公开(公告)号：CN107026088B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201710063704.7

申请日：2017-02-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴起宽 ,  刘庭均 ,  金基一 ,  成石铉 ,  严命允

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括由其面对的末端之间的第一沟槽分开的第一鳍式图案和第二鳍式图案，形成填充第一沟槽的第一绝缘层，去除第一绝缘层的一部分以在第一绝缘层上形成第二沟槽，以及通过增大第二沟槽的宽度形成第三沟槽。

公开(公告)号：CN107068671B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201610950591.8

申请日：2016-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奇奂 ,  朴起宽 ,  刘庭均 ,  申东石 ,  金辰昱

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

Abstract: 一种半导体装置包括从基板向上突出的第一和第二有源图案、交叉第一和第二有源图案且在第一方向上延伸的栅电极、在第一有源图案上且在栅电极的至少一侧的第一源极/漏极区域、以及在第二有源图案上且在栅电极的至少一侧的第二源极/漏极区域。第一和第二源极/漏极区域具有彼此不同的导电类型，并且第二源极/漏极区域具有与所述第二有源图案的顶表面接触的底表面，并且第二源极/漏极区域的底表面的高度低于第一源极/漏极区域的与第一有源图案的顶表面接触的底表面。第一有源图案具有小于第二有源图案的第二宽度的第一宽度。

公开(公告)号：CN106960870B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201710017972.5

申请日：2017-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金辅淳 ,  金炫知 ,  李正允 ,  朴起宽 ,  朴商德 ,  吴怜默 ,  李庸硕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种能够通过变化地调整具有环栅结构的晶体管的阈值电压来提高装置性能的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一布线图案，设置在基底的第一区域上并且与基底分隔开；第二布线图案，设置在基底的第二区域上并且与基底分隔开；第一栅极绝缘膜，围绕第一布线图案的周边；第二栅极绝缘膜，围绕第二布线图案的周边；第一栅电极，设置在第一栅极绝缘膜上，与第一布线图案交叉，并且包括在其内的第一金属氧化物膜；第二栅电极，设置在第二栅极绝缘膜上并且与第二布线图案交叉；第一栅极间隔件，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极间隔件，位于第二栅电极的侧壁上。

公开(公告)号：CN107017283B

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201610825443.3

申请日：2016-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基一 ,  刘庭均 ,  朴起宽

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件可以包括在基板上的场绝缘膜以及在基板上的具有特殊材料的鳍型图案，该鳍型图案具有第一侧壁和相反的第二侧壁。鳍型图案可以包括鳍型图案的从场绝缘膜的上表面突出的第一部分以及鳍型图案的设置在第一部分上的第二部分。鳍型图案的第三部分可以设置在第二部分上，在该处第三部分可以被鳍型图案的顶部倒圆表面覆盖，并且第一侧壁可以具有跨越第一、第二和第三部分的起伏轮廊。

公开(公告)号：CN111785688A

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN202010589566.8

申请日：2017-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镛国 ,  朴起宽

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L27/11 ,  H01L21/8244

Abstract: 本公开提供了制造集成电路器件的方法。一种制造集成电路器件的方法包括：在基板的第一区域中形成第一鳍型有源区以及在所述基板的第二区域中形成第二鳍型有源区；在所述基板上形成间隔物层，所述间隔物层覆盖所述第一鳍型有源区和所述第二鳍型有源区；以及蚀刻所述间隔物层、所述第一鳍型有源区和所述第二鳍型有源区以同时形成所述第一鳍型有源区上的第一凹陷、所述第二鳍型有源区上的第二凹陷以及第一鳍绝缘间隔物，所述第一鳍绝缘间隔物是所述间隔物层的第一剩余部分，该第一剩余部分覆盖所述第一凹陷下面的所述第一鳍型有源区的侧壁。

公开(公告)号：CN107968119A

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201710217824.8

申请日：2017-04-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东灿 ,  卓容奭 ,  朴起宽 ,  朴美善 ,  梁炆承 ,  李承勋 ,  P.唐

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L23/5283 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/4232

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件至少包括第一线图案、栅电极、半导体图案、栅绝缘层和第一间隔物。第一线图案在衬底上并与衬底分隔开。栅电极围绕第一线图案并交叉第一线图案。半导体图案在第一线图案的两侧，并且半导体图案包括交叠第一线图案的部分。栅绝缘层设置在栅电极与第一线图案之间，并且栅绝缘层围绕第一线图案。第一间隔物在第一线图案与衬底之间，并且第一间隔物在栅绝缘层与半导体图案之间。

公开(公告)号：CN107527911A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710469526.8

申请日：2017-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东灿 ,  朴起宽 ,  金东宇 ,  申东石

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：包括第一区和第二区的衬底；鳍型有源区域，其在第一区和第二区的每个中在远离衬底的第一方向上延伸；平行于鳍型有源区域的上表面延伸并与鳍型有源区域的上表面间隔开的多个纳米片；栅极，其在交叉第一方向的第二方向上在鳍型有源区域之上延伸；栅极电介质层，其被插置在栅极与每个纳米片之间；第一区中包括的第一源极和漏极区以及第二区中包括的第二源极和漏极区；以及绝缘间隔物，其被插置在鳍型有源区域与纳米片之间，其中空气间隔物被插置在绝缘间隔物与第一源极和漏极区之间。

公开(公告)号：CN107342324A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710286328.8

申请日：2017-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴美善 ,  朴起宽 ,  李泰宗 ,  卓容奭 ,  朴起演

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853 ,  H01L21/28247 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件包括：在衬底上的有源鳍、在有源鳍上的栅结构、直接在栅结构的侧壁上的栅间隔物结构、以及在有源鳍的与栅间隔物结构相邻的部分上的源极/漏极层。栅间隔物结构包括顺序堆叠的硅碳氮氧化物(SiOCN)图案和二氧化硅(SiO2)图案。

公开(公告)号：CN107170741A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710130993.8

申请日：2017-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  严命允 ,  车东镐 ,  刘庭均 ,  朴起宽

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7854 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846 ,  H01L21/823481

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区延伸成一行；以及在鳍分离区中的鳍分离绝缘结构，其中所述一对鳍形有源区包括第一鳍形有源区，第一鳍形有源区具有限定部分的鳍分离区的第一拐角，并且其中鳍分离绝缘结构包括：下绝缘图案，覆盖所述一对鳍形有源区的侧壁；以及上绝缘图案，在下绝缘图案上以覆盖第一拐角的至少部分，上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。

公开(公告)号：CN107068680A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201710063574.7

申请日：2017-02-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  李泰宗 ,  金泫升 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  朴起宽 ,  朴美善

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及集成电路器件。一种集成电路器件包括：在衬底的有源区上的栅线；在栅线两侧于有源区中的一对源/漏区域；在所述对源/漏区域当中的至少一个源/漏区域上的接触插塞；以及在栅线和接触插塞之间的多层结构绝缘间隔物。多层结构绝缘间隔物可以包括：氧化物层；第一含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于栅线的第一表面；以及第二含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于接触插塞的第二表面，第二表面与氧化物层的第一表面相反。