公开(公告)号：CN109693054A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811242303.9

申请日：2018-10-24

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 近藤茂喜 ,  土屋政人 ,  须藤皓纪 ,  川崎浩由 ,  六本木贵弘 ,  相马大辅 ,  佐藤勇

IPC分类号： B23K35/26 ,  H01L21/60 ,  C22C13/02 ,  C25D3/56

摘要： 芯材料和钎焊接头和凸块电极的形成方法。提供软钎料镀覆层中的Sb均匀、Sb浓度比成为规定范围内的芯材料。芯材料在芯(12)表面镀覆覆膜有包含Sn和Sb的(Sn-Sb)系软钎料合金，软钎料镀覆层(16)中的Sb以规定范围的浓度比率分布于软钎料镀覆层中，Sb以浓度比率为70.0～125.0％的规定范围分布于软钎料镀覆层中。软钎料镀覆层中的Sb均匀，因此在包括软钎料镀覆层中的内周侧、外周侧在内其整个区域Sb浓度比率处于规定范围。因此不会产生内周侧比外周侧先熔融，在内周侧与外周侧产生体积膨胀差而芯材料被弹飞的情况。软钎料镀覆层整体几乎均匀地熔融，因此不会产生由熔融时机的偏差而认为产生的芯材料的位置偏移，没有伴随着位置偏移等的电极间的短路等的担心。

公开(公告)号：CN109641324A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780005681.2

申请日：2017-12-27

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 鬼塚基泰 ,  仓泽阳子 ,  久木俊尚 ,  川崎浩由

IPC分类号： B23K35/363 ,  B23K35/14 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00

摘要： 本发明的目的在于提供：焊料使用时的焊剂和焊料的飞散得到抑制的树脂心焊料或焊剂皮焊料，和它们所包含的焊剂。本发明的树脂心焊料用或焊剂皮焊料用焊剂的特征在于，含有松香系树脂和活性剂，还含有相对于焊剂的总质量为0.1～3质量%的以下成分：重均分子量为8000～100000的选自丙烯酸类聚合物和乙烯基醚聚合物的至少1种以上。

公开(公告)号：CN108296673B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201810030219.4

申请日：2018-01-12

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 川中子知久 ,  平冈美幸 ,  西崎贵洋 ,  児岛直克 ,  川崎浩由

IPC分类号： B23K35/363

摘要： 提供：以转印至焊料球的助焊剂为前提、无需利用有机系清洗剂进行清洗的助焊剂。助焊剂的特征在于，含有：50质量％以上且90质量％以下的2,4‑二乙基‑1,5‑戊二醇，超过0质量％且低于50质量％的溶剂和1质量％以上且15质量％以下的有机酸，不含有松香，以83质量％以上且99质量％以下含有2,4‑二乙基‑1,5‑戊二醇与溶剂的总计。

公开(公告)号：CN108698173B

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201780011762.3

申请日：2017-02-16

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 丸子大介 ,  高桥淳美 ,  川崎浩由

IPC分类号： B23K35/363

摘要： 提供：对于如以往的助焊剂中会产生软钎料的锡桥那样狭小的间距的电极能抑制锡桥的助焊剂。助焊剂的特征在于，含有：15质量％以上且35质量％以下的聚氧亚烷基乙二胺、2质量％以上且15质量％以下的有机酸、10质量％以上且30质量％以下的基材、3质量％以上且30质量％以下的胺、20质量％以上且40质量％以下的溶剂。

公开(公告)号：CN108296673A

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201810030219.4

申请日：2018-01-12

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 川中子知久 ,  平冈美幸 ,  西崎贵洋 ,  児岛直克 ,  川崎浩由

IPC分类号： B23K35/363

CPC分类号： B23K35/362 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3612 ,  H05K3/3489

