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公开(公告)号：CN104321853A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201380025968.3
申请日：2013-05-21
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1884 , H01L31/022466 , H01L31/186 , Y02E10/50
摘要： 本发明提供一种半导体元件的制造方法，将在透光性基板(11)上形成有透明导电膜(12)的透明导电性基板(1)不进行清洗而送入等离子体装置的反应室内(工序(a))，通过使用了CH4气体及H2气体的等离子体处理透明导电膜(12)(工序(b))。在工序(b)之后，在透明导电膜(12)上依次层叠半导体元件(工序(c)、(d))，制造半导体元件(10)(工序(e))。
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公开(公告)号：CN105940499A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201480074515.4
申请日：2014-11-21
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068
CPC分类号： H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , Y02E10/547
摘要： 提供一种使半导体基板与电极之间的串联电阻减小并且转换效率好的光电转换装置。一种光电转换装置，具有半导体基板、形成于半导体基板的第1导电类型区域以及与第1导电类型区域电连接的电极，第1导电类型区域具有与电极相对的电极区域，所述光电转换装置的特征在于，在与电极区域相对的半导体基板中具有晶体缺陷。
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公开(公告)号：CN103988320A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280059834.9
申请日：2012-09-27
申请人： 夏普株式会社
IPC分类号： H01L31/076 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC分类号： H01L22/26 , H01L31/076 , H01L31/18 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 本发明是通过等离子体CVD法在基板上形成半导体层的光电转换装置的制造方法，具有处理温度达到第一温度的第一等离子体处理工序(S10)以及处理温度达到第二温度的第二等离子体处理工序(S40)，进而在第一等离子体处理工序(S10)之后且第二等离子体处理工序(S40)之前具有使处理温度降至低于第一温度及第二温度的第三温度的调温工序(S20)及使处理温度从第三温度升至第二温度的升温工序(S30)，第一等离子体处理工序、调温工序、升温工序及第二等离子体处理工序在同一反应室内进行。
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公开(公告)号：CN104285304A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201380024434.9
申请日：2013-04-15
申请人： 夏普株式会社
CPC分类号： H01L31/1824 , C23C16/24 , C23C16/509 , C23C16/5096 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L31/02013 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种光电转换装置及其制造方法。光电转换装置(10)具有依次层积p型半导体层(31)、i型半导体层(32)以及n型半导体层(33)的光电转换层(3)。p型半导体层(31)由p型硅薄膜(311～313)形成。p型硅薄膜(311，312)利用在1MHz～50MHz的高频功率上叠加100Hz～1kHz的低频脉冲功率后的脉冲功率作为等离子体激发功率，以高频功率的密度为100～300mW/cm2、等离子体处理中的压力为300～600Pa、等离子体处理时的基板温度为140～190℃的条件，沉积具有p型导电型的硅薄膜并且氮化而形成。而且，p型硅薄膜(313)利用上述条件进行沉积。
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