功率放大模块的射频信号进行功率放大；输入监控模块适于与射频信号输入端连接，还与功率放大模块的输入端连接，用于确定功率放大模块是否输入射频信号；热监控模块适于与功率放大模块的偏置端连接，用于确定功率放大模块中有源器件的温度是否小于等于预设置的温度阈值；输出监控模块适于与功率放大模块的输出端连接，还与射频信号输出端连接，用于确定功率放大模块是否输出射频信号。本发明能够提高功率放大器工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN109659353B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201811477125.8
申请日：2018-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种低寄生电阻的肖特基二极管，属于半导体器件技术领域，包括金属阳极、金属阴极、N型半导体沟道和半导体重掺杂区，金属阳极与N型半导体沟道连接，形成肖特基结；金属阴极与半导体重掺杂区连接，形成欧姆接触；N型半导体沟道具有与半导体重掺杂区隔开的绝缘介质层，通过肖特基结的射频信号经连接部进入半导体重掺杂区，到达金属阴极。本发明提供的低寄生电阻的肖特基二极管，在保证N型半导体沟道与半导体重掺杂区连通的同时，采用绝缘介质层部分隔开N型半导体沟道与半导体重掺杂区，使得肖特基结的射频信号只能通过连接部位进入半导体重掺杂区，最终到达阴极，不需要通过未耗尽的N型半导体沟道，可以减小寄生电阻。
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公开(公告)号：CN109659353A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811477125.8
申请日：2018-12-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种低寄生电阻的肖特基二极管，属于半导体器件技术领域，包括金属阳极、金属阴极、N型半导体沟道和半导体重掺杂区，金属阳极与N型半导体沟道连接，形成肖特基结；金属阴极与半导体重掺杂区连接，形成欧姆接触；N型半导体沟道具有半导体重掺杂区隔开的绝缘介质层，通过肖特基结的射频信号经连接部进入半导体重掺杂区，到达金属阴极。本发明提供的低寄生电阻的肖特基二极管，在保证N型半导体沟道与半导体重掺杂区连通的同时，采用绝缘介质层部分隔开N型半导体沟道与半导体重掺杂区，使得肖特基结的射频信号只能通过连接部位进入半导体重掺杂区，最终到达阴极，不需要通过未耗尽的N型半导体沟道，可以减小寄生电阻。
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