公开(公告)号：CN119487988A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380050521.5

申请日：2023-06-29

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松原佑典 ,  冲川满 ,  安藤裕之 ,  四户孝

IPC: H10D8/60 ,  H10D8/01 ,  H10D62/10 ,  H10D62/80 ,  H10D64/64 ,  H10D30/60 ,  H10D12/00

Abstract: 提供一种即使不依赖于p型的半导体区域或半导体层，也能够提高具有半导体区域或半导体层的半导体装置的耐压性的技术，其中该半导体区域或半导体层包括含有镓的结晶性氧化物半导体。半导体装置具备半导体层和直接或隔着其他层配置在所述半导体层上的电极。所述半导体层具有第一区域和第二区域，该第一区域包括含有镓的结晶性氧化物半导体作为主成分，该第二区域包括含有镓的氧化物作为主成分，所述第二区域的载流子密度低于所述第一区域的载流子密度，所述第二区域的至少一部分位于距离所述半导体层的上表面的深度为1.0μm以上的位置处。

公开(公告)号：CN114836833B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202210479527.1

申请日：2018-08-20

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

Inventor： 大岛佑一 ,  河原克明 ,  四户孝 ,  松田时宜 ,  人罗俊实

IPC: C30B29/16 ,  C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B25/04

Abstract: 根据本发明的方面，用于制造结晶膜的方法包括气化金属源以将金属源转化为含金属的原料气体；将含金属的原料气体和含氧的原料气体供应到反应室中到基板上；以及将反应气体供应到反应室中到基板上，以在反应气体的气流下形成结晶膜。

公开(公告)号：CN118639213A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410285176.X

申请日：2024-03-13

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 志水诚 ,  志保浩司 ,  安藤裕之 ,  塚本直幸 ,  加藤勇次

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明提供量产性优异的成膜方法。该成膜方法使用在同一或不同水溶液中含有金属络合物及镓化合物的水溶液，所述金属络合物为具有两个以上的不同配体的金属络合物及具有相同的配体并具有取代基的金属络合物中的至少一种，所述具有两个以上的不同配体的金属络合物具有氮原子，所述具有相同的配体并具有取代基的金属络合物具有卤素原子。

公开(公告)号：CN117751457A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202280053299.X

申请日：2022-07-26

Applicant: 株式会社FLOSFIA ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 金子健太郎 ,  高根伦史 ,  人罗俊实

IPC: H01L29/872 ,  C30B25/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L33/26

Abstract: 本发明提供一种具有良好的取向性且以锗为主成分的金红石型结构的氧化物结晶。得到一种氧化物结晶，通过在特定条件下使用雾化CVD法在金红石型结构的氧化钛基板上进行氧化锗的成膜，从而含有金红石型结构的氧化物，所述氧化物结晶向与c轴垂直或平行的晶轴方向取向，在所述氧化物结晶中的金属元素中锗的原子比大于0.5。

公开(公告)号：CN110047907B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201910353479.X

申请日：2015-05-08

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 人罗俊实 ,  织田真也 ,  高塚章夫

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L21/02 ,  H01L21/34 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/26 ,  H01L33/42

Abstract: 提供一种电学特性好，对于半导体装置而言有用的结晶性层叠结构体。其中，直接或介由其他层在底层基板上具备结晶性氧化物半导体薄膜，并且该结晶性氧化物半导体薄膜的主要成分为具有刚玉结构的氧化物半导体，所述氧化物半导体主要成分含有铟和/或镓，所述结晶性氧化物半导体薄膜含有锗、硅、钛、锆、钒或铌。

公开(公告)号：CN117441234A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202280031264.6

申请日：2022-04-25

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 杉本雅裕 ,  松田慎平 ,  樋口安史 ,  则松和良

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/24 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明提供一种特别对功率器件有用的、耐压性优异的半导体装置。一种半导体装置，至少具备：结晶性氧化物半导体层，包括沟道层和漂移层；以及栅电极，经由栅极绝缘膜配置在该沟道层上，在所述沟道层与所述漂移层之间具有电流阻断层，所述半导体装置的特征在于，所述漂移层包括第一结晶性氧化物作为主要成分，所述电流阻断层包括第二结晶性氧化物作为主要成分，所述第一结晶性氧化物和所述第二结晶性氧化物具有不同的组成。

公开(公告)号：CN116583955A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180083250.4

申请日：2021-12-10

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 樋口安史 ,  四户孝

IPC: H01L29/06

Abstract: 本发明的目的之一是提供一种防止电洞注入栅极绝缘膜的结构。本发明的半导体装置包含栅极绝缘膜、以接触所述栅极绝缘膜的方式配置的电洞阻挡层及以接触所述电洞阻挡层的方式配置的氧化物半导体层，所述电洞阻挡层设置于所述栅极绝缘膜与所述氧化物半导体层之间。

公开(公告)号：CN116114061A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202180057395.7

申请日：2021-08-10

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 柳田秀彰 ,  水本尚吾 ,  安藤裕之 ,  松原佑典

IPC: H01L23/48

Abstract: 本发明提供一种对功率器件特别有用且顺向特性得到改善的半导体元件及半导体装置。一种半导体元件及具备该半导体元件的半导体装置，所述半导体元件为具备包含结晶性氧化物半导体(例如，α‑Ga2O3等)作为主成分的半导体层、层叠于该半导体层上的电极层以及直接或隔着其他层而层叠于该电极层上的导电性基板的层叠结构体，所述导电性基板至少含有选自元素周期表第11族金属中的第一金属以及线性热膨胀系数与所述第一金属的线性热膨胀系数不同的第二金属。

公开(公告)号：CN108690969B

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN201810293622.6

申请日：2018-03-30

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 柳生慎悟 ,  井川拓人 ,  人罗俊实

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/448

Abstract: 本发明提供一种成膜方法、导电性层压结构体及电子装置。本发明的成膜方法简单且容易地、在工业上有利地对基材密合性良好地形成导电性金属氧化膜。在通过将对含有金属的原料溶液进行雾化或液滴化而生成的雾或液滴利用载气运送到基体，接着在该基体上使该雾或液滴进行热反应，从而在该基体上形成导电性金属氧化膜的成膜方法中，使用表面的一部分或全部含有铜或铜合金、铝或铝合金、镁或镁合金、或者不锈钢作为主要成分的基体作为所述基体来进行成膜。

公开(公告)号：CN114503285A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080069877.X

申请日：2020-10-05

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 今藤修 ,  松原佑典

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L29/417 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L25/18 ,  H01L25/07 ,  H01L21/28 ,  H01L21/34

Abstract: 提供一种具备平坦性优异且不易变形而能够实现良好的半导体特性的多孔层的半导体元件。半导体元件包含半导体膜和配置在半导体膜的第一面侧或作为第一面侧的相反侧的第二面侧的多孔层，所述多孔层的空隙率为10％以下。