公开(公告)号：CN108389793A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810093986.X

申请日：2018-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜泌圭 ,  金石镐 ,  金兑泳 ,  文光辰 ,  李镐珍

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/60

Abstract: 一种制造基板结构的方法包括：提供在第一表面上包括第一器件区域的第一基板；提供在第二表面上包括第二器件区域的第二基板，使得第一器件区域的宽度大于第二器件区域的宽度；以及接合第一基板和第二基板，使得第一器件区域和第二器件区域彼此面对并且彼此电连接。

公开(公告)号：CN108074797A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711107811.1

申请日：2017-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  金石镐 ,  文光辰 ,  朴炳律 ,  李来寅

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种通过使用晶片级工艺对衬底的斜面区进行修整而能够提高工艺再现性及工艺稳定性的制作衬底结构的方法。所述方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括彼此相对的第一表面与第二表面、以及形成在所述第一表面的第一装置区；提供第二衬底，所述第二衬底包括彼此相对的第三表面与第四表面、以及位于所述第三表面的第二装置区；对所述第一衬底与所述第二衬底进行结合，以对所述第一装置区与所述第二装置区进行电连接；以及形成经修整的衬底。所述形成所述经修整的衬底包括蚀刻被结合到所述第一衬底的所述第二衬底的边缘区。

公开(公告)号：CN102569173B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201110402768.8

申请日：2011-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳律 ,  崔吉铉 ,  方硕哲 ,  文光辰 ,  林东灿

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/036 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05609 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体装置的方法。在制造半导体装置的方法中，准备具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底。在基底的将形成贯通电极的区域中形成牺牲层图案。牺牲层图案沿基底的厚度方向从基底的第一表面延伸。在基底的第一表面上形成上部布线层。上部布线层包括位于牺牲层图案上的布线。将基底的第二表面部分地去除以暴露牺牲层图案。从基底的第二表面去除牺牲层图案，以形成暴露布线的开口。在开口中形成要电连接到布线的贯通电极。

公开(公告)号：CN103681573A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310366956.9

申请日：2013-08-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴在花 ,  文光辰 ,  朴炳律

IPC: H01L23/495 ,  H01L27/02 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/486 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/552 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11009 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 提供了集成电路器件。该集成电路器件可以包括过孔结构，过孔结构包括导电插塞、与导电插塞隔开的导电阻挡层、以及导电插塞和导电阻挡层之间的绝缘层。还提供了形成集成电路器件的相关方法。

公开(公告)号：CN110828325B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN201910549829.X

申请日：2019-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑泳 ,  金俊亨 ,  金会哲 ,  罗勋奏 ,  文光辰

IPC: H01L21/603

Abstract: 提供了一种晶片键合设备和一种晶片键合系统。所述晶片键合设备包括：下卡盘，所述下卡盘用于在所述下卡盘的周缘部分处固定下晶片；上卡盘，所述上卡盘用于固定上晶片；键合引发器，所述键合引发器用于对所述上晶片的中心部分加压，直到所述上晶片的所述中心部分触及所述下晶片的中心部分，由此通过使所述上晶片变形来引发所述上晶片与所述下晶片的键合过程；以及键合控制器，所述键合控制器用于控制所述上晶片的周缘部分与所述下晶片的周缘部分之间的键合速度，使得在所述上晶片的周缘部分和所述下晶片的周缘部分键合之前，所述上晶片的弹性形变被释放。

公开(公告)号：CN111162048B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN201910627454.4

申请日：2019-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐柱斌 ,  朴秀晶 ,  金泰成 ,  文光辰 ,  林东灿 ,  崔朱逸

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供一种具有贯穿硅通路的半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一绝缘中间层，所述第一绝缘中间层设置在衬底的第一表面上；焊盘图案，所述焊盘图案设置在所述第一绝缘中间层的下表面上，所述焊盘图案包括第一铜图案；以及贯穿硅通路，所述贯穿硅通路穿过所述衬底和所述第一绝缘中间层，并接触所述焊盘图案的所述第一铜图案。所述贯穿硅通路包括穿过所述衬底和所述第一绝缘中间层的第一部分，以及在所述第一部分下方并延伸到所述焊盘图案中的所述第一铜图案的一部分的第二部分。所述贯穿硅通路具有在所述第一部分与所述第二部分之间的边界处的弯曲部分。

公开(公告)号：CN109962064B

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN201811267757.1

申请日：2018-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千镇豪 ,  孙成旻 ,  全炯俊 ,  文光辰 ,  安振镐 ,  李镐珍 ,  藤崎纯史

IPC: H01L25/18 ,  H10B80/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置包括：延伸穿过衬底的通孔电极结构；通孔电极结构上的再分布层；以及导电焊盘，该导电焊盘包括延伸穿过再分布层的贯穿部分以及贯穿部分上的突出部分，所述突出部分从再分布层的上表面突出，其中突出部分的上表面的中间区平坦，并且不比突出部分的上表面的边缘区更靠近衬底。

公开(公告)号：CN107768305B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201710709806.1

申请日：2017-08-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  文光辰 ,  金石镐 ,  方硕哲 ,  安振镐 ,  李来寅

IPC: H01L21/768

公开(公告)号：CN108074797B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN201711107811.1

申请日：2017-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  金石镐 ,  文光辰 ,  朴炳律 ,  李来寅

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种通过使用晶片级工艺对衬底的斜面区进行修整而能够提高工艺再现性及工艺稳定性的制作衬底结构的方法。所述方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括彼此相对的第一表面与第二表面、以及形成在所述第一表面的第一装置区；提供第二衬底，所述第二衬底包括彼此相对的第三表面与第四表面、以及位于所述第三表面的第二装置区；对所述第一衬底与所述第二衬底进行结合，以对所述第一装置区与所述第二装置区进行电连接；以及形成经修整的衬底。所述形成所述经修整的衬底包括蚀刻被结合到所述第一衬底的所述第二衬底的边缘区。

公开(公告)号：CN115440702A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210506327.0

申请日：2022-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴承河 ,  文光辰 ,  李镐珍

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件，包括：包含有源区的正面和与正面相对的背面的衬底、位于有源区上的电子元件、在衬底的正面上与电子元件电连接的正面布线结构、以及在衬底的背面上与电子元件电连接的背面布线结构。背面布线结构包括依次堆叠在衬底的背面上的多个背面布线图案，以及与多个背面布线图案中的至少一层相交并延伸穿过该至少一层的超通孔图案。