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公开(公告)号：CN114613751B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210198450.0
申请日：2022-03-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/552 , H01L23/373 , H01L23/538 , H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种大功率立体堆叠三维集成射频前端微系统，所述射频前端微系统为立体堆叠结构，所述立体堆叠结构包括下SiP和上SiP，所述下SiP与上SiP之间通过球栅阵列封装BGA或SMD实现信号互联，所述射频前端微系统信号输出通过下SiP的下底面以BGA或SMD的形式完成；所述下SiP与上SiP分别包括若干介质层，各介质层的上下表面均生长有金属布线层，各介质层通过晶圆级键合的方式完成堆叠与密封，各介质层间通过金属化介质通孔完成信号垂直互连；所述下SiP与上SiP中通过对各层介质的选择性刻蚀与晶圆级键合形成供器件异构掩埋的若干独立微腔。该射频前端微系统具有集成度高、体积小、重量轻、通用性强的优点。
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公开(公告)号：CN114852951A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210269369.7
申请日：2022-03-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种W波段多通道收发系统及制备方法，属于微波及微电子封装技术领域，包括微型化封装发射子阵封装体，并设置第一SIW结构及第一波导转换结构；微型化封装得到接收子阵封装体，并设置第二SIW结构及第二波导转换结构；采用晶圆级键合工艺，将发射子阵封装体和接收子阵封装体进行堆叠封装，并使第一波导转换结构与第二波导转换结构上下垂直连通。本发明提供的W波段多通道收发系统，通过硅基MEMS三维异构集成工艺、微组装工艺，解决W波段多通道电路的高密度封装；同时在发射前端和接收前端设计波导转换结构，通过晶圆级键合，实现W波段信号在垂直方向高品质传输，提高W波段多通道收发系统的集成度。
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公开(公告)号：CN114039183B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111154776.5
申请日：2021-09-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01P5/103
Abstract: 本发明提供了一种共面波导‑矩形波导转换器，属于毫米波技术领域，包括包括依次叠设的第一金属接地板、第一介质基板、第二金属接地板、第二介质基板、第三金属接地板和矩形波导；其中，第一金属接地板、第一介质基板、第二金属接地板及对应的金属通孔组成绕双平行缝隙线的第一台阶过渡腔，第一金属接地板、第一介质基板、第二介质基板、第三金属接地板及对应的金属通孔组成绕矩形缝隙的谐振腔，第二金属接地板、第二介质基板、第三金属接地板及对应的金属通孔组成绕矩形电磁窗口的第二台阶过渡腔。如此可以有效地拓宽工作频带，减少损耗，抑制非预期的传输模式和频率，提升转换效率，整体转换结构体积较小，可以方便地集成在微带电路系统中。
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公开(公告)号：CN107331925A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710401343.2
申请日：2017-05-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明公开了一种陷波器芯片，涉及集成电路技术领域；包括衬底；还包括制作在衬底上的传输微带线X1、滤波微带线X2、滤波微带线X3、扇形线S1和扇形线S2；信号输入端输入信号分成两路，信号输入端第一路连接传输微带线X1输入端，信号输入端第二路连接滤波微带线X2输入端，滤波微带线X2输出端与扇形线S1相连；传输微带线X1输出端输出信号分成两路，传输微带线X1输出端一路连接信号输出端，传输微带线X1输出端另一路连接滤波微带线X3输入端，滤波微带线X3输出端与扇形线S2相连；耐功率能力大幅提升，适用于大功率陷波器，带内插损可小于0.5dB，满足工程化应用。
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公开(公告)号：CN114852951B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210269369.7
申请日：2022-03-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种W波段多通道收发系统及制备方法，属于微波及微电子封装技术领域，包括微型化封装发射子阵封装体，并设置第一SIW结构及第一波导转换结构；微型化封装得到接收子阵封装体，并设置第二SIW结构及第二波导转换结构；采用晶圆级键合工艺，将发射子阵封装体和接收子阵封装体进行堆叠封装，并使第一波导转换结构与第二波导转换结构上下垂直连通。本发明提供的W波段多通道收发系统，通过硅基MEMS三维异构集成工艺、微组装工艺，解决W波段多通道电路的高密度封装；同时在发射前端和接收前端设计波导转换结构，通过晶圆级键合，实现W波段信号在垂直方向高品质传输，提高W波段多通道收发系统的集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116127898A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310004788.2
