-
公开(公告)号：CN106098774A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610275889.3
申请日：2016-04-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及包括场效应晶体管的半导体器件及制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括在具有第一主表面的半导体衬底中的场效应晶体管。该场效应晶体管包括源极区域、漏极区域、体区域和在体区域处的栅电极。栅电极被配置用于控制形成在体区域中的沟道的导电性，并且栅电极被设置在栅极沟槽中。体区域沿源极区域和漏极区域之间的第一方向设置，第一方向平行于第一主表面。体区域具有沿第一方向延伸的脊形状，体区域邻近于源极区域和漏极区域。半导体器件进一步包括源极接触和体接触，源极接触电连接到源极端子，体接触电连接到源极接触和体区域。
-
公开(公告)号：CN105703754A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510902142.1
申请日：2015-12-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H03K17/567 , H03K17/687 , H03K17/081 , G01R19/00
CPC classification number: G01R19/16519 , G01R19/16538 , H02H3/087 , H03K19/018507 , H03K17/567 , G01R19/0092 , H03K17/08104 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及电路和用于测量电流的方法。在本文中描述了电路、具有过电流保护的开关以及用于测量电流的方法。被配置为从供应电压提供电流到负载的电路包含第一晶体管、第二晶体管以及探测电路。第一晶体管比第二晶体管具有更大的有源区域。探测电路被配置为探测通过第二晶体管的电流。相同的电压被施加在第一晶体管的控制端子与第一晶体管的第一受控端子之间并且被施加在第二晶体管的控制端子与第二晶体管的第一受控端子之间。探测电路被耦合到第二晶体管的第二受控端子并且被耦合到供应电压。
-
公开(公告)号：CN104956489A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201380072129.7
申请日：2013-12-03
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7825 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L23/481 , H01L27/088 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/4175 , H01L29/41758 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/66659 , H01L29/66704 , H01L29/7824 , H01L29/7835 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体装置、集成电路和形成半导体装置的方法。一种半导体装置包括形成在具有第一主表面的半导体主体中的晶体管。该晶体管包括：源极区域；漏极区域；沟道区域；漂移区；源极接触，以电气方式连接到源极区域；漏极接触，以电气方式连接到漏极区域；和栅电极，位于沟道区域。沟道区域和漂移区被沿着第一方向设置在源极区域和漏极区域之间，第一方向平行于第一主表面。沟道区域具有沿着第一方向延伸的第一脊的形状。源极接触和漏极接触之一与第一主表面相邻，源极接触和漏极接触中的另一个与第二主表面相邻，第二主表面与第一主表面相对。
-
公开(公告)号：CN108630758B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201810245047.2
申请日：2018-03-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/40
Abstract: 本发明公开了碳化硅半导体器件和制造方法。一种半导体器件包括从第一表面延伸到碳化硅半导体主体中的沟槽结构。所述沟槽结构包括在所述沟槽结构的底部处的辅助电极和布置在所述辅助电极和第一表面之间的栅极电极。屏蔽区邻接所述沟槽结构的底部处的辅助电极并且与漂移结构形成第一pn结。
-
公开(公告)号：CN110544690A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910457467.1
申请日：2019-05-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L27/06 , H01L21/762 , H02M3/00
Abstract: 本发明涉及具有电阻的半导体装置。本公开内容涉及一种半导体装置（100），其具有第一导电类型的半导体衬底（102）以及在所述半导体衬底（102）上的第二导电类型的半导体层（104），其中所述第二导电类型不同于所述第一导电类型。此外，所述半导体装置（100）具有绝缘结构（106），所述绝缘结构使所述半导体层（104）的第一区域（1041）与所述半导体层（104）的第二区域（1042）电绝缘。扁平沟道绝缘结构（108）从所述半导体层（104）的表面（110）竖直地延伸到所述半导体层（104）的第一区域（1041）中。在所述扁平沟槽绝缘结构（108）上构成有电阻（112）。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107547075A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710485309.8
申请日：2017-06-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H03K17/567
CPC classification number: H03K17/687 , H01L29/00 , H03K7/08 , H03K17/18 , H03K2017/6878
Abstract: 提供开关器件，其使用具有双栅极的开关晶体管。双栅极可以通过第一和第二栅极驱动器电路来彼此独立地被控制。
-
公开(公告)号：CN104671186B
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201410694629.0
申请日：2014-11-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B3/0086 , B81B2201/0207 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2201/0292 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , G01H1/00 , G01H11/06 , G01L9/0072 , G01L9/12 , G01N27/223 , G01P15/125
Abstract: MEMS器件包括固定电极和与固定电极隔离且间隔开一定距离而布置的活动电极。活动电极通过包括绝缘材料的一个或多个隔离件对着固定电极悬置，其中，活动电极被横向地附加于所述一个或多个隔离件。
-
公开(公告)号：CN102543870B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110408395.5
申请日：2011-12-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L27/06 , H01L23/522
CPC classification number: H01L29/407 , H01L21/76224 , H01L21/76898 , H01L21/823481 , H01L23/481 , H01L24/16 , H01L27/088 , H01L29/0653 , H01L29/401 , H01L29/402 , H01L29/408 , H01L29/41741 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/456 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L2224/16245 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 用于制造具有绝缘半导体台面的半导体组件的方法。用于制造半导体组件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体；蚀刻从第一表面部分地进入到半导体本体的绝缘沟槽；在绝缘沟槽的一个或更多侧壁上形成第一绝缘层；通过研磨、抛光和CMP工艺其中至少一个处理第二表面以露出第一绝缘层；以及在处理的第二表面上沉积延伸到第一绝缘层的第二绝缘层。
-
公开(公告)号：CN104671186A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410694629.0
申请日：2014-11-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B3/0086 , B81B2201/0207 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2201/0292 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , G01H1/00 , G01H11/06 , G01L9/0072 , G01L9/12 , G01N27/223 , G01P15/125
Abstract: MEMS器件包括固定电极和与固定电极隔离且间隔开一定距离而布置的活动电极。活动电极通过包括绝缘材料的一个或多个隔离件对着固定电极悬置，其中，活动电极被横向地附加于所述一个或多个隔离件。
-
公开(公告)号：CN104157644A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410199328.0
申请日：2014-05-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种功率晶体管、功率晶体管电路以及其操作方法。功率晶体管具有半导体本体，其具有底面以及在垂直方向上与该底面远离隔开的顶面。该半导体本体包括多个晶体管单元、第一导电类型的源极区、第二导电类型的本体区、第一导电类型的漂移区、漏极区和具有在n掺杂的阴极区和p掺杂的阳极区之间的pn结的温度传感器二极管。该功率晶体管还具有顶面上的漏极接触端子、底面上的源极接触端子、栅极接触端子、和顶面上的温度感测接触端子。根据第一和第二导电类型，阳极或阴极区电连接到源极接触端子并且另一二极管区被电连接到温度感测接触端子。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
56
records
(took 0.028 seconds)
