公开(公告)号：CN103579340B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210468202.X

申请日：2012-11-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈能国 ,  万幸仁 ,  林奕安 ,  张骏伟 ,  孙诗平

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： 本发明涉及一种场效应晶体管的栅电极。场效应晶体管的示例性结构包括衬底；栅电极，位于具有第一顶面和侧壁的衬底的上方；源极/漏极(S/D)区，至少部分设置在栅电极一侧的衬底中；间隔件，位于分布在栅电极和S/D区之间的侧壁上；以及接触蚀刻停止层(CESL)，紧邻间隔件且进一步包括在S/D区上方延伸的部分，其中，该部分的第二顶面与第一顶面基本共面。

公开(公告)号：CN103633140B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201210540747.7

申请日：2012-12-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 洪敏皓 ,  周友华 ,  李志聪 ,  张简旭珂 ,  廖茂成 ,  葛翔翔 ,  黄振铭

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0334 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78

摘要： 一种集成电路器件和一种用于制造集成电路器件的工艺。该集成电路器件包括具有在其中形成沟槽的衬底，占据沟槽的第一隔离材料层，形成在第一隔离材料层上的第二隔离材料层，位于衬底上并且水平地与第二隔离材料层相邻的外延生长硅层，以及形成在外延生长硅层上的栅极结构，其中栅极结构限定沟道。本发明还公开一种两步式浅沟槽隔离(STI)工艺。

公开(公告)号：CN103764775B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201280043273.3

申请日：2012-09-04

申请人： 巴斯夫欧洲公司

发明人： Y·李 ,  M·劳特尔 ,  R·朗格

IPC分类号： C09G1/02

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09G1/00 ,  C09K13/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31053

摘要： 一种化学机械抛光(CMP)组合物，其包含：(A)无机粒子、有机粒子或其混合物或复合物，(B)式1至式6的苷，其中R1为烷基、芳基或烷芳基，R2为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基，R3为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基，R4为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基，R5为H、X1、X2、X3、X4、X5、X6、烷基、芳基或烷芳基，该苷中的单糖单元(X1、X2、X3、X4、X5或X6)的总数在1至20的范围内，且X1至X6为如在相应式1至式6中以矩形所指示的结构单元，及(C)含水介质。

公开(公告)号：CN102585704B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201110433308.1

申请日：2011-12-16

申请人： 韩国首尔步瑞株式会社

发明人： 韩德洙 ,  金桓铁 ,  金錫主 ,  朴烋范

IPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/321

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1436 ,  C09K3/1463

摘要： 本发明提供一种用于化学机械抛光的浆料组合物，其包含0.1wt％至20wt％的表面经氨基硅烷处理的抛光剂；0.001wt％至5wt％的添加剂，其选自氨基酸、氨基酸衍生物、其盐，和它们的组合；0.0001wt％至0.5wt％的缓蚀剂；和0.01wt％至5wt％的氧化剂，其余的为溶剂。所述用于化学机械抛光的浆料组合物对于氧化硅膜具有显著高的抛光速率，能够选择性地防止去除氮化硅膜，不导致不均衡的抛光，提供优异的平坦化度，具有优异的随时间的稳定性和分散稳定性，产生较少的颗粒和划痕，且产生令人非常满意的阻挡金属膜和氧化物膜的抛光表面。

公开(公告)号：CN102903621B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201110215069.2

申请日：2011-07-29

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 殷华湘 ,  徐秋霞 ,  孟令款 ,  陈大鹏

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/66545

摘要： 一种半导体器件的制造方法，包括提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有栅导体层和位于栅导体层两侧的源极区和漏极区。在半导体衬底上形成蚀刻停止层。在蚀刻停止层上形成LTO层。化学机械平坦化所述LTO层。在平坦化的LTO层上形成SOG层，所述蚀刻停止层、LTO层和SOG层构成前金属绝缘层。回刻蚀前金属绝缘层的SOG层和蚀刻停止层，从而露出栅导体层。除去栅导体层。

公开(公告)号：CN105321818A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410803085.7

申请日：2014-12-22

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄玉莲

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/31053 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 本发明提供了用于防止高迁移率材料暴露给高温工艺的方法和结构，该方法包括提供具有从其延伸的至少一个鳍的衬底。该至少一个鳍包括伪沟道和源极/漏极区。在伪沟道上方形成伪栅叠件。在包括鳍的衬底上形成第一层间介电(ILD)层。平坦化第一ILD层以暴露伪栅叠件。在平坦化第一ILD层之后，去除伪栅叠件和伪沟道以形成凹槽，以及在凹槽中形成高迁移率材料沟道区。在形成高迁移率材料沟道区之后，在源极/漏极区上面的第二ILD层内形成接触开口，并且在源极/漏极区上方形成低肖特基势垒高度(SBH)材料。

