公开(公告)号：CN104952926B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201510144633.4

申请日：2015-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明的目的在于提供一种导电性出色的结晶性层叠结构体，该结晶性层叠结构体中，具有刚玉结构的结晶性氧化物薄膜即使在退火(加热)步骤后也没有高电阻化。本发明提供一由该结晶性层叠结构体组成的半导体。其中该结晶性层叠结构体具备底层基板，和直接或介由其他层设置于该底层基板上的具有刚玉结构之结晶性氧化物薄膜，所述结晶性氧化物薄膜的膜厚是1μm以上，所述结晶性氧化物薄膜的电阻率为80mΩcm以下。

公开(公告)号：CN110071037A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910354277.7

申请日：2013-09-24

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 金子健太郎 ,  人罗俊实 ,  平尾孝

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/20 ,  C30B29/22

Abstract: 本发明提供形成良质的刚玉型结晶膜的半导体装置。本发明提供的由具有刚玉型结晶结构的底层基板、具有刚玉型结晶结构的半导体层、具有刚玉型结晶结构的绝缘膜形成的半导体装置。在具有刚玉型结晶结构的材料中包括多种氧化膜，不仅能够发挥作为绝缘膜的功能，而且底层基板、半导体层以及绝缘膜全部具有刚玉型结晶结构，由此，在底层基板上能够实现良质的半导体层、绝缘膜。

公开(公告)号：CN119522636A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202380050510.7

申请日：2023-06-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松原佑典 ,  冲川满 ,  安藤裕之 ,  四户孝

IPC: H10D8/60 ,  H10D8/01 ,  H10D12/01 ,  H10D62/10 ,  H10D62/81 ,  H10D62/82 ,  H10D64/64 ,  H10D12/00 ,  H10D30/66

Abstract: 提供一种即使不依赖于p型的半导体区域或半导体层，也能够提高具有半导体区域或半导体层的半导体装置的耐压性的技术，其中该半导体区域或半导体层包括含有镓的结晶性氧化物半导体。半导体装置具备耗尽层延伸的半导体层和直接或隔着其他层配置在所述半导体层上的电极。所述半导体层具有第一区域和第二区域，该第一区域包括含有镓的结晶性氧化物半导体作为主成分，该第二区域包括含有镓的氧化物作为主成分，所述第二区域在与所述半导体层的上表面垂直的截面中具有线状的晶体缺陷区域。

公开(公告)号：CN118743031A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380018924.1

申请日：2023-01-27

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冈睦 ,  寺井睦 ,  柴田英高

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L21/52 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种层叠结构体、半导体元件和半导体装置，其尤其在功率器件中有用，并且降低高温时的劣化。一种层叠结构体，至少具备将结晶性氧化物半导体作为主成分来包含的半导体层和层叠于该半导体层上的导电性基板，所述层叠结构体在与所述层叠结构体的层叠方向垂直的面内具有第一方向和与所述第一方向垂直或大致垂直的第二方向，作为所述导电性基板在第一方向上的线膨胀系数的第一线膨胀系数小于作为所述导电性基板在第二方向上的线膨胀系数的第二线膨胀系数，并且作为所述半导体层在所述第一方向上的线膨胀系数的第三线膨胀系数小于作为所述半导体层在所述第二方向上的线膨胀系数的第四线膨胀系数。

公开(公告)号：CN118645535A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410284769.4

申请日：2024-03-13

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 安藤裕之 ,  塚本直幸 ,  加藤勇次

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H02M3/10 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明提供一种适合于半导体元件的层叠结构体、半导体元件、电力转换装置及控制系统。一种层叠结构体，具备表面具有沟道结构的第一氧化物层和沿着所述沟道结构层叠的第二氧化物层，所述第二氧化物层的底部的中心与侧壁部的中心的膜厚差异小于30％。

公开(公告)号：CN118613921A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202380018925.6

申请日：2023-01-27

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 冈睦 ,  寺井睦 ,  柴田英高

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L21/52 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种层叠结构体、半导体元件和半导体装置，其尤其在功率器件中有用，并且降低高温时的劣化。一种层叠结构体，至少具备将结晶性氧化物半导体作为主成分来包含的半导体层和层叠于该半导体层上的导电性基板，所述导电性基板至少包含第一金属和与该第一金属不同的第二金属，其中，所述导电性基板在面内具有第一方向和与所述第一方向垂直或大致垂直的第二方向，所述导电性基板的作为所述第一方向上的线膨胀系数的第一线膨胀系数与作为所述第二方向上的线膨胀系数的第二线膨胀系数相同或大致相同。

公开(公告)号：CN118541811A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202380017083.2

申请日：2023-01-12

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 四户孝 ,  冲川满 ,  雨堤耕史 ,  樋口安史 ,  松田时宜

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种半导体装置，其尤其有用于功率器件，并且半导体特性优异。一种半导体装置，其特征在于，至少具备：n型氧化物半导体层；与所述n型氧化物半导体层形成主结的第一p型氧化物半导体层；以及空穴供给层，所述空穴供给层由不同于所述第一p型氧化物半导体层的第二p型氧化物半导体层构成。

公开(公告)号：CN117836774A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202280054221.X

申请日：2022-08-03

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  三菱重工业株式会社

Inventor： 伊藤将人 ,  三竹雅也 ,  竹内健吾 ,  人罗俊实 ,  奥井富士雄

IPC: G06F30/392 ,  H01L21/82 ,  H05K3/00 ,  G06F115/12

Abstract: 提供一种能够在还考虑母基板即安装基板上的部件配置的同时提高子基板即部件内置基板的引脚配置的设计自由度的设计支援装置、设计支援程序以及设计支援方法。一种部件内置基板的设计支援装置，所述部件内置基板中内置有电子部件，所述电子部件构成电路的至少一部分，所述设计支援装置至少具备：部件信息获取部，获取与搭载在所述部件内置基板内的电子部件有关的部件信息；焊盘信息获取部，基于所述部件信息来获取与配置在所述部件内置基板表面上的电极焊盘的种类及数量有关的电极焊盘信息；安装配置信息获取部，获取搭载有所述部件内置基板的安装基板上的所述部件内置基板及其他部件的配置信息；以及焊盘配置选择部，基于所述安装配置信息及所述电极焊盘信息，来对所述部件内置基板表面上的电极焊盘的配置进行选择。

公开(公告)号：CN117751435A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202280053287.7

申请日：2022-07-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 金子健太郎 ,  高根伦史 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/24 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明提供一种电特性优异的含有锗氧化物的氧化物半导体。得到一种氧化物半导体，其特征在于，所述氧化物半导体的载流子密度为1.0×1018/cm3以上，所述氧化物半导体是使用氧化物半导体的形成方法含有锗氧化物的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体的形成方法的特征在于，将含有掺杂元素的原料溶液进行雾化或液滴化，并且向得到的雾化液滴供给载气，利用该载气将所述雾化液滴运送到所述基体上，接着使所述雾化液滴在所述基体上进行热反应。

公开(公告)号：CN117730402A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202280053311.7

申请日：2022-07-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 金子健太郎 ,  高根伦史 ,  人罗俊实

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/24 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/872 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供一种异常晶粒得到降低且具有良好的结晶性的结晶性氧化物膜。得到一种结晶性氧化物膜，将含有锗的原料溶液进行雾化或液滴化，并且向得到的雾化液滴供给载气，利用该载气将所述雾化液滴运送到具有正方晶晶体结构的结晶基板上，接着使所述雾化液滴在所述结晶基板上进行热反应，从而含有锗氧化物，其中，通过表面SEM观察确认到的异常晶粒的面积比例为3％以下。