摘要： 提供：以转印至焊料球的助焊剂为前提、无需利用有机系清洗剂进行清洗的助焊剂。助焊剂的特征在于，含有：50质量％以上且90质量％以下的2,4-二乙基-1,5-戊二醇，超过0质量％且低于50质量％的溶剂和1质量％以上且15质量％以下的有机酸，不含有松香，以83质量％以上且99质量％以下含有2,4-二乙基-1,5-戊二醇与溶剂的总计。

公开(公告)号：CN105980087B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201480074919.3

申请日：2014-02-04

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 川崎浩由 ,  六本木贵弘 ,  相马大辅 ,  佐藤勇

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F9/08 ,  B22F9/14 ,  B23K35/14 ,  H01L21/60 ,  B23K1/00

CPC分类号： B23K35/0244 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/025 ,  B22F9/08 ,  B22F9/082 ,  B22F9/14 ,  B22F2009/0848 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/15 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K3/0623 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  B23K2101/42 ,  C22C9/00 ,  C22C19/03 ,  C22F1/08 ,  C22F1/10 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/556 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13179 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13183 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/132 ,  H01L2224/13211 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13305 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13317 ,  H01L2224/13318 ,  H01L2224/1332 ,  H01L2224/13323 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13338 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13349 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13357 ,  H01L2224/1336 ,  H01L2224/13363 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13366 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1337 ,  H01L2224/13371 ,  H01L2224/13372 ,  H01L2224/13373 ,  H01L2224/13376 ,  H01L2224/13378 ,  H01L2224/13379 ,  H01L2224/1338 ,  H01L2224/13381 ,  H01L2224/13383 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K2203/041 ,  B22F2202/13 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01069 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01004

摘要： 制造抑制了所释放的α射线量的金属球。包括如下工序：将纯金属在比作为去除对象的杂质的沸点高、比纯金属的熔点高、且比纯金属的沸点低的温度下进行加热而使纯金属熔融的工序；将熔融的纯金属造球成为球状的工序，其中，该纯金属与在纯金属所含的杂质中作为去除对象的杂质的对应于气压的沸点相比具有更高的沸点，U的含量为5ppb以下，Th的含量为5ppb以下，纯度为99.9％以上且99.995％以下，Pb或Bi中任一者的含量、或者Pb和Bi的总量为1ppm以上。

公开(公告)号：CN106029260B

公开(公告)日：2018-05-18

申请号：CN201480074929.7

申请日：2014-02-04

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 川崎浩由 ,  六本木贵弘 ,  相马大辅 ,  佐藤勇

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B23K35/14 ,  B23K35/22 ,  B23K35/30 ,  C22B15/14 ,  C22C9/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  C25D7/00

CPC分类号： B23K35/0244 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/02 ,  B22F1/025 ,  B23K35/025 ,  B23K35/22 ,  B23K35/302 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  C25D7/00

摘要： 提供耐落下冲击强且能够抑制接合不良等产生的Cu球、Cu芯球、钎焊接头、焊膏和成形焊料。电子部件(60)是通过用焊膏(12)、(42)接合半导体芯片(10)的焊料凸块(30)和印刷基板(40)的电极(41)而构成的。焊料凸块(30)是通过在半导体芯片(10)的电极(11)上接合Cu球(20)而形成的。本发明的Cu球(20)的纯度为99.9％以上且99.995％以下，球形度为0.95以上，维氏硬度为20HV以上且60HV以下。

公开(公告)号：CN107097014A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201610835984.4

申请日：2015-01-28

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 川崎浩由 ,  六本木贵弘 ,  相马大辅 ,  佐藤勇

IPC分类号： B23K35/26 ,  B23K35/30 ,  B22F9/08 ,  B22F1/02 ,  B23K35/02 ,  C22C9/00 ,  C22C13/00 ,  C25D3/60 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D7/00 ,  H01B1/02 ,  H01L23/00 ,  H05K3/34