申请日：2023-01-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G06F30/39
Abstract: 本发明实施例涉及硅基MEMS版图设计技术领域，公开了一种版图自动布孔方法、装置和终端设备。上述版图自动布孔方法包括：根据预设孔间距和待布孔区域面积，计算得到待布孔数量；根据待布孔数量，确定待布孔区域内的布孔坐标，其中，待布孔区域为版图上具有金属图形的区域；基于布孔坐标，调用接口程序在待布孔区域上进行布孔。通过计算算法自动确定待布孔坐标，有效避免了版图设计中设计人员手动布孔造成的布孔误差率高，布孔速度慢等问题，实现了自动化适应性布孔，大大提升了版图设计效率。
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公开(公告)号：CN115784145A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211603551.8
申请日：2022-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种基于硅基微系统的三维封装方法，属于硅基微系统微组装技术领域，包括在掩膜版上制作预设闭环图形；在第一层硅基板的上表面上和/或第二层硅基板的下表面上，涂胶、光刻、显影，形成预设闭环图形；在第二层硅基板上刻蚀第一窗口；在预设闭环图形上先溅射种子层，再电镀，获得隔离环；第二层硅基板相对堆叠在第一层硅基板上，隔离环环绕第一窗口；在隔离环区域内涂胶，将芯片胶接在第一层硅基板上。本发明在芯片周围设置了隔离环，芯片涂覆导电胶胶接时，由于隔离环能够对导电胶的溢流起到阻挡的作用，使导电胶只能在隔离环内，避免了导电胶外溢与周围的信号孔或电路图形相连导致封装器件短路的问题。
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公开(公告)号：CN114613751A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210198450.0
申请日：2022-03-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/552 , H01L23/373 , H01L23/538 , H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种大功率立体堆叠三维集成射频前端微系统，所述射频前端微系统为立体堆叠结构，所述立体堆叠结构包括下SiP和上SiP，所述下SiP与上SiP之间通过球栅阵列封装BGA或SMD实现信号互联，所述射频前端微系统信号输出通过下SiP的下底面以BGA或SMD的形式完成；所述下SiP与上SiP分别包括若干介质层，各介质层的上下表面均生长有金属布线层，各介质层通过晶圆级键合的方式完成堆叠与密封，各介质层间通过金属化介质通孔完成信号垂直互连；所述下SiP与上SiP中通过对各层介质的选择性刻蚀与晶圆级键合形成供器件异构掩埋的若干独立微腔。该射频前端微系统具有集成度高、体积小、重量轻、通用性强的优点。
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公开(公告)号：CN114039183A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111154776.5
申请日：2021-09-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01P5/103
Abstract: 本发明提供了一种共面波导‑矩形波导转换器，属于毫米波技术领域，包括包括依次叠设的第一金属接地板、第一介质基板、第二金属接地板、第二介质基板、第三金属接地板和矩形波导；其中，第一金属接地板、第一介质基板、第二金属接地板及对应的金属通孔组成绕双平行缝隙线的第一台阶过渡腔，第一金属接地板、第一介质基板、第二介质基板、第三金属接地板及对应的金属通孔组成绕矩形缝隙的谐振腔，第二金属接地板、第二介质基板、第三金属接地板及对应的金属通孔组成绕矩形电磁窗口的第二台阶过渡腔。如此可以有效地拓宽工作频带，减少损耗，抑制非预期的传输模式和频率，提升转换效率，整体转换结构体积较小，可以方便地集成在微带电路系统中。
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公开(公告)号：CN219297149U
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202223357456.2
申请日：2022-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: B81B7/00
Abstract: 本实用新型提供了一种基于硅基微系统的三维封装结构，属于硅基微系统微组装技术领域，包括第一层硅基板以及第二层硅基板，第一层硅基板上设有功能元件胶接区；第二层硅基板设置于第一层硅基板的上面，第二层硅基板上设有用于避让功能元件的第一窗口，第一窗口的尺寸大于功能元件胶接区的尺寸；其中，第一层硅基板或/和第二层硅基板上设有隔离环，隔离环环绕在第一窗口的外围，且连接在第一层硅基板与第二层硅基板之间。本实用新型在芯片周围设置了隔离环，芯片涂覆导电胶胶接时，由于隔离环能够对导电胶的溢流起到阻挡的作用，使导电胶只能在隔离环内，避免了导电胶外溢与周围的信号孔或电路图形相连导致封装器件短路的问题。
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