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公开(公告)号：CN101241890A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710001894.6
申请日：2007-02-06
申请人： 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/49548 , H01L21/4828 , H01L23/3135 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01087 , H01L2924/078 , H01L2924/10161 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/18301 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明公开了一种芯片封装结构的制作方法，首先，提供一具有一芯片座、多个引脚以及至少一结构加强件的导线架。之后，将芯片配置于芯片座上，并形成用以电性连接于芯片与引脚之间的多条打线导线。接着，于导线架的上下表面形成上胶体及第一下胶体，第一下胶体中具有多个凹部，以暴露出结构加强件。最后，以此第一下胶体为一蚀刻掩膜蚀刻结构加强件，直到结构加强件所连接的芯片座与其中一引脚，或是所连接的相邻的二引脚彼此电性绝缘。
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公开(公告)号：CN101241863A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200710005145.0
申请日：2007-02-08
申请人： 百慕达南茂科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L23/495 , H01L23/31
CPC分类号： H01L23/495 , H01L21/4828 , H01L23/3107 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2221/68377 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4911 , H01L2224/85001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/10161 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H01L2224/78 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了一种芯片封装结构的制作方法，首先，提供一具有第一凸起部、第二凸起部及多个第三凸起部的金属薄板。之后，将芯片配置于金属薄板上，并形成用以电性连接于芯片与第二凸起部以及第二凸起部与第三凸起部之间的多条焊线。接着，于金属薄板的上下表面形成上胶体及下胶体。再来，于下表面形成一蚀刻掩膜，暴露出各个凸起部之间彼此相连之处。然后，蚀刻此金属薄板，使第一凸起部、第二凸起部以及第三凸起部分别形成导线架的芯片座、汇流架以及引脚。
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公开(公告)号：CN101004944A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610081870.1
申请日：2001-12-28
申请人： 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC分类号： G11C5/00 , G06K19/077
CPC分类号： G06K19/077 , G06K19/07732 , G06K19/07737 , G06K19/07739 , G06K19/07743 , G11C5/04 , H01L23/5388 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/18 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10161 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H05K5/026 , H05K5/0282 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012
摘要： 存储卡包括：基板；安装在基板之上的第一闪速存储器芯片；用于安装在基板之上的第一闪速存储器芯片的控制器芯片；以及覆盖基板、第一闪速存储器芯片和控制器芯片的卡体；其中存储卡可与适配器相连；其中存储卡在不包括适配器时的平面尺寸小于32mm×24mm的尺寸，并在与适配器相连时被设定为32mm×24mm的尺寸，以及其中，第一闪速存储器芯片的平面面积大于控制器芯片的平面面积。采用使适配器2一侧的凹部配合在设置在小尺寸的存储卡1的器件帽3上的截面凸状的适配器安装部分3a上，使两者装卸自由地形成一个整体的办法，保持小尺寸的存储卡对已有的存储卡的尺寸上的互换性，使得小尺寸的存储卡1也可以在已有的存储卡应对设备中使用。
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公开(公告)号：CN1309066C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN03103350.4
申请日：2003-01-24
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L29/80
CPC分类号： H01L24/06 , H01L23/49844 , H01L23/50 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05556 , H01L2224/056 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/0603 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/48491 , H01L2224/48639 , H01L2224/48644 , H01L2224/48664 , H01L2224/48739 , H01L2224/48764 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48864 , H01L2224/49107 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/854 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01039 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/10161 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2224/48744 , H01L2924/00012 , H01L2924/01033
摘要： 本发明涉及半导体装置。在已有的半导体装置中，因为为了向半导体器件表面的全部电极供给均等的电流，用引线接合法使导线与全部电极连接，所以存在着由于引线接合法引起的冲击对半导体器件产生恶劣影响的课题。在本发明的半导体装置中，具有使导电板(38，39)与半导体器件(32)表面的电极连接，通过导线(40，41)使导电板(38，39)与连接区域(36，37)电连接的构造。通过这样做，能够将导电板作为缓冲板在半导体器件(32)表面上不对导线(40，41)直接用引线接合法。结果，能够大幅度地减少由于引线接合法引起的冲击对半导体器件(32)的影响，从而能够提高制品品质的可靠性。
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公开(公告)号：CN1855133A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610081871.6
申请日：2001-12-28
申请人： 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC分类号： G06K19/077 , G11C5/00
CPC分类号： G06K19/077 , G06K19/07732 , G06K19/07737 , G06K19/07739 , G06K19/07743 , G11C5/04 , H01L23/5388 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/18 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10161 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H05K5/026 , H05K5/0282 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012