公开(公告)号：CN105215837A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510329335.2

申请日：2015-06-15

申请人： 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 ,  陶氏环球技术有限责任公司

发明人： B·钱 ,  M·W·格鲁特 ,  M·F·索南夏因

IPC分类号： B24B37/04 ,  B24B37/24 ,  H01L21/02

CPC分类号： B24B37/205 ,  B24B37/013 ,  B24B53/017 ,  H01L21/31053 ,  B24B37/044 ,  B24B37/24 ,  H01L21/02013

摘要： 本发明提供一种化学机械抛光衬底的方法，其包含：提供具有压板的抛光机；提供衬底，其中所述衬底具有暴露的氧化硅表面；提供化学机械抛光垫，其包含：聚氨基甲酸酯抛光层；其中所述聚氨基甲酸酯抛光层组合物展现≥0.5mg(KOH)/g的酸值；提供研磨剂浆料，其中所述研磨剂浆料包含水和二氧化铈研磨剂；在所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面处形成动态接触；以及将所述研磨剂浆料分配到所述化学机械抛光垫的所述聚氨基甲酸酯抛光层的所述抛光表面上位于或接近所述化学机械抛光垫与所述衬底之间的界面；且抛光所述衬底。

公开(公告)号：CN105206582A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510694924.0

申请日：2015-10-22

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 沈思杰

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L27/11517 ,  H01L21/31053

摘要： 本发明提供了一种控制字线研磨工艺的方法，包括：针对具有不同研磨关键尺寸的多个测试晶圆执行研磨处理；使得所述多个测试晶圆在氢氟酸溶液中浸泡预定时间，以便通过湿法刻蚀对所述多个测试晶圆执行氮化物去除工艺，并随后取出所述多个测试晶圆；检查所述多个测试晶圆上的氮化物的刻蚀情况，并根据所述刻蚀情况来针对不同研磨关键尺寸设置待处理晶圆在氮化物去除工艺中在氢氟酸溶液中的浸泡时间。

公开(公告)号：CN103189457B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180053056.8

申请日：2011-09-06

申请人： 巴斯夫欧洲公司

发明人： Y·李 ,  J-J·楚 ,  S·S·文卡塔拉曼 ,  S·A·奥斯曼易卜拉欣 ,  H·W·平德尔

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09G1/18 ,  C09K3/14

CPC分类号： C09K3/1409 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： 本发明涉及一种含水抛光组合物，其包含：(A)当其分散在pH为3-9的含水介质中时带正电荷的磨料颗粒，这通过电泳淌度证明；(B)水溶性和水分散性的含羟基组分，其选自：(b1)脂族和脂环族羟基羧酸，其中羟基与羧酸基的摩尔比例为至少1；(b2)具有至少一个羟基的羟基羧酸(b1)的酯和内酯；和(b3)其混合物；以及(C)选自以下的水溶性和水分散性聚合物组分：(c1)线性和支化的氧化烯烃聚合物；(c2)线性和支化的脂族和脂环族聚(N-乙烯基酰胺)聚合物；和(c3)重均分子量小于100,000道尔顿的阳离子聚合絮凝剂；以及一种抛光电子、机械和光学器件用基底材料的方法。

公开(公告)号：CN105097491A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410180862.7

申请日：2014-04-30

申请人： 无锡华润上华科技有限公司

发明人： 华强 ,  周耀辉

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31056 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762

摘要： 本发明提供了一种基于氮氧化硅抗反射层的化学机械平坦化工艺，包括：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括衬底、形成于衬底上的氧化层、形成于所述氧化层上的氮化硅层、形成于所述氮化硅层上的抗反射层、贯穿所述抗反射层并延伸入所述衬底中的沟槽、以及填充于所述沟槽内并覆盖于所述抗反射层上的第一二氧化硅层；研磨所述第一二氧化硅层直至所述抗反射层；干法刻蚀去除所述抗反射层；在去除所述抗反射层的半导体晶圆表面形成第二二氧化硅层；研磨所述第二二氧化硅层直至所述氮化硅层；去除所述氮化硅层。本发明工艺简单，采用氮氧化硅作为抗反射层，CD管控相对简单。