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公开(公告)号：CN108690969B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201810293622.6
申请日：2018-03-30
Applicant: 株式会社FLOSFIA
IPC: C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本发明提供一种成膜方法、导电性层压结构体及电子装置。本发明的成膜方法简单且容易地、在工业上有利地对基材密合性良好地形成导电性金属氧化膜。在通过将对含有金属的原料溶液进行雾化或液滴化而生成的雾或液滴利用载气运送到基体，接着在该基体上使该雾或液滴进行热反应，从而在该基体上形成导电性金属氧化膜的成膜方法中，使用表面的一部分或全部含有铜或铜合金、铝或铝合金、镁或镁合金、或者不锈钢作为主要成分的基体作为所述基体来进行成膜。
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