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公开(公告)号:CN1505123A
公开(公告)日:2004-06-16
申请号:CN200310119584.6
申请日:2003-12-04
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/4832 , H01L21/4835 , H01L23/3107 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L2221/68377 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/85009 , H01L2224/85013 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01018 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01059 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2224/78 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种电路装置的制造方法,使用等离子体除去导电图案21表面上黏附的污染物,提高导电图案21和密封树脂28的粘附。通过选择地蚀刻导电箔10形成分离槽11,形成导电图案21。在导电图案21的规定位置安装半导体元件22A等电路元件,并和导电图案21电连接。通过自导电箔10上方照射等离子体除去分离槽11表面黏附的污染物。
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公开(公告)号:CN1497687A
公开(公告)日:2004-05-19
申请号:CN03160336.X
申请日:2003-09-26
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/568 , H01L21/561 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01059 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H05K1/185 , H05K1/187 , H05K3/062 , H05K3/064 , H05K3/20 , H05K2203/0376 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 一种电路装置的制造方法,目前开发了:以具有导电图案的挠性板为支承衬底、在其上安装半导体元件并进行整体模装的半导体装置。这种情况下,会产生不能形成多层配线结构的问题及制造工序中绝缘树脂板的挠曲明显的问题。本发明的电路装置的制造方法中,采用介由第三导电膜13层积第一导电膜11和第二导电膜12构成的层积板10。通过蚀刻第一导电膜11形成导电图案层11A,之后,以导电图案层11A为掩模超量蚀刻第三导电膜13制作锚固部15,使密封树脂层22咬入锚固部15,加强密封树脂层22和导电图案层11A的结合。
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公开(公告)号:CN101286463B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN200810082319.8
申请日:2005-03-25
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/311
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/76804 , H01L21/76814 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2224/24145 , H01L2224/24195 , H01L2224/32145 , H01L2224/73267 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01078 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法,敷金属夹层孔通过如下工序形成:照射激光在绝缘树脂膜上形成开口的第一工序;通过干式蚀刻在绝缘树脂膜上形成开口的第二工序;在等离子气氛下进行反向溅射的第三工序。
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公开(公告)号:CN101262739B
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:CN200710307780.4
申请日:2007-07-31
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本发明提供一种元件搭载用基板、元件搭载用基板的制造方法以及半导体模块,能够减少核心基板上设置的电路基板与其上搭载的电路之间的接触不良,提高作为多层元件搭载用基板的可靠性。元件搭载用基板具有:电路基板(6),其由基板(1)、在基板(1)上设置的保护(层)2、在保护层(2)上设置的绝缘层(3)以及在绝缘层(3)形成的导电层(5)(导电部5a~5c)构成;电路基板(10),其搭载在电路基板(6)上,由基材(7)、在基材(7)的下面设置的导电层(8)(导电部8a,8b)、在基材(7)的上面设置的导电层(9)(导电部9a)构成。在此,通过将电路基板(10)压附在电路基板(6)上,导电部(8a)与导电部(5a)一同被埋设在绝缘层(3)中,在绝缘层(3)中形成导电部(8a)和导电部(5a)的连接部(11),将电路基板(10)与电路基板(6)电连接。
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公开(公告)号:CN101155469B
公开(公告)日:2010-11-03
申请号:CN200710170139.0
申请日:2007-06-20
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L23/142 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L2224/16225 , H05K3/427 , H05K3/445 , H05K2201/0355 , H05K2201/0382 , H05K2201/09827 , H05K2203/0143 , H05K2203/068 , Y10T29/49155
Abstract: 一种电路基板,抑制由金属板开口部引起的绝缘强度劣化,提高电路基板的可靠性。在电路基板中,作为核心材料设置具有开口部(2)的金属板(1)、开口部(2)设置为从下侧面到上侧面其尺寸渐渐扩大。在该金属板(1)的两侧面通过绝缘层(4、6)分别设置布线图案(5、7)。在此,在开口部(2)的上方区域的绝缘层(4)和布线图案(5)的上面设置凹部。另外,为了使各布线图案电连接,通过开口部(2)贯通金属板(1)、设置连接布线图案(5)和布线图案(7)的导体部(10)。并且,在金属板(1)的上侧面通过焊锡球(12)与LSI芯片(11)直接相连。
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公开(公告)号:CN100530574C
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200410032008.2
