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公开(公告)号:CN117954852A
公开(公告)日:2024-04-30
申请号:CN202410225933.4
申请日:2024-02-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种相控阵天线封装结构,属于通讯雷达技术领域,包括PCB母板、多个双层TR器件以及天线板,多个双层TR器件呈矩阵间隔排布,天线板通过多个螺钉连接在多个双层TR器件的上方,多个双层TR器件焊接在PCB母板的上端面,任一双层TR器件与天线板之间均设有多个主毛纽扣。改良了天线与TR器件的连接方式,优化了装配方式,实现一整块天线板无需分割便可与多个TR器件同时连接,消除了传统封装结构中天线板之间间隙,增大了天线的反射板面积,使性能进一步提高。同时TR器件之间及TR器件与母板之间采用BGA焊点进行连接,集成度进一步增加,体积进一步减小。
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公开(公告)号:CN116314087A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202310004786.3
申请日:2023-01-03
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/538 , H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种三维集成结构射频电路及其制备方法。该射频电路包括:自上至下依次层叠的多个射频芯片。各射频芯片包括基板层,设于基板层上表面的电路层,设于基板层下表面的再布线层。基板层内部设有贯穿基板层的垂直金属通孔,垂直金属通孔连接电路层和再布线层。第二层至最底层射频芯片的电路层上设有互连凸点。两层射频芯片之间的再布线层包括第一端和第二端,其中,第一端连接垂直金属通孔的下端,第二端连接下层射频芯片的电路层上的互连凸点。本发明能够通过将各硅基射频芯片和化合物射频芯片层叠,通过设于层间的再布线层和互连凸点实现层间连接,实现硅基射频芯片和化合物射频芯片的三维集成。减少了射频电路集成结构尺寸。
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公开(公告)号:CN115453473A
公开(公告)日:2022-12-09
申请号:CN202211130688.6
申请日:2022-09-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01S7/40
Abstract: 本发明提供了一种KU波段TR组件的测试工装及组装方法,属于通信技术领域,包括:底座、低频电连接器、集束固定块以及射频电缆,底座设有若干测试连通孔;低频电连接器一一对应的插设于各测试连通孔内;集束固定块固设于底座上;射频电缆的数量为多个,且与部分低频电连接器连接。本发明提供的KU波段TR组件的测试工装,利用底座为低频电连接器提供支撑,并利用集束固定块为射频电缆提供连接支撑,射频电缆通过低频电连接器与TR组件连接,连接可靠稳定,且连接方便,能够提升TR组件测试的稳定性。
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公开(公告)号:CN114613751A
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN202210198450.0
申请日:2022-03-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/552 , H01L23/373 , H01L23/538 , H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种大功率立体堆叠三维集成射频前端微系统,所述射频前端微系统为立体堆叠结构,所述立体堆叠结构包括下SiP和上SiP,所述下SiP与上SiP之间通过球栅阵列封装BGA或SMD实现信号互联,所述射频前端微系统信号输出通过下SiP的下底面以BGA或SMD的形式完成;所述下SiP与上SiP分别包括若干介质层,各介质层的上下表面均生长有金属布线层,各介质层通过晶圆级键合的方式完成堆叠与密封,各介质层间通过金属化介质通孔完成信号垂直互连;所述下SiP与上SiP中通过对各层介质的选择性刻蚀与晶圆级键合形成供器件异构掩埋的若干独立微腔。该射频前端微系统具有集成度高、体积小、重量轻、通用性强的优点。
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公开(公告)号:CN110112523A
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201910407319.9
申请日:2019-05-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本申请适用于半导体技术领域,提供了一种微同轴结构、微同轴结构的制备方法及微型同轴线,其中微同轴结构包括:通过金属层键合的第一基片和第二基片;贯穿所述第一基片和所述第二基片的通孔阵列;位于所述第一基片的键合面一侧的第一空气槽和位于所述第二基片的键合面一侧的第二空气槽形成的空气腔体结构,所述空气腔体结构为至少两个;覆盖在所述第一基片的第一面、所述第二基片的第一面和所述通孔阵列中通孔内壁的金属层,所述第一基片的第一面为与所述第一基片的键合面背向设置的一面;所述第二基片的第一面为与所述第二基片的键合面背向设置的一面。上述微同轴结构的损耗较低、隔离度较高。
