公开(公告)号：CN103650169A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280033941.4

申请日：2012-05-31

申请人： 夏普株式会社

发明人： 东名敦志 ,  奈须野善之

IPC分类号： H01L31/18 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44

CPC分类号： C23C26/00 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种含硅薄膜的制造方法，其包括：基板的搬入工序（S101）、含硅薄膜的形成工序（S102）、基板的搬出工序（S103）、干洗工序（S104）、氟化物的还原工序（S105）、排气工序（S106）。在氟化物的还原工序（S105）中，将还原性气体供给到处理室内，直到排气工序（S106）完成时的处理室内的CF4气体的分压变为A×（2.0×10-4）Pa以下。

公开(公告)号：CN101743645B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200880024627.3

申请日：2008-05-29

申请人： 夏普株式会社

发明人： 奈须野善之 ,  清水彰

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L27/142

摘要： 一种能够防止电池和接触线损坏的薄膜太阳能电池模块。该薄膜太阳能电池模块包括含有彼此并联双向连接的多个电池串的电池模块，其中电池串的每一个都包括通过接触线彼此串联连接的多个电池，其中，在光源为氙灯，辐照度为100mW/cm2，AM为1.5，且温度为25℃的条件下，当该电池模块的输出由P(W)表示，该电池串的输出由Ps(W)表示，且该接触线的面积由Sc(cm2)表示时，(P-Ps)/Sc为10.7(kW/cm2)以下，Ps为12W以下，且P为385W以下。

公开(公告)号：CN103988320A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201280059834.9

申请日：2012-09-27

申请人： 夏普株式会社

发明人： 本多真也 ,  奈须野善之 ,  山田隆 ,  西村和仁

IPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L22/26 ,  H01L31/076 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明是通过等离子体CVD法在基板上形成半导体层的光电转换装置的制造方法，具有处理温度达到第一温度的第一等离子体处理工序(S10)以及处理温度达到第二温度的第二等离子体处理工序(S40)，进而在第一等离子体处理工序(S10)之后且第二等离子体处理工序(S40)之前具有使处理温度降至低于第一温度及第二温度的第三温度的调温工序(S20)及使处理温度从第三温度升至第二温度的升温工序(S30)，第一等离子体处理工序、调温工序、升温工序及第二等离子体处理工序在同一反应室内进行。

公开(公告)号：CN102272939A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201080004207.6

申请日：2010-01-04

申请人： 夏普株式会社

发明人： 奈须野善之 ,  中野孝纪 ,  清水彰

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/044 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种薄膜太阳能电池组件，其具有基板、包含三个以上分别具有规定宽度的电池串的电池组件，各电池串具有宽度与该电池串相同且串联连接的多个太阳能电池，所述电池串在所述太阳能电池的串联连接方向上的长度相同，排列设置在所述基板上且并联连接，所述太阳能电池分别依次层叠形成有表面电极、光电转换层、背面电极，各电池串具有接触线，将所述太阳能电池中一方的表面电极与另一方的背面电极电连接，三个以上的所述电池串中位于两端的所述电池串的宽度小于其他所述电池串的宽度。

公开(公告)号：CN101569017B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200780047524.4

申请日：2007-11-15

申请人： 夏普株式会社

发明人： 奈须野善之

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 改善光电转换效率的光电转换装置。该光电转换装置的特征在于具有至少一pin型光电转换部，其通过层叠第一导电型层、第一i形层、第二i型层和第二导电型层而构成。该光电转换装置的特征还在于第一i型层的结晶化率低于第二i型层的结晶化率，并且在第一i型层和第二i型层的界面的结晶化率的变化率在膜厚方向是0.013-0.24nm-1。

公开(公告)号：CN101743645A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200880024627.3

申请日：2008-05-29

申请人： 夏普株式会社

发明人： 奈须野善之 ,  清水彰

IPC分类号： H01L31/075 ,  H01L27/142

摘要： 一种能够防止电池和接触线损坏的薄膜太阳能电池模块。该薄膜太阳能电池模块包括含有彼此并联双向连接的多个电池串的电池模块，其中电池串的每一个都包括通过接触线彼此串联连接的多个电池，其中，在光源为氙灯，辐照度为100mW/cm2，AM为1.5，且温度为25℃的条件下，当该电池模块的输出由P(W)表示，该电池串的输出由Ps(W)表示，且该接触线的面积由Sc(cm2)表示时，(P-Ps)/Sc为10.7(kW/cm2)以下，Ps为12W以下，且P为385W以下。

