公开(公告)号：CN110071037A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910354277.7

申请日：2013-09-24

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 金子健太郎 ,  人罗俊实 ,  平尾孝

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/20 ,  C30B29/22

Abstract: 本发明提供形成良质的刚玉型结晶膜的半导体装置。本发明提供的由具有刚玉型结晶结构的底层基板、具有刚玉型结晶结构的半导体层、具有刚玉型结晶结构的绝缘膜形成的半导体装置。在具有刚玉型结晶结构的材料中包括多种氧化膜，不仅能够发挥作为绝缘膜的功能，而且底层基板、半导体层以及绝缘膜全部具有刚玉型结晶结构，由此，在底层基板上能够实现良质的半导体层、绝缘膜。

公开(公告)号：CN110071037B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201910354277.7

申请日：2013-09-24

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 金子健太郎 ,  人罗俊实 ,  平尾孝

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/20 ,  C30B29/22

Abstract: 本发明提供形成良质的刚玉型结晶膜的半导体装置。本发明提供的由具有刚玉型结晶结构的底层基板、具有刚玉型结晶结构的半导体层、具有刚玉型结晶结构的绝缘膜形成的半导体装置。在具有刚玉型结晶结构的材料中包括多种氧化膜，不仅能够发挥作为绝缘膜的功能，而且底层基板、半导体层以及绝缘膜全部具有刚玉型结晶结构，由此，在底层基板上能够实现良质的半导体层、绝缘膜。

公开(公告)号：CN104205296A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380002360.9

申请日：2013-09-24

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 金子健太郎 ,  人罗俊实 ,  平尾孝

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/40 ,  C30B29/22 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/316 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/04 ,  C30B25/02 ,  C30B29/20 ,  C30B29/22 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/24

Abstract: 本发明提供形成良质的刚玉型结晶膜的半导体装置。本发明提供的由具有刚玉型结晶结构的底层基板、具有刚玉型结晶结构的半导体层、具有刚玉型结晶结构的绝缘膜形成的半导体装置。在具有刚玉型结晶结构的材料中包括多种氧化膜，不仅能够发挥作为绝缘膜的功能，而且底层基板、半导体层以及绝缘膜全部具有刚玉型结晶结构，由此，在底层基板上能够实现良质的半导体层、绝缘膜。