公开(公告)号：CN111771265A

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201880083648.6

申请日：2018-08-24

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 门野武 ,  栗田一成

IPC分类号： H01L21/322 ,  C23C16/24 ,  C30B25/02

摘要： 本发明提供一种能够获得具有高吸杂能力并且能够进一步抑制背面照射型固体摄像元件中的白色损伤缺陷的外延硅晶片的外延硅晶片的制造方法。本发明的特征在于，具有：第1工序，对硅晶片的表面(10A)照射使用伯纳型离子源或IHC型离子源所生成的CnHm的簇离子(12)，在硅晶片(10)内形成由簇离子(12)的构成元素即碳及氢固溶而成的改性层(14)，其中，n＝1或2，m＝1、2、3、4或5；以及第2工序，在第1工序之后，在表面(10A)上形成硅外延层(16)，第1工序中，使改性层(14)中的碳及氢的浓度分布的峰的位置分别为距离表面(10A)超过150nm且为2000nm以内。

公开(公告)号：CN103534791A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280023592.8

申请日：2012-03-19

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 门野武 ,  栗田一成

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14698 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L29/36

摘要： 本发明提供一种更加有效率地制造能通过发挥更高的吸杂能力来抑制金属污染的半导体外延晶片的方法。本发明的半导体外延晶片（100）的制造方法，包括：第一工序，对半导体晶片（10）照射离子团（16），在该半导体晶片的表面（10A）形成由离子团（16）的构成元素构成的改性层（18）；以及第二工序，在半导体晶片（10）的改性层（18）上形成外延层（20）。

公开(公告)号：CN113284795A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202110533773.6

申请日：2015-05-21

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 奥山亮辅 ,  门野武 ,  栗田一成

IPC分类号： H01L21/265

摘要： 本发明的目的在于提供外延层的结晶性优越的半导体外延晶片。本发明的半导体外延晶片是在半导体晶片10的表面10A上形成有外延层20的半导体外延晶片100，其特征在于，在半导体晶片10的形成有外延层20的一侧的表层部存在利用SIMS分析检测出的氢浓度分布的峰值。

公开(公告)号：CN104781918B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201380059268.6

申请日：2013-11-11

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 门野武 ,  栗田一成

IPC分类号： H01L21/322 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B23/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L27/14

摘要： 提供了能够通过发挥更高的吸杂能力来抑制金属污染的半导体外延晶片及其制造方法、以及使用该半导体外延晶片来制造固体摄像元件的方法。本发明的半导体外延晶片100的制造方法的特征在于，具有：第一工序，在其中，对包括碳和氮的至少一个的半导体晶片10照射簇离子16，在该半导体晶片10的表面10A形成簇离子16的构成元素固溶而成的改性层18；以及第二工序，在其中，在半导体晶片10的改性层18上形成第一外延层20。

公开(公告)号：CN108496239B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN201680074745.X

申请日：2016-12-05

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 门野武 ,  栗田一成

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L27/146

摘要： 本发明的目的在于提供一种能够在形成外延层后在半导体晶片的表面部使氢的峰值浓度增加的半导体外延晶片的制造方法。本发明的半导体外延晶片的制造方法的特征在于包括：第一工序，对半导体晶片的表面照射含有氢作为构成元素的簇离子，在该半导体晶片的表面部形成含有所述氢的所述簇离子的构成元素固溶而成的改性层；第二工序，在该第一工序之后，对所述半导体晶片照射频率300MHz以上且3THz以下的电磁波而将所述半导体晶片加热；以及第三工序，在该第二工序之后，在所述半导体晶片的所述改性层上形成外延层。

公开(公告)号：CN104823269B

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201380059256.3

申请日：2013-11-12

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 门野武 ,  栗田一成

IPC分类号： H01L21/322 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L27/14687 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0263 ,  C23C16/24 ,  C30B25/20 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14689

摘要： 目的在于提供制造具有更高的吸杂能力并且外延层表面的雾度级别降低的半导体外延晶片的方法。本发明的半导体外延晶片的制造方法的特征在于，具有：第一工序，在其中，对半导体晶片10照射簇离子16，在半导体晶片的表面10A形成由簇离子16的构成元素构成的改性层18；第二工序，在该第一工序之后，以使半导体晶片表面10A的雾度级别成为0.20ppm以下的方式对半导体晶片10进行结晶性恢复用的热处理；以及第三工序，在该第二工序之后，在半导体晶片的改性层18上形成外延层20。

公开(公告)号：CN104781918A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380059268.6

申请日：2013-11-11

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 门野武 ,  栗田一成

IPC分类号： H01L21/322 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B23/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L27/14687 ,  C23C14/48 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36

摘要： 提供了能够通过发挥更高的吸杂能力来抑制金属污染的半导体外延晶片及其制造方法、以及使用该半导体外延晶片来制造固体摄像元件的方法。本发明的半导体外延晶片100的制造方法的特征在于，具有：第一工序，在其中，对包括碳和氮的至少一个的半导体晶片10照射簇离子16，在该半导体晶片10的表面10A形成簇离子16的构成元素固溶而成的改性层18；以及第二工序，在其中，在半导体晶片10的改性层18上形成第一外延层20。

公开(公告)号：CN113454756B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202080015685.0

申请日：2020-02-07

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 铃木阳洋 ,  门野武 ,  广濑谅

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/322

摘要： 本发明提供一种具有更高的吸杂能力的半导体外延晶片的制造方法。本发明的半导体外延晶片(100)的制造方法的特征在于，具有：第一工序，对半导体晶片(10)的表面(10A)照射包含碳、氢及氮作为构成元素的簇离子(12)，在该半导体晶片(10)的表层部形成固溶有所述簇离子的构成元素的改性层(14)；以及第二工序，在所述半导体晶片(10)的改性层(14)上形成外延层(16)。

公开(公告)号：CN106062937B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201480068022.X

申请日：2014-12-10

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 岩永卓朗 ,  栗田一成 ,  门野武

IPC分类号： H01L21/322 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265

摘要： 提供抑制外延缺陷的形成、同时具有优异的吸杂能力的外延晶片的制造方法。其特征在于具有以下工序：簇离子照射工序，以2.0×1014/cm2以上1.0×1016/cm2以下的剂量对具有0.001Ω·cm以上0.1Ω·cm以下的电阻率的硅晶片10的表面照射至少含有碳的簇离子16，形成簇离子16的构成元素在硅晶片10的表面部固溶而成的改性层18；和外延层形成工序，在硅晶片10的改性层18上形成具有比硅晶片10高的电阻率的外延层20。

公开(公告)号：CN107078029A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580046544.4

申请日：2015-05-21

申请人： 胜高股份有限公司

发明人： 奥山亮辅 ,  门野武 ,  栗田一成

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L29/36 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/1864

摘要： 本发明的目的在于提供外延层的结晶性优越的半导体外延晶片。本发明的半导体外延晶片是在半导体晶片10的表面10A上形成有外延层20的半导体外延晶片100，其特征在于，在半导体晶片10的形成有外延层20的一侧的表层部存在利用SIMS分析检测出的氢浓度分布的峰值。