摘要： 一种存储卡，包括具有前面和背面的基板；安装在基板前面之上的第一闪速存储器芯片；用于安装在基板前面之上的第一闪速存储器芯片的控制器芯片；设置在基板背面上的多个外部端子；以及覆盖基板前面、第一闪速存储器芯片和控制器芯片的壳体；其中存储卡的平面尺寸小于由多媒体卡标准或SD卡标准定义的平面尺寸；以及其中壳体具有设置在壳体的两个拐角部分处的适配器安装部分。采用使适配器2一侧的凹部配合在设置在小尺寸的存储卡1的器件帽3上的截面凸状的适配器安装部分3a上，使两者装卸自由地形成一个整体的办法，保持小尺寸的存储卡对已有的存储卡的尺寸上的互换性，使得小尺寸的存储卡1也可以在已有的存储卡应对设备中使用。
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公开(公告)号：CN1282240C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN02154029.2
申请日：2002-12-06
申请人： 三洋电机株式会社
CPC分类号： H01L23/49838 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0605 , H01L2224/05554 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15173 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要： 一种半导体装置。将一根导线在芯片下环绕其他图形延伸，芯片固定在图形上，将输入端子用电极座连接在从芯片露出的导线上。由此，实现在CSP的组件内RF信号路径实质交叉的电路，实现在用户侧安装时装置的小型化，但由于高频信号路径通过芯片之下，所以绝缘恶化。在芯片与在芯片之下环绕的RF信号路的重叠部分，设置构成高频GND电位的导电图形，屏蔽高频信号。
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公开(公告)号：CN1742372A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200380109216.1
申请日：2003-12-12
申请人： 佛姆费克托公司
发明人： 伊戈尔·K·汉德罗斯 , 本杰明·N·埃尔德里奇 , 查尔斯·A·米勒 , A·尼古拉斯·斯珀克 , 加里·W·格鲁比 , 加埃唐·L·马蒂厄
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/538 , H01L23/498 , H01L23/495
CPC分类号： H01L23/13 , H01L23/4951 , H01L23/5386 , H01L23/5387 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/50 , H01L25/0655 , H01L2224/0401 , H01L2224/05554 , H01L2224/06136 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/4824 , H01L2224/49 , H01L2224/73215 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/10161 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/19107 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00
摘要： 在一集成电路组合件中，在一衬底上装配已知优良电路小片(know－good－die，KGD)。互连元件将附着在所述衬底上的电路小片上的衬垫电连接至所述衬底上的迹线或其它电导体或连接至附着在所述衬底上的另一电路小片上的衬垫。所述衬底可具有一个或多个开口，以暴露所述电路小片的衬垫。所述组合件可包括一个或多个电路小片。
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公开(公告)号：CN1238896C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN03108622.5
申请日：2003-04-02
申请人： 三洋电机株式会社
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/58 , H01L27/04 , H01L29/772 , H03K17/00
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/4824 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L27/0605 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05599 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/85201 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01031 , H01L2924/01037 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01088 , H01L2924/10161 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 提供一种半导体开关电路器件。在化合物半导体开关电路器件中，高频信号通过模塑树脂而泄漏，导致隔离性恶化。在本发明中，在FET的保护膜上设置聚酰亚胺层，然后设置屏蔽金属。屏蔽金属与控制端子接触，施加控制信号。由此，屏蔽金属为DC电位，对高频来说为GND电位，所以能够抑制FET的IN-OUT间的高频信号的泄漏。通过将屏蔽金属设置为网格状或者只在栅极上设置屏蔽金属，还能够减少有用的输入信号被屏蔽金属吸收。
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公开(公告)号：CN1602137A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410011913.X
申请日：2004-09-24
申请人： 三洋电机株式会社
CPC分类号： H01L23/66 , H01L23/49517 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2223/6622 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05599 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/85399 , H01L2224/85447 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10161 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00015
摘要： 一种电路装置，其具有抑制图案间的漏电流的结构。本实施方式的电路装置10具有电路元件12和规定的导电图案12，一体地树脂模制而成。还具有与电路元件13的高阻抗输入端子连接的第一导电图案12A和接近第一导电图案设置的第二导电图案12B。还具有在第一及第二导电图案之间延伸设置的保护导电图案12C，构成防止第一导电图案12A和第二导电图案12B之间的漏电流的结构。
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公开(公告)号：CN1156909C
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN99812144.4
申请日：1999-09-23
申请人： 艾利森电话股份有限公司
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/60 , H01L23/49
CPC分类号： H01L24/06 , H01L23/645 , H01L23/66 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2223/6611 , H01L2223/6644 , H01L2224/0401 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/48011 , H01L2224/48137 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01032 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10161 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , Y10S438/977 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20755 , H01L2224/45099 , H01L2924/2075 , H01L2924/20754 , H01L2224/05599
摘要： 本发明涉及到用来互连射频功率SiC场效应晶体管的方法和器件。为了改善寄生源电感，利用了晶体管的小尺寸，其中键合焊点被置于管芯的二个侧面上，使大多数源键合引线(6)垂直于栅和漏键合引线(7，8)走线。多个键合引线可以被连接到源键合焊点，降低了源电感。由于正交引线安排造成源/栅之间和源/漏之间互感降低，故这种安排还带来额外的优点。
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