公开(公告)号：CN104752165A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410832079.4

申请日：2014-12-26

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 金海元 ,  金锡允 ,  申昌勋 ,  李政勋

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262

摘要： 本发明公开了用于形成薄膜的循环沉积法、半导体制造方法和半导体器件。所述用于形成薄膜的循环沉积法包括：通过将硅前体注入装有物体的室内，将硅沉积在所述物体上，并实施第一次吹扫，以将所述硅前体的未反应部分和反应副产物从所述室的内部除去，从而在所述物体上形成硅薄膜；通过在所述室内形成等离子体气氛并供应具有氢原子的第一反应源，对所述硅薄膜的表面进行预加工；以及通过在所述室内形成所述等离子体气氛并供应具有一个或多个氧原子、一个或多个氮原子或它们的混合物的第二反应源，将所述硅薄膜形成为含硅的绝缘膜。