公开(公告)号：CN112420551A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010805107.9

申请日：2020-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金会哲 ,  金兑泳 ,  李学骏 ,  罗勋奏

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明构思提供了基板接合装置和通过使用该基板接合装置制造半导体器件的方法。该基板接合装置包括配置为支撑第一基板的第一接合卡盘、以及配置为支撑第二基板使得第二基板面对第一基板的第二接合卡盘。第一接合卡盘包括：第一基座；第一可变形板，在第一基座上，配置为支撑第一基板，并且配置为变形使得第一基座与第一可变形板之间的距离变化；以及第一压电片，在第一可变形板上，并且配置为响应于施加到其的电力而变形以使第一可变形板变形。

公开(公告)号：CN112420549A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010488372.9

申请日：2020-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑泳 ,  韩一宁 ,  金会哲

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 描述了一种基底键合设备。所述基底键合设备用于将第一基底键合到第二基底。所述基底键合设备包括：第一键合吸盘，被构造为将第一基底保持在第一键合吸盘的第一表面上；第二键合吸盘，被构造为将第二基底保持在第二键合吸盘的第二表面上，第二表面面对第一键合吸盘的第一表面；密封件，布置在第一键合吸盘与第二键合吸盘之间且与第一基底的至少一个边缘和第二基底的至少一个边缘相邻；以及处理气体供应装置，被构造为向被密封件围绕的键合空间供应处理气体。

公开(公告)号：CN111180356B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN201910479796.6

申请日：2019-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金会哲 ,  金东亿 ,  金兑泳

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/50

Abstract: 提供了结合基底的设备和结合基底的方法。基底结合设备包括下吸盘、上吸盘、位于上吸盘的中心部分上的电致动器、压力传感器以及控制器。下吸盘可以支撑下基底，上吸盘可以面对下吸盘，使得上吸盘的下表面面对下吸盘的上表面，并且上吸盘可以支撑上基底。电致动器可以使结合销穿过上吸盘下降以将压力施加到支撑在上吸盘上的上基底。压力传感器可以位于支撑在下吸盘上的下基底下方。压力传感器可以实时地感测由结合销施加到压力传感器的下降压力。控制器可以控制由结合销施加的下降压力。

公开(公告)号：CN110828325B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN201910549829.X

申请日：2019-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑泳 ,  金俊亨 ,  金会哲 ,  罗勋奏 ,  文光辰

IPC: H01L21/603

Abstract: 提供了一种晶片键合设备和一种晶片键合系统。所述晶片键合设备包括：下卡盘，所述下卡盘用于在所述下卡盘的周缘部分处固定下晶片；上卡盘，所述上卡盘用于固定上晶片；键合引发器，所述键合引发器用于对所述上晶片的中心部分加压，直到所述上晶片的所述中心部分触及所述下晶片的中心部分，由此通过使所述上晶片变形来引发所述上晶片与所述下晶片的键合过程；以及键合控制器，所述键合控制器用于控制所述上晶片的周缘部分与所述下晶片的周缘部分之间的键合速度，使得在所述上晶片的周缘部分和所述下晶片的周缘部分键合之前，所述上晶片的弹性形变被释放。

公开(公告)号：CN111092363A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201910961926.X

申请日：2019-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜泌圭 ,  金石镐 ,  金兑泳 ,  金会哲 ,  罗勋奏

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/022

Abstract: 半导体激光器件可以包括：第一包层，在衬底上；光波导，在所述第一包层上；激光光源芯片，在所述光波导上以产生激光束；第一粘合层，在所述光波导和所述激光光源芯片之间；以及第二粘合层，覆盖所述激光光源芯片的侧壁。

公开(公告)号：CN111987014A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010440382.5

申请日：2020-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金会哲 ,  金石镐 ,  金兑泳 ,  罗勋奏 ,  全炯俊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/18

Abstract: 提供一种晶片键合装置，该晶片键合装置包括：下支撑板，配置为在下支撑板的上表面上结构地支撑第一晶片；下结构，与下支撑板相邻并在垂直于下支撑板的上表面的垂直方向上可移动；上支撑板，配置为在上支撑板的下表面上结构地支撑第二晶片；以及上结构，与上支撑板相邻并在垂直方向上可移动。

公开(公告)号：CN111180356A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201910479796.6

申请日：2019-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金会哲 ,  金东亿 ,  金兑泳

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/50

Abstract: 提供了结合基底的设备和结合基底的方法。基底结合设备包括下吸盘、上吸盘、位于上吸盘的中心部分上的电致动器、压力传感器以及控制器。下吸盘可以支撑下基底，上吸盘可以面对下吸盘，使得上吸盘的下表面面对下吸盘的上表面，并且上吸盘可以支撑上基底。电致动器可以使结合销穿过上吸盘下降以将压力施加到支撑在上吸盘上的上基底。压力传感器可以位于支撑在下吸盘上的下基底下方。压力传感器可以实时地感测由结合销施加到压力传感器的下降压力。控制器可以控制由结合销施加的下降压力。

公开(公告)号：CN110931443A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201910835996.0

申请日：2019-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  姜泌圭 ,  金会哲 ,  罗勋奏 ,  朴宰亨 ,  孙成旻

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/18

Abstract: 本公开提供了半导体装置和包括其的半导体封装件。半导体装置包括第一电介质层上的第一缓冲电介质层；按次序布置在第一缓冲电介质层上的第二电介质层和第二缓冲电介质层，第二缓冲电介质层与第一缓冲电介质层接触；以及焊盘互连结构，其穿过第一缓冲电介质层和第二缓冲电介质层，其中焊盘互连结构包括铜和锡。

公开(公告)号：CN112420549B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202010488372.9

申请日：2020-06-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金兑泳 ,  韩一宁 ,  金会哲

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 描述了一种基底键合设备。所述基底键合设备用于将第一基底键合到第二基底。所述基底键合设备包括：第一键合吸盘，被构造为将第一基底保持在第一键合吸盘的第一表面上；第二键合吸盘，被构造为将第二基底保持在第二键合吸盘的第二表面上，第二表面面对第一键合吸盘的第一表面；密封件，布置在第一键合吸盘与第二键合吸盘之间且与第一基底的至少一个边缘和第二基底的至少一个边缘相邻；以及处理气体供应装置，被构造为向被密封件围绕的键合空间供应处理气体。

公开(公告)号：CN110931443B

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN201910835996.0

申请日：2019-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔朱逸 ,  姜泌圭 ,  金会哲 ,  罗勋奏 ,  朴宰亨 ,  孙成旻

IPC: H01L23/488 ,  H01L25/18

Abstract: 本公开提供了半导体装置和包括其的半导体封装件。半导体装置包括第一电介质层上的第一缓冲电介质层；按次序布置在第一缓冲电介质层上的第二电介质层和第二缓冲电介质层，第二缓冲电介质层与第一缓冲电介质层接触；以及焊盘互连结构，其穿过第一缓冲电介质层和第二缓冲电介质层，其中焊盘互连结构包括铜和锡。