公开(公告)号：CN103733317A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280040226.3

申请日：2012-07-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·王 ,  A·王 ,  J·张 ,  N·K·英格尔 ,  Y·S·李

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: 现描述一种蚀刻图案化异质结构上的暴露的含硅与氮材料的方法，且该方法包括由含氟前驱物及含氧前驱物所形成的远端等离子体蚀刻。来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，等离子体流出物在基板处理区域中与暴露的含硅与氮材料区域反应。等离子体流出物与图案化异质结构反应，以自暴露的含硅与氮材料区域选择地移除含硅与氮材料，同时非常缓慢地移除其它暴露的材料。含硅与氮材料的选择性部分起因于位于远端等离子体与基板处理区域之间的离子抑制元件的存在。离子抑制元件减少或实质上消除抵达基板的带离子电荷物质的数量。可使用该方法以较氧化硅的移除速率快二十倍以上的速率选择地移除含硅与氮材料。

公开(公告)号：CN103415914A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201280011118.3

申请日：2012-03-08

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·梁 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉马

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76229

Abstract: 本发明描述了用于在图案化衬底上形成高密度间隙填充氧化硅的工艺。所述工艺增加尤其在窄沟槽中的间隙填充氧化硅的密度。所述密度还可在宽沟槽和凹入的开放区域中增加。在允许蚀刻速率更加接近匹配的处理之后，在窄和宽沟槽/开放区域中的间隙填充氧化硅的密度变得更加相似。此效应也可被描述为图案加载作用降低。所述工艺涉及随后形成平面化氧化硅。平面化暴露更接近窄沟槽布置的新介电界面。新暴露的界面通过将平面化表面退火和/或暴露到等离子体来促进致密化处理。

公开(公告)号：CN116868311A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202280011443.3

申请日：2022-01-19

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 沈泽清 ,  戚波 ,  A·B·玛里克 ,  N·K·英格尔

IPC: H01L21/02

Abstract: 半导体处理的示例性方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含硅前驱物和含氧前驱物。基板可以设置在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供含碳前驱物。含碳前驱物可以由碳‑碳双键或碳‑碳三键表征。所述方法可以包括使含硅前驱物、含氧前驱物和含碳前驱物在低于约650℃的温度下进行热反应。所述方法可以包括在基板上形成含硅氧碳层。

公开(公告)号：CN111463125A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010304638.X

申请日：2013-08-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·K·英格尔 ,  A·王 ,  X·陈

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明描述了关于半导体处理腔室的系统及方法。示例性腔室可包括与腔室的第一出入口流体耦接的第一远端等离子体系统，及与腔室的第二出入口流体耦接的第二远端等离子体系统。系统亦可包括腔室中的气体分配组件，该气体分配组件可经配置以输送第一前驱物及第二前驱物两者进入腔室的处理区域内，同时保持第一前驱物及第二前驱物彼此流体隔离，直至该等前驱物经输送进入腔室的处理区域内为止。

公开(公告)号：CN110112053A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910130024.1

申请日：2014-03-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王安川 ,  X·陈 ,  Z·李 ,  H·哈玛纳 ,  Z·陈 ,  C-M·徐 ,  J·黄 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·文卡特拉马 ,  R·撒库尔

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及组合处理腔室和处置腔室。提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。

公开(公告)号：CN107078014A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580055951.1

申请日：2015-09-23

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·朴 ,  Y·朱 ,  E·C·苏亚雷斯 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  J·黄

IPC: H01J37/32 ,  C23C14/22 ,  C23C14/56 ,  C23C16/44 ,  C23C16/54

Abstract: 在实施例中，一种等离子体源包括：第一电极，配置成用于移送一种或更多种等离子体源气体通过所述第一电极中的第一穿孔；绝缘体，设置成绕所述第一电极的外周与所述第一电极接触；以及第二电极，设置成使所述第二电极的外周抵靠所述绝缘体，使得所述第一和第二电极以及所述绝缘体界定等离子体生成腔。所述第二电极配置成用于使来自所述等离子体生成腔的等离子体产物移动通过所述第二电极而前往工艺腔室。电源跨所述第一和第二电极提供电功率以在所述等离子体生成腔中利用所述一种或更多种等离子体源气体点燃等离子体，从而产生所述等离子体产物。所述第一电极、所述第二电极和所述绝缘体中的一者包括端口，所述端口提供来自所述等离子体的光学信号。

