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公开(公告)号:CN111477612B
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN202010206725.1
申请日:2020-03-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/065
Abstract: 本发明提供了一种可调芯片,包括:堆叠集成的第一芯片和第二芯片;所述第一芯片印制有基础电路,所述基础电路包含至少一级功能电路;所述第二芯片印制有至少一个调试电路,每个调试电路都对应一级功能电路;对于相互对应的功能电路与调试电路,所述功能电路的输出端与所述调试电路的输入端连接,所述功能电路的下级电路的输入端与所述调试电路的输出端连接。本发明提供的可调芯片能够在不改变芯片平面面积的同时实现对芯片性能的调整。
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公开(公告)号:CN115784145A
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202211603551.8
申请日:2022-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种基于硅基微系统的三维封装方法,属于硅基微系统微组装技术领域,包括在掩膜版上制作预设闭环图形;在第一层硅基板的上表面上和/或第二层硅基板的下表面上,涂胶、光刻、显影,形成预设闭环图形;在第二层硅基板上刻蚀第一窗口;在预设闭环图形上先溅射种子层,再电镀,获得隔离环;第二层硅基板相对堆叠在第一层硅基板上,隔离环环绕第一窗口;在隔离环区域内涂胶,将芯片胶接在第一层硅基板上。本发明在芯片周围设置了隔离环,芯片涂覆导电胶胶接时,由于隔离环能够对导电胶的溢流起到阻挡的作用,使导电胶只能在隔离环内,避免了导电胶外溢与周围的信号孔或电路图形相连导致封装器件短路的问题。
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公开(公告)号:CN111477612A
公开(公告)日:2020-07-31
申请号:CN202010206725.1
申请日:2020-03-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L25/065
Abstract: 本发明提供了一种可调芯片,包括:堆叠集成的第一芯片和第二芯片;所述第一芯片印制有基础电路,所述基础电路包含至少一级功能电路;所述第二芯片印制有至少一个调试电路,每个调试电路都对应一级功能电路;对于相互对应的功能电路与调试电路,所述功能电路的输出端与所述调试电路的输入端连接,所述功能电路的下级电路的输入端与所述调试电路的输出端连接。本发明提供的可调芯片能够在不改变芯片平面面积的同时实现对芯片性能的调整。
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公开(公告)号:CN114852951A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202210269369.7
申请日:2022-03-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种W波段多通道收发系统及制备方法,属于微波及微电子封装技术领域,包括微型化封装发射子阵封装体,并设置第一SIW结构及第一波导转换结构;微型化封装得到接收子阵封装体,并设置第二SIW结构及第二波导转换结构;采用晶圆级键合工艺,将发射子阵封装体和接收子阵封装体进行堆叠封装,并使第一波导转换结构与第二波导转换结构上下垂直连通。本发明提供的W波段多通道收发系统,通过硅基MEMS三维异构集成工艺、微组装工艺,解决W波段多通道电路的高密度封装;同时在发射前端和接收前端设计波导转换结构,通过晶圆级键合,实现W波段信号在垂直方向高品质传输,提高W波段多通道收发系统的集成度。
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公开(公告)号:CN114597176A
公开(公告)日:2022-06-07
申请号:CN202210032539.X
申请日:2022-01-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/055
Abstract: 本发明提供了一种三维垂直互联陶瓷无引线封装管壳及封装器件,属于半导体封装技术领域,封装管壳包括第一平面陶瓷基板和三维陶瓷基板;其中,三维陶瓷基板包括第二平面陶瓷基板、围坝和导电柱,第二平面陶瓷基板与第一平面陶瓷基板相对立且间隔设置,第二平面陶瓷基板背离第一平面陶瓷基板的表面设有射频过渡焊盘,围坝和导电柱均连接于第二平面陶瓷基板和第一平面陶瓷基板之间,第一平面陶瓷基板、围坝和第二平面陶瓷基板共同围合形成用以封装芯片的封装空腔;通过第一平面陶瓷基板、导电柱、第二平面陶瓷基板、射频过渡焊盘、芯片构成三维垂直互联的信号传输路径。如此实现了信号的三维垂直互联,能够满足瓦片式T/R组件小型化的发展趋势。
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公开(公告)号:CN114852951B
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202210269369.7
申请日:2022-03-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种W波段多通道收发系统及制备方法,属于微波及微电子封装技术领域,包括微型化封装发射子阵封装体,并设置第一SIW结构及第一波导转换结构;微型化封装得到接收子阵封装体,并设置第二SIW结构及第二波导转换结构;采用晶圆级键合工艺,将发射子阵封装体和接收子阵封装体进行堆叠封装,并使第一波导转换结构与第二波导转换结构上下垂直连通。本发明提供的W波段多通道收发系统,通过硅基MEMS三维异构集成工艺、微组装工艺,解决W波段多通道电路的高密度封装;同时在发射前端和接收前端设计波导转换结构,通过晶圆级键合,实现W波段信号在垂直方向高品质传输,提高W波段多通道收发系统的集成度。
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公开(公告)号:CN219297149U
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202223357456.2
申请日:2022-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: B81B7/00
Abstract: 本实用新型提供了一种基于硅基微系统的三维封装结构,属于硅基微系统微组装技术领域,包括第一层硅基板以及第二层硅基板,第一层硅基板上设有功能元件胶接区;第二层硅基板设置于第一层硅基板的上面,第二层硅基板上设有用于避让功能元件的第一窗口,第一窗口的尺寸大于功能元件胶接区的尺寸;其中,第一层硅基板或/和第二层硅基板上设有隔离环,隔离环环绕在第一窗口的外围,且连接在第一层硅基板与第二层硅基板之间。本实用新型在芯片周围设置了隔离环,芯片涂覆导电胶胶接时,由于隔离环能够对导电胶的溢流起到阻挡的作用,使导电胶只能在隔离环内,避免了导电胶外溢与周围的信号孔或电路图形相连导致封装器件短路的问题。
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