CPC分类号： C25D3/60 ,  B22F1/025 ,  B22F9/08 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/30 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/30 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  C22C9/00 ,  C22C13/00 ,  C25D3/30 ,  C25D5/12 ,  C25D5/20 ,  F16B5/08 ,  H01B1/02 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15321 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0218 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00 ,  C25D5/10 ,  C25D7/00

摘要： 本发明涉及Cu芯球的制造方法。本发明的Cu芯球的制造方法具备：提供作为核的Cu球的阶段，该Cu球是纯度为99.9％以上且99.995％以下、U为5ppb以下的含量且Th为5ppb以下的含量、Pb和/或Bi的总含量为1ppm以上、球形度为0.95以上、α射线量为0.0200cph/cm2以下的Cu球；提供覆盖所述Cu球的表面的焊料镀覆膜的阶段，所述焊料镀覆膜为Sn焊料镀覆膜或由以Sn作为主要成分的无铅焊料合金形成的焊料镀覆膜，对Cu芯球进行平滑化处理的阶段，该阶段中，通过在将Cu芯球浸渍于镀液的状态下照射超声波来对Cu芯球进行平滑化处理，使所述Cu芯球的算术平均表面粗糙度为0.3μm以下。

公开(公告)号：CN105980086A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201480074896.6

申请日：2014-02-04

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 川崎浩由 ,  赤川隆 ,  小池田佑一 ,  池田笃史 ,  佐佐木优 ,  六本木贵弘 ,  相马大辅 ,  佐藤勇

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  B23K35/14 ,  B23K35/22 ,  B23K35/30 ,  C22B23/06 ,  C22C19/03 ,  C22F1/00 ,  C22F1/10 ,  C25D7/00

CPC分类号： B22F1/02 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/0074 ,  B22F2301/15 ,  B22F2302/45 ,  B23K35/025 ,  B23K35/22 ,  B23K35/262 ,  B23K35/3033 ,  B23K35/3612 ,  B23K35/3616 ,  B23K35/362 ,  C22C1/0425 ,  C22C19/03 ,  C22F1/00 ,  C22F1/10 ,  C25D7/00

摘要： 提供耐落下冲击强且能够抑制接合不良等产生的Ni球、Ni芯球、钎焊接头、焊膏和成形焊料。电子部件(60)是通过用焊膏(12)、(42)接合半导体芯片(10)的焊料凸块(30)和印刷基板(40)的电极(41)而构成的。焊料凸块(30)是通过在半导体芯片(10)的电极(11)上接合焊料球(20)而形成的。本发明的(20)的纯度为99.9％以上且99.995％以下，球形度为0.90以上，维氏硬度为20以上且90HV以下。

公开(公告)号：CN105745043A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201380081022.9

申请日：2013-09-19

申请人： 千住金属工业株式会社

发明人： 仓田良一 ,  赤川隆 ,  川崎浩由

IPC分类号： B22F1/00 ,  B23K35/14 ,  B23K35/22 ,  B23K35/30 ,  B23K35/40 ,  C22C19/03 ,  C22F1/00 ,  C22F1/10 ,  C22C13/00

CPC分类号： C22C19/03 ,  B22F1/0011 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/025 ,  B22F9/082 ,  B22F2009/0824 ,  B22F2009/0848 ,  B22F2301/15 ,  B22F2301/30 ,  B22F2304/10 ,  B22F2304/15 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/22 ,  B23K35/262 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3033 ,  B23K35/36 ,  B23K35/40 ,  B32B15/01 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  C22C19/00 ,  C22C19/058 ,  C22C30/04 ,  C22F1/00 ,  C22F1/10

摘要： 提供即使含有一定量以上的Ni以外的杂质元素也α射线量少且球形度高的Ni球。为了抑制软错误、减少连接不良，将U的含量设为5ppb以下，将Th的含量设为5ppb以下，将纯度设为99.9％以上且99.995％以下，将α射线量设为0.0200cph/cm2以下，将Pb或Bi中任一者的含量、或者Pb和Bi的总含量设为1ppm以上，将球形度设为0.90以上。