公开(公告)号：CN102725822B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201080059933.8

申请日：2010-12-28

申请人： 夏普株式会社

发明人： 奈须野善之 ,  西村和仁 ,  中野孝纪

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0392

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548

摘要： 一种半导体膜及包括该半导体膜的光电转换装置，该半导体膜（2）形成在基板（1）的表面上且含有晶质，具有包括半导体膜（2）的表面中心的中心区域（2b）及位于中心区域（2b）周围的周边缘区域（2a），该半导体膜（2）在周边缘区域（2a）的结晶化率大于中心区域（2b）的结晶化率。

公开(公告)号：CN104285304A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380024434.9

申请日：2013-04-15

申请人： 夏普株式会社

发明人： 西村和仁 ,  奈须野善之 ,  本多真也 ,  山田隆

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1824 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/02013 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种光电转换装置及其制造方法。光电转换装置(10)具有依次层积p型半导体层(31)、i型半导体层(32)以及n型半导体层(33)的光电转换层(3)。p型半导体层(31)由p型硅薄膜(311～313)形成。p型硅薄膜(311，312)利用在1MHz～50MHz的高频功率上叠加100Hz～1kHz的低频脉冲功率后的脉冲功率作为等离子体激发功率，以高频功率的密度为100～300mW/cm2、等离子体处理中的压力为300～600Pa、等离子体处理时的基板温度为140～190℃的条件，沉积具有p型导电型的硅薄膜并且氮化而形成。而且，p型硅薄膜(313)利用上述条件进行沉积。

公开(公告)号：CN103210500A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180055117.4

申请日：2011-11-04

申请人： 夏普株式会社

发明人： 谷村泰树 ,  奈须野善之 ,  岛田久浬代

IPC分类号： H01L31/04 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C23C16/24 ,  C23C16/515 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/076 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种半导体装置的制造方法，将半导体层形成气体导入反应室（70）内，通过使上述半导体层形成气体发生等离子体放电而在规定层上形成半导体层（4、304）。在上述半导体层形成气体的基础上，将杂质气体导入上述反应室内，通过使包含上述半导体层形成气体及上述杂质气体的第一导电型层形成气体发生等离子体放电，以覆盖上述半导体层的方式形成第一导电型的第一导电型层（5、305）。在形成上述第一导电型层的工序中，在形成上述半导体层的等离子体放电处理结束后而上述反应室内的压力仍未减压至极限真空度的状态下，供给到上述反应室的气体的组份设定值从上述半导体层形成气体的组份过渡为上述第一导电型层形成气体的组份。能够提高半导体装置的制造方法的生产性。

公开(公告)号：CN102804395A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080065503.7

申请日：2010-03-31

申请人： 夏普株式会社

发明人： 奈须野善之 ,  西村和仁 ,  谷村泰树 ,  梶原庆

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/02366 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种光电转换装置用基板及使用该基板的光电转换装置、以及它们的制造方法。光电转换装置（1）具有：基板（2）、以及覆盖基板（2）主表面的至少一部分且在接近于半导体层一侧的表面具有凹凸形状的透明导电膜（3），而且光电转换装置（1）具有：覆盖透明导电膜（3）凹凸形状的至少一部分的第一导电型半导体层（5）、以及覆盖第一导电型半导体层（5）的光吸收层（6）。凹凸形状具有最大高度为50nm以上、1200nm以下的凸部（10）。凸部（10）在表面上具有局部波峰（15A，15B）间隔为2nm以上、25nm以下的微小凹部（11）。在第一导电型半导体层（5）上，优选形成于微小凹部（11）的底部（26）上的层厚大于形成于该底部（26）以外其他位置上的层厚。优选第一导电型半导体层（5）与光吸收层（6）的界面的最大深度（Bmax）小于所述微小凹部的最大深度（Dmax）。