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公开(公告)号:CN114613751B
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN202210198450.0
申请日:2022-03-01
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L23/552 , H01L23/373 , H01L23/538 , H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种大功率立体堆叠三维集成射频前端微系统,所述射频前端微系统为立体堆叠结构,所述立体堆叠结构包括下SiP和上SiP,所述下SiP与上SiP之间通过球栅阵列封装BGA或SMD实现信号互联,所述射频前端微系统信号输出通过下SiP的下底面以BGA或SMD的形式完成;所述下SiP与上SiP分别包括若干介质层,各介质层的上下表面均生长有金属布线层,各介质层通过晶圆级键合的方式完成堆叠与密封,各介质层间通过金属化介质通孔完成信号垂直互连;所述下SiP与上SiP中通过对各层介质的选择性刻蚀与晶圆级键合形成供器件异构掩埋的若干独立微腔。该射频前端微系统具有集成度高、体积小、重量轻、通用性强的优点。
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公开(公告)号:CN114852951A
公开(公告)日:2022-08-05
申请号:CN202210269369.7
申请日:2022-03-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种W波段多通道收发系统及制备方法,属于微波及微电子封装技术领域,包括微型化封装发射子阵封装体,并设置第一SIW结构及第一波导转换结构;微型化封装得到接收子阵封装体,并设置第二SIW结构及第二波导转换结构;采用晶圆级键合工艺,将发射子阵封装体和接收子阵封装体进行堆叠封装,并使第一波导转换结构与第二波导转换结构上下垂直连通。本发明提供的W波段多通道收发系统,通过硅基MEMS三维异构集成工艺、微组装工艺,解决W波段多通道电路的高密度封装;同时在发射前端和接收前端设计波导转换结构,通过晶圆级键合,实现W波段信号在垂直方向高品质传输,提高W波段多通道收发系统的集成度。
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公开(公告)号:CN114852951B
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202210269369.7
申请日:2022-03-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种W波段多通道收发系统及制备方法,属于微波及微电子封装技术领域,包括微型化封装发射子阵封装体,并设置第一SIW结构及第一波导转换结构;微型化封装得到接收子阵封装体,并设置第二SIW结构及第二波导转换结构;采用晶圆级键合工艺,将发射子阵封装体和接收子阵封装体进行堆叠封装,并使第一波导转换结构与第二波导转换结构上下垂直连通。本发明提供的W波段多通道收发系统,通过硅基MEMS三维异构集成工艺、微组装工艺,解决W波段多通道电路的高密度封装;同时在发射前端和接收前端设计波导转换结构,通过晶圆级键合,实现W波段信号在垂直方向高品质传输,提高W波段多通道收发系统的集成度。
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公开(公告)号:CN117713958A
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN202311737101.2
申请日:2023-12-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H04B17/15
Abstract: 本申请适用于半导体分立器件测试技术领域,提供了波导传输的功放模块测试装置和方法。该装置包括:安装组件放置功放模块,设置有与功放模块的针排对应的插座,将功放模块的非标波导传输口经仿真后转换成标准波导传输口;转换组件位于安装组件下方,设有多个射频信号传输通道,该多个射频信号传输通道的一端位于转换组件的中部、另一端位于所述转换组件的边缘,每个射频信号传输通道对应一个标准波导传输口;加电组件设置于安装组件上,能够将放置在安装组件上的功放模块压紧使得功放模块的针排与插座连接,为功放模块供电。本申请能够提高对功放模块的测试效率和测试稳定性。
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公开(公告)号:CN106384876B
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN201611064250.7
申请日:2016-11-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种宽带空气介质天线单元,涉及毫米波天线技术领域,该天线单元包括第一基片、第二基片和第三基片,第一基片和第三基片为硅基片,第二基片为高阻硅基片,在第一基片上开有第一辐射槽和第二辐射槽,在第一基片上还开有探针槽,在第一基片和第三基片的外表面敷设有金属,在第二基片上设有基片集成波导和贴片结构,贴片结构的上表面设有金属片,在第二基片上表面刻有共面波导馈电电路,在第二基片上还设有通孔,第二基片的上下表面和通孔内壁敷设有金属,第一辐射槽和第二辐射槽由空气介质填充的基片集成波导激励,基片集成波导由贴片结构激励。该天线单元具有宽带、低损耗、低剖面、易于集成的特点。
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