申请日:2004-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/13055 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体模块及其制造方法,半导体模块可提高绝缘基件和在绝缘基件上形成的绝缘体例如半导体元件的密封树脂或粘接部件之间的粘附性。层间绝缘膜(405)及由铜构成的配线(407)构成的配线层多层层积,并在最上层形成抗焊剂层(408)。在抗焊剂层(408)表面形成元件(410a)及(410b)。元件(410a)及(410b)形成由模制树脂(415)模制的结构。利用选择了特定条件的等离子处理将抗焊剂层(408)的表面改良,形成微小突起群。在抗焊剂层(408)的所述面上,在X光电子分光频谱中,设在束缚能284.5eV下检测强度为x,在束缚能286eV下检测强度为y时,y/x的值为0.4以上。
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公开(公告)号:CN100403500C
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200510119326.7
申请日:2003-12-04
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/4846 , H01L23/3128 , H01L23/49894 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/85913 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01011 , H01L2924/01018 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/351 , H05K3/284 , H05K3/381 , Y10T29/49117 , Y10T29/49128 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49155 , Y10T29/49165 , H01L2924/00014 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015
Abstract: 一种电路装置的制造方法,通过向在导电配线层上形成的外敷层树脂照射等离子体,提高外敷层树脂和密封树脂层的粘附。设置介由层间绝缘层(22)层积的第一导电膜(23A)及第二导电膜(23B)。通过选择地除去第一导电膜形成第一导电配线层(12A),并由外敷层树脂(18)覆盖第一导电配线层。通过在外敷层树脂(18)上照射等离子体进行其表面的粗糙化。形成密封树脂(17),以覆盖粗糙化的外敷层树脂(18)表面及电路元件(13)。
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公开(公告)号:CN1320645C
公开(公告)日:2007-06-06
申请号:CN02156135.4
申请日:2002-12-09
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/76802 , H01L21/76825 , H01L21/76828 , H01L21/76829 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 得到能够边减少相邻的第1布线层间的电容、边抑制起因于来自第1绝缘膜的水分放出而使导电性插头电阻值升高、断路故障等情况的半导体器件。这种半导体器件具备在半导体基片上隔开规定的间隔形成的多个第1布线层,埋入多个第1布线层、且具有到达第1布线层的开口部的第1绝缘膜,以及填入第1绝缘膜的开口部内、且与第1布线层接触的导电性插头。在第1绝缘膜的第1布线层与导电性插头的接触面附近的第1区域,通过选择性地注入杂质对第1绝缘膜的第1区域进行有选择地改性。
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公开(公告)号:CN1306604C
公开(公告)日:2007-03-21
申请号:CN200310120768.4
申请日:2003-12-03
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2221/68345 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49171 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/01088 , H01L2924/12042 , H01L2924/13055 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/30105 , H05K1/024 , H05K3/205 , H05K3/4676 , H05K3/4682 , H05K2201/068 , Y10S428/901 , Y10T428/24917 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供一种具有改进的产品可靠性和高频性能的低分布和重量轻的半导体装置。刚好在电路器件410a和410b的下面配置了多层互连线结构。组成一部分多层互连线结构的夹层绝缘薄膜405由具有范围在1.0到3.7之内的相对电介质常数,和范围在从0.0001到0.02之内的介质损耗正切的一种材料形成。
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公开(公告)号:CN1254861C
公开(公告)日:2006-05-03
申请号:CN03160338.6
申请日:2003-09-26
Applicant: 三洋电机株式会社 , 关东三洋半导体股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/768 , H01L21/48
CPC classification number: H01L21/4832 , B32B2519/02 , H01L21/4846 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/85001 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01059 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/07802 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H05K3/20 , H05K3/284 , Y10S148/105 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 一种电路装置的制造方法,目前开发了:以具有导电图案的挠性板为支承衬底、在其上安装半导体元件并进行整体模装的半导体装置。这种情况下,会产生不能形成多层配线结构的问题及制造工序中绝缘树脂板的挠曲明显的问题。本发明的电路装置的制造方法中,采用介由第三导电膜13层积薄的第一导电膜11和厚的第二导电膜12构成的层积板10。通过蚀刻薄的第一导电膜11形成微细图案的导电图案层11A,之后,以导电图案层11A为掩模超量蚀刻第三导电膜13制作锚固部15,使绝缘粘接层16及密封树脂层22咬入锚固部15,加强绝缘粘接层16及密封树脂层22和导电图案层11A的结合。
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