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公开(公告)号：CN118880439A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411039488.9
申请日：2024-07-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及晶棒制造技术领域，尤其涉及一种改善重掺 硅单晶内掺杂剂分布不均的拉晶方法，该方法包括以下步骤：步骤1：化料工序；步骤2：稳定工序；步骤3：拉晶工序；步骤4：冷却工序；具体的，通过调整化料工序和稳定工序中的氩气流量，调节单晶炉内的温度热场梯度，使掺杂剂能够在硅单晶内更均匀地溶解；通过调整化料工序和稳定工序中的炉压，能够促进掺杂剂的挥发，防止掺杂剂及其挥发物长时间停留在炉腔内；通过调整等径工序的拉速，使掺杂剂在硅单晶内对称分布；从而使硅单晶内的掺杂剂分布更均匀，并且硅单晶的拉晶速度的拉晶速度高于0.7mm/min，如此，能够提高硅单晶内掺杂剂分布的均匀性，同时提升硅单晶的生产效率。
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公开(公告)号：CN118685852A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410733611.0
申请日：2024-06-07
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供改善OISF的拉晶方法，属于缺陷改善方法的技术领域，通过调整液口距，降低径向温度梯度，使得热对流稳定，建立液口距与OISF之间的关系，使得不同的液口距对应不同的OISF，以根据OISF的水平调整液口距，液口距调整简单、便捷且准确，使得拉制晶棒的OISF符合要求。
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公开(公告)号：CN118007229B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410347030.3
申请日：2024-03-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种重掺单晶引晶放肩的拉晶方法，属于单晶炉提拉法生长单晶技术领域，在引晶时根据第一预定引晶直径、第一预定引晶温度曲线、第一预定拉速曲线进行引晶，使得引晶直径、拉速、温度相互匹配，使得引晶质量提高，进而引放次数降低，引晶结束后，根据预设的不同放肩高度的放肩肩型夹角的角度设定值得到放肩直径D；根据放肩直径D、第二预定放肩功率曲线、第二预定拉速曲线、第二预定拉速上限曲线、第二预定拉速曲线下限曲线进行放肩，以在不同阶段拉制不同放肩肩型夹角的肩型，使得引晶带来的温度差被消弭且放肩过程以预定的生长状态生长，使得单晶结构不被破坏，使得引晶、放肩过程中NG率显著降低。
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公开(公告)号：CN118581562A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410652651.2
申请日：2024-05-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供用于降低轻掺晶棒头部电阻反翘长度的拉晶方法，属于轻掺单晶硅制备方法的技术领域，采用MCZ进行重掺拉晶，控制磁场强度为2000GS~2500GS，晶转为第一预定转速，埚转为第二预定转速，炉压为预定炉压，惰性气体流量为预定流量进行拉晶，使得拉晶过程中，一方面，掺杂剂的有效分凝系数无限接近其平均分凝系数，进而掺杂剂进入晶体的量增大，晶体头部的电阻会降低，进而得到的晶棒的头部电阻下降；另一方面，通过调整上述参数，使得边界层的厚度降低，固液界面的杂质浓度降低，杂质的富集量也降低，进而降低晶棒因杂质富产生位错造成断棱的概率；再一方面，本发明得到的晶棒的氧含量低于5ppma，符合用于IGBT衬底的晶圆的要求。
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公开(公告)号：CN118516751A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410856606.9
申请日：2024-06-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善轻掺头部OISF的直拉单晶硅方法，涉及轻掺拉晶技术领域，在转肩过程中，通过提高转肩拉速，提高散热，以增大温度梯度，增加空位原子减少OISF聚集，降低单晶头部OISF发生率，从而在氧含量高的头部产生的析出物降低，NG率大大降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118404725A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410636955.X
