公开(公告)号：CN102140678B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201010593610.9

申请日：2010-12-17

申请人： 维塞尔·雷万卡 ,  桑吉夫·拉郝蒂

发明人： 维塞尔·雷万卡 ,  桑吉夫·拉郝蒂

IPC分类号： C30B25/00 ,  C30B29/06 ,  C01B33/035

CPC分类号： C23C16/24 ,  C01B33/035 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45563

摘要： 生产均匀多晶硅棒的方法、装置和CVD-西门子系统。本发明的方法包括提供硅棒生产装置，包括包含带夹套反应室的反应器容器，其中预加热流体在夹套中被循环，一个或更多个延伸到反应室的电极组件，每个电极组件包括气体进口、一个或更多个传热流体进口/出口和至少一对硅丝，连接到反应器容器内部的带硅气体的源，连接到反应室的传热系统以及电源；通过在传热系统中循环传热流体，预加热反应室到硅丝变得更导电的一温度；加热硅丝到硅沉积温度；将带硅气体切向地注入气体分配室和相关联的丝/细棒组件之间的间隙；分解至少部分的带硅气体以形成硅；均匀地将硅沉积在硅丝上以生产多晶硅棒。通过该气体分配机制生产均匀的多晶硅棒。

公开(公告)号：CN103014659B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210352130.2

申请日：2012-09-20

申请人： 硅电子股份公司

发明人： G·布伦宁格

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/46 ,  C23C16/48 ,  C30B25/10

CPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B29/06

摘要： 本发明涉及一种处理室中由汽相沉积在半导体晶片上沉积层的方法和设备，尤其是涉及一种在具有上盖和下盖的处理室中由汽相沉积在半导体晶片上沉积层的方法和设备。该方法包括：测量所述半导体晶片的前侧的温度；将半导体晶片加热至沉积温度；将所述处理室的上盖的温度控制为目标温度，其中上盖的温度在上盖的外表面的中心处测量，并作为用于控制上盖的温度的控制回路的受控变量的实际值；设定气体流量，用于沉积所述层的工艺气体以所述气体流量被引导通过所述处理室；以及在将所述处理室的上盖的温度控制为目标温度期间，在加热至沉积温度的半导体晶片的前侧沉积所述层。

公开(公告)号：CN102569126B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201110337686.X

申请日：2011-10-28

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 长谷部一秀

IPC分类号： H01L21/67 ,  C30B33/02

CPC分类号： C23C16/24 ,  B05C11/00 ,  B05C13/02 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4588 ,  H01L21/67303 ,  H01L21/67309

摘要： 本发明提供一种对装载在基板保持件上的多张基板供给成膜气体并进行成膜处理的立式热处理装置。上述基板保持件绕倾斜轴线旋转，在各晶圆(W)的容纳位置均设有在沿晶圆(W)的周向相互离开的位置分别支承该晶圆W的周缘部的多个主保持部(33a)和第1及第2辅助保持部(33b)，该第1及第2辅助保持部(33b)设置在相对于这些主保持部(33a)沿晶圆(W)的周向离开的位置且在上述倾斜轴线方向上其高度低于上述主保持部(33a)的上表面，在该晶圆舟皿(11)每旋转1周时，晶圆(W)的姿势在由上述第1保持部及主保持部(33a)支承的姿势与由上述第2保持部及主保持部(33a)支承的姿势之间发生改变。

公开(公告)号：CN102543795B

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201110338976.6

申请日：2011-10-31

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 柿本明修 ,  小森克彦 ,  长谷部一秀

IPC分类号： H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C16/24

CPC分类号： H01L21/02057 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/41766

摘要： 本发明提供一种成膜装置，其包括用于供给氨基硅烷类气体的供给机构及用于供给不包含氨基的硅烷类气体的供给机构，并且在一个处理室内依次执行下述处理，即，供给氨基硅烷类气体而在具有到达导电体的开孔的绝缘膜的表面及上述开孔的底部的表面上形成晶种层的处理，以及供给不包含氨基的硅烷类气体而在晶种层上形成硅膜的处理。

公开(公告)号：CN102959681B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201180030323.X

申请日：2011-06-22

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 林卓郎 ,  曽我部浩二 ,  松本浩一 ,  桥本征典 ,  中村久三 ,  萩原宗源 ,  内田宽人 ,  森胜彦 ,  清水康男 ,  坂元盛昭

IPC分类号： C23C16/44 ,  H01L31/18

CPC分类号： B08B7/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/50 ,  C23C16/545 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本申请公开了一种成膜装置及成膜装置的维护方法。在成膜室的两侧的侧面下部分别设置有各两处、总计四处点火部。点火部在对可燃性的副生成物点火时通电。在成膜室的侧面上形成有用于测定成膜室内的压力的第一检测部。在成膜室的侧面下部形成有第二检测部。在成膜室的上部形成有测定成膜室内的空间温度的第三检测部。

