公开(公告)号：CN115312387A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202211020575.0

申请日：2022-08-24

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 宋旭波 ,  冯志红 ,  吕元杰 ,  梁士雄 ,  张立森 ,  许婧 ,  游恒果 ,  刘帅 ,  刘京亮 ,  刘桢 ,  盛百城

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L29/872

Abstract: 本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种高频肖特基二极管及其制备方法，该制备方法包括：在重掺杂半导体层上制备轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层上制备导电层，导电层的宽度小于轻掺杂半导体层的宽度；在轻掺杂半导体层和导电层上表面制备预设形状的钝化层，钝化层未覆盖导电层的中部区域；对导电层进行湿法腐蚀，形成保护环，露出部分轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层的露出部分制备第一电极，第一电极、钝化层、保护环和轻掺杂半导体层之间形成空气腔；在重掺杂半导体层下表面形成第二电极。本申请的方法能够较容易实现寄生电容小，击穿电压高的肖特基二极管，提高工作频率和耐受功率，有效提升二极管器件的成品率和一致性。

公开(公告)号：CN111477612B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202010206725.1

申请日：2020-03-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 谭超 ,  王磊 ,  白锐 ,  白银超 ,  潘海波 ,  刘桢 ,  徐森锋 ,  马伟宾 ,  顾登宣 ,  范仁钰 ,  傅琦 ,  刘方罡 ,  张凤麒 ,  杨栋

IPC: H01L25/065

Abstract: 本发明提供了一种可调芯片，包括：堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片印制有基础电路，所述基础电路包含至少一级功能电路；所述第二芯片印制有至少一个调试电路，每个调试电路都对应一级功能电路；对于相互对应的功能电路与调试电路，所述功能电路的输出端与所述调试电路的输入端连接，所述功能电路的下级电路的输入端与所述调试电路的输出端连接。本发明提供的可调芯片能够在不改变芯片平面面积的同时实现对芯片性能的调整。

公开(公告)号：CN111477612A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN202010206725.1

申请日：2020-03-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 谭超 ,  王磊 ,  白锐 ,  白银超 ,  潘海波 ,  刘桢 ,  徐森锋 ,  马伟宾 ,  顾登宣 ,  范仁钰 ,  傅琦 ,  刘方罡 ,  张凤麒 ,  杨栋

IPC: H01L25/065

Abstract: 本发明提供了一种可调芯片，包括：堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片印制有基础电路，所述基础电路包含至少一级功能电路；所述第二芯片印制有至少一个调试电路，每个调试电路都对应一级功能电路；对于相互对应的功能电路与调试电路，所述功能电路的输出端与所述调试电路的输入端连接，所述功能电路的下级电路的输入端与所述调试电路的输出端连接。本发明提供的可调芯片能够在不改变芯片平面面积的同时实现对芯片性能的调整。