申请日：2024-05-22
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供改善 晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法，涉及晶棒切片技术领域，先用X光机照射 晶向晶锭在X方向的晶向偏离度，根据X方向的测量值计算得到底轴转角，用X光机照射 晶向晶锭在Y方向的晶向偏离度，得到Y方向的测量值；将 晶向晶锭的旋转角固定为预定角度，根据旋转角、底轴转角、Y方向的测量值将 晶向晶锭粘接在可调式粘接台上，通过在可调式粘接台进行粘接，防止在粘接过程，因粘接剂未干导致的已调整好偏离角度的 晶向晶锭发生移动，使得粘接过程中晶向偏离度不会发生改变，在切割过程中，钢线在预定的切入点切入，钢线受阻力小，避免钢线受影响出现晃动，使得钢线切入方向不会发生偏离，切割精度提高。
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公开(公告)号：CN118087026A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410230081.8
申请日：2024-02-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种控制单晶硅低氧产品BMD的方法，涉及低氧P型晶棒拉晶技术领域，通过掺氮量的控制，使得拉晶过程中，氮能够促进氧析出物的形成、促进空位和间隙的再结合，从而使得氧析出的边界半径变小，从而影响BMD的密度，以使拉制的晶棒的BMD达到预定水平，使其作为金属吸杂源有效地发挥作用，进而产品符合要求，使得产品良率提高。
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公开(公告)号：CN117966252A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410137914.6
申请日：2024-01-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种重掺半导体单晶硅的掺杂装置及掺杂方法，涉及重掺单晶硅生产技术领域。包括掺杂钟罩，掺杂钟罩包括外层钟罩、中隔离层、内隔离层，其中，外层钟罩、中隔离层、内隔离层的高度依次降低；所述外层钟罩、所述中隔离层、所述内隔离层的底部位于同一水平面，且所述外层钟罩的底部与所述中隔离层的底部之间封闭，所述中隔离层的底部与所述内隔离层的底部之间封闭，所述内隔离层的底部呈开口结构，以使所述掺杂钟罩的底部形成空心圆形状。通过设置多层掺杂钟罩，增加气化的掺杂剂在掺杂钟罩内预储存的时间，延长掺杂时间，且气化的掺杂剂只能通过掺杂钟罩底部的一个出口慢慢流出，使得气化掺杂剂能够被硅液充分吸收，提高掺杂效率。
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公开(公告)号：CN117490817A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311459327.0
申请日：2023-11-03
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶棒测量系统及方法，涉及晶棒测量技术领域，将晶棒放置在支撑槽上，通过称重称晶棒的总重量，并将采集的晶棒重量传输给所述计算单元；所述计算单元得到晶棒重量后将信号传输给所述控制器，所述控制器控制所述第一驱动电机转动，使得导轨转动带动所述测量臂沿支撑槽的长度方向运动，使得红外扫描件采集到晶棒的直径及长度，并将采集的晶棒长度、直径传输给所述计算单元；所述计算单元根据获取的晶棒的重量、直径、长度计算晶棒头部、尾部、等径的长度、重量，并将计算结果传输至显示装置进行显示，不用再进行手工测量，检测精度大大提高，且检测更加便利。
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公开(公告)号：CN114045556A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111642133.5
申请日：2021-12-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉，包括主炉体、测温组件，所述主炉体的侧壁由内至外依次包括主保温层、中保温层和炉壁外层，在中保温层和炉壁外层上设有测温孔，所述测温孔沿主炉体的径向延伸，所述测温孔的一端贯通炉壁外层，所述测温孔的另一端不贯通主保温层，所述测温组件包括圆形测温玻璃、阻隔件，所述圆形测温玻璃盖合在测温孔位于炉壁外层一端的端面，所述阻隔件设有贯通的连接孔，所述阻隔件夹装在中保温层和炉壁外层之间的中空层中，所述阻隔件的连接孔与测温孔同轴，在中空层中安装阻隔件，阻隔件的设置能阻止中空层中的气体进入测温孔，避免测温玻璃被熏黑，解决了300mm单晶硅片掺砷拉晶工艺不稳的问题。
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