-
公开(公告)号：CN101789585A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010104443.7
申请日：2010-01-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02H7/18
CPC classification number: H02J7/0031
Abstract: 一种蓄电池保护电路具有：第一开关，通过在导通状态和不导通状态之间切换充电导体来允许或禁止对蓄电池的充电；电压检测部分，监视蓄电池的电压以便当电压为过电压时输出错误信号；以及第一电流通路，具有连接到正极侧导体的一端和连接到负极侧导体的另一端，并且通过第一电流通路传递与所供应的电力相对应的电流。除了在蓄电池充电期间以外，将第一电流通路保持处于不导通状态，并且在第一电流通路处于导通状态而输出错误信号时，通过从中流过的预定量或更多的电流使第一电流通路不可逆地进入不导通状态。当第一电流通路处于导通状态时，第一开关允许充电，并且当第一电流通路处于不导通状态时，第一开关禁止充电。
-
公开(公告)号：CN104321853A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201380025968.3
申请日：2013-05-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/1884 , H01L31/022466 , H01L31/186 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造方法，将在透光性基板(11)上形成有透明导电膜(12)的透明导电性基板(1)不进行清洗而送入等离子体装置的反应室内(工序(a))，通过使用了CH4气体及H2气体的等离子体处理透明导电膜(12)(工序(b))。在工序(b)之后，在透明导电膜(12)上依次层叠半导体元件(工序(c)、(d))，制造半导体元件(10)(工序(e))。
-
公开(公告)号：CN103988320A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201280059834.9
申请日：2012-09-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/076 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: H01L22/26 , H01L31/076 , H01L31/18 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是通过等离子体CVD法在基板上形成半导体层的光电转换装置的制造方法，具有处理温度达到第一温度的第一等离子体处理工序(S10)以及处理温度达到第二温度的第二等离子体处理工序(S40)，进而在第一等离子体处理工序(S10)之后且第二等离子体处理工序(S40)之前具有使处理温度降至低于第一温度及第二温度的第三温度的调温工序(S20)及使处理温度从第三温度升至第二温度的升温工序(S30)，第一等离子体处理工序、调温工序、升温工序及第二等离子体处理工序在同一反应室内进行。
-
公开(公告)号：CN102067408A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200980123963.8
申请日：2009-06-16
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H02J3/32
Abstract: 一种电力控制系统(10000)包括：分配部(300)，将电力系统(P100)提供的电力分配到多个电力需求设施(1000)；测定部(113)，在电力系统和分配部之间测定流通电力的值(TLP)。从电力系统向分配部流动的流通电力的值设为正时，当(TLP＜K1：其中K1是指用于检测逆流的阈值)的条件成立时，电力控制指示发送到电力需求设施。电力控制指示对进行放电处理的蓄电装置指示以抑制向电力系统方向流动的电力量，对进行充电处理的蓄电装置指示以增加向对应的蓄电池充电的电力。
-
公开(公告)号：CN105940499A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201480074515.4
申请日：2014-11-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 提供一种使半导体基板与电极之间的串联电阻减小并且转换效率好的光电转换装置。一种光电转换装置，具有半导体基板、形成于半导体基板的第1导电类型区域以及与第1导电类型区域电连接的电极，第1导电类型区域具有与电极相对的电极区域，所述光电转换装置的特征在于，在与电极区域相对的半导体基板中具有晶体缺陷。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102959720B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201180032232.X
申请日：2011-02-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0376 , H01L31/0392 , H01L31/076 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/076 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L31/03529 , H01L31/03767 , H01L31/03921 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的光电转换装置，其具有衬底（1）和设置在衬底（1）的表面上的pin型光电转换层（11、12），pin型光电转换层（11、12）包括p型半导体层（3）、非晶半导体层即i型半导体层（4）、与n型半导体层（5）层叠的第一pin型光电转换层（11），第一pin型光电转换层（11）具有位于衬底（1）的一部分的表面上的第一部分和位于衬底（1）的另一部分的表面上的第二部分，第一部分的从氧、氮及碳中选择的至少一个杂质元素的浓度比第二部分的杂质元素的浓度高，第一部分的厚度比第二部分的厚度薄。
-
公开(公告)号：CN102959720A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032232.X
申请日：2011-02-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/076 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L31/03529 , H01L31/03767 , H01L31/03921 , H01L31/202 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的光电转换装置，其具有衬底（1）和设置在衬底（1）的表面上的pin型光电转换层（11、12），pin型光电转换层（11、12）包括p型半导体层（3）、非晶半导体层即i型半导体层（4）、与n型半导体层（5）层叠的第一pin型光电转换层（11），第一pin型光电转换层（11）具有位于衬底（1）的一部分的表面上的第一部分和位于衬底（1）的另一部分的表面上的第二部分，第一部分的从氧、氮及碳中选择的至少一个杂质元素的浓度比第二部分的杂质元素的浓度高，第一部分的厚度比第二部分的厚度薄。
-
公开(公告)号：CN102725822A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201080059933.8
申请日：2010-12-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L31/075
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/02422 , H01L21/02491 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L31/03685 , H01L31/0392 , H01L31/03921 , Y02E10/545 , Y02E10/548
Abstract: 一种半导体膜及包括该半导体膜的光电转换装置，该半导体膜（2）形成在基板（1）的表面上且含有晶质，具有包括半导体膜（2）的表面中心的中心区域（2b）及位于中心区域（2b）周围的周边缘区域（2a），该半导体膜（2）在周边缘区域（2a）的结晶化率大于中心区域（2b）的结晶化率。
-
公开(公告)号：CN102725822B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201080059933.8
申请日：2010-12-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L31/0368 , H01L31/0392
CPC classification number: H01L21/0262 , H01L21/02422 , H01L21/02491 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L31/03685 , H01L31/0392 , H01L31/03921 , Y02E10/545 , Y02E10/548
Abstract: 一种半导体膜及包括该半导体膜的光电转换装置，该半导体膜（2）形成在基板（1）的表面上且含有晶质，具有包括半导体膜（2）的表面中心的中心区域（2b）及位于中心区域（2b）周围的周边缘区域（2a），该半导体膜（2）在周边缘区域（2a）的结晶化率大于中心区域（2b）的结晶化率。
-
公开(公告)号：CN104285304A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201380024434.9
申请日：2013-04-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L31/1824 , C23C16/24 , C23C16/509 , C23C16/5096 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L31/02013 , H01L31/0747 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置及其制造方法。光电转换装置(10)具有依次层积p型半导体层(31)、i型半导体层(32)以及n型半导体层(33)的光电转换层(3)。p型半导体层(31)由p型硅薄膜(311～313)形成。p型硅薄膜(311，312)利用在1MHz～50MHz的高频功率上叠加100Hz～1kHz的低频脉冲功率后的脉冲功率作为等离子体激发功率，以高频功率的密度为100～300mW/cm2、等离子体处理中的压力为300～600Pa、等离子体处理时的基板温度为140～190℃的条件，沉积具有p型导电型的硅薄膜并且氮化而形成。而且，p型硅薄膜(313)利用上述条件进行沉积。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.022 seconds)