公开(公告)号：CN102906907B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201180026957.8

申请日：2011-05-10

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 村上智史 ,  栗城和贵 ,  汤川干央

IPC分类号： H01M4/134 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/04 ,  H01M4/66

CPC分类号： H01G11/24 ,  C23C16/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/46 ,  H01M4/0428 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/48 ,  H01M4/52 ,  H01M4/661 ,  H01M10/0525 ,  H01M2220/20 ,  H01M2220/30 ,  Y02E60/122 ,  Y02E60/13 ,  Y02P70/54 ,  Y02T10/7022 ,  Y10T29/417 ,  Y10T29/49115

摘要： 提供一种提高放电容量等能够提高性能（如更高放电容量）且不容易发生因活性物质层的剥落等导致的劣化的蓄电装置及其制造方法。蓄电装置包括：集电体；形成在集电体上的混合层；形成在混合层上且用作活性物质层的晶体硅层。晶体硅层包括晶体硅区域、具有突出在晶体硅区域上的多个突起物的须状的晶体硅区域。须状的晶体硅区域包括具有弯曲或分支的部分的突起物。

公开(公告)号：CN104823269A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201380059256.3

申请日：2013-11-12

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 门野武 ,  栗田一成

IPC分类号： H01L21/322 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L27/14687 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689

摘要： 目的在于提供制造具有更高的吸杂能力并且外延层表面的雾度级别降低的半导体外延晶片的方法。本发明的半导体外延晶片的制造方法的特征在于，具有：第一工序，在其中，对半导体晶片10照射簇离子16，在半导体晶片的表面10A形成由簇离子16的构成元素构成的改性层18；第二工序，在该第一工序之后，以使半导体晶片表面10A的雾度级别成为0.20ppm以下的方式对半导体晶片10进行结晶性恢复用的热处理；以及第三工序，在该第二工序之后，在半导体晶片的改性层18上形成外延层20。

公开(公告)号：CN104752165A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410832079.4

申请日：2014-12-26

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 金海元 ,  金锡允 ,  申昌勋 ,  李政勋

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明公开了用于形成薄膜的循环沉积法、半导体制造方法和半导体器件。所述用于形成薄膜的循环沉积法包括：通过将硅前体注入装有物体的室内，将硅沉积在所述物体上，并实施第一次吹扫，以将所述硅前体的未反应部分和反应副产物从所述室的内部除去，从而在所述物体上形成硅薄膜；通过在所述室内形成等离子体气氛并供应具有氢原子的第一反应源，对所述硅薄膜的表面进行预加工；以及通过在所述室内形成所述等离子体气氛并供应具有一个或多个氧原子、一个或多个氮原子或它们的混合物的第二反应源，将所述硅薄膜形成为含硅的绝缘膜。

公开(公告)号：CN104285304A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380024434.9

申请日：2013-04-15

申请人： 夏普株式会社

发明人： 西村和仁 ,  奈须野善之 ,  本多真也 ,  山田隆

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1824 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/02013 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种光电转换装置及其制造方法。光电转换装置(10)具有依次层积p型半导体层(31)、i型半导体层(32)以及n型半导体层(33)的光电转换层(3)。p型半导体层(31)由p型硅薄膜(311～313)形成。p型硅薄膜(311，312)利用在1MHz～50MHz的高频功率上叠加100Hz～1kHz的低频脉冲功率后的脉冲功率作为等离子体激发功率，以高频功率的密度为100～300mW/cm2、等离子体处理中的压力为300～600Pa、等离子体处理时的基板温度为140～190℃的条件，沉积具有p型导电型的硅薄膜并且氮化而形成。而且，p型硅薄膜(313)利用上述条件进行沉积。

公开(公告)号：CN103998648A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280042405.0

申请日：2012-07-01

申请人： 太阳能技术绿色团体有限公司

发明人： 卡甘·塞兰

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/00

CPC分类号： C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/46

摘要： 本发明通过使沉积反应发生在密封的坩埚内部而不是水冷反应器的整个空腔内部而克服了西门子反应器的限制。坩埚本身位于筒形反应器内部，其在坩埚和反应器壁之间可具有热屏蔽件，以显著减少辐射能损耗。此外，坩埚中沉积表面积与空腔容积的比率比西门子反应器中柱沉积表面积与整个空腔容积的比率要高得多，这导致气体分子与沉积表面更高的接触百分比。这又导致气体中材料至沉积表面上材料的更高的实际转化率。