公开(公告)号：CN103733317B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201280040226.3

申请日：2012-07-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y·王 ,  A·王 ,  J·张 ,  N·K·英格尔 ,  Y·S·李

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: 现描述一种蚀刻图案化异质结构上的暴露的含硅与氮材料的方法，且该方法包括由含氟前驱物及含氧前驱物所形成的远端等离子体蚀刻。来自远端等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，等离子体流出物在基板处理区域中与暴露的含硅与氮材料区域反应。等离子体流出物与图案化异质结构反应，以自暴露的含硅与氮材料区域选择地移除含硅与氮材料，同时非常缓慢地移除其它暴露的材料。含硅与氮材料的选择性部分起因于位于远端等离子体与基板处理区域之间的离子抑制元件的存在。离子抑制元件减少或实质上消除抵达基板的带离子电荷物质的数量。可使用该方法以较氧化硅的移除速率快二十倍以上的速率选择地移除含硅与氮材料。

公开(公告)号：CN103477422B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201280018583.X

申请日：2012-03-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·梁 ,  N·K·英格尔 ,  S·洪 ,  A·M·帕特尔

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/56

Abstract: 描述了一种形成氧化硅层的方法。所述方法首先通过自由基组分化学气相沉积（CVD）来沉积含硅-氮-氢（聚硅氮烷）的膜。通过在低基板温度下让聚硅氮烷膜暴露于湿气，将聚硅氮烷膜转换成氧化硅。还可把聚硅氮烷膜浸入具有氧与氢两者的液体（例如，水、过氧化氢和/或氢氧化铵）中。这些转换技术可单独或依序结合地使用。本文所述的转换技术加速了转换，产生了值得制造的膜，并且免除了对高温氧化处理的要求。臭氧处理可早于转换技术。

公开(公告)号：CN105580118A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201480050763.5

申请日：2014-07-31

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Z·陈 ,  Z·李 ,  A·王 ,  N·K·英格尔 ,  S·文卡特拉曼

IPC: H01L21/3065 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/02205 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116

Abstract: 描述了蚀刻经图案化的异质结构上的氮化硅的方法，并且所述方法包括由含氟前体以及含氮和氧的前体形成的远程等离子体蚀刻。使来自两个远程等离子体的等离子体流出物流入基板处理区域，在所述基板处理区域中，等离子体流出物与氮化硅反应。等离子体流出物与经图案化的异质结构反应，以便选择性地去除氮化硅，同时非常缓慢地去除硅(诸如，多晶硅)。氮化硅的选择性部分地源于使用相异的(但可能重叠的)等离子体路径而引入含氟前体以及含氮和氧的前体，所述相异的等离子体路径可以是串联的或并联的。

公开(公告)号：CN105103266A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480018007.4

申请日：2014-03-06

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 王安川 ,  X·陈 ,  Z·李 ,  H·哈玛纳 ,  Z·陈 ,  C-M·徐 ,  J·黄 ,  N·K·英格尔 ,  D·卢博米尔斯基 ,  S·文卡特拉马 ,  R·撒库尔

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/324 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/263 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67288 ,  H01L21/67703 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6831

Abstract: 提供用于控制湿气污染物造成的工艺缺陷的系统、腔室及工艺。系统可提供用于腔室的配置以在真空或受控环境中施行多项操作。腔室可包括组合腔室设计中的配置以提供附加处理功能。方法可提供对老化缺陷的限制、防止及修正，该等老化缺陷可由系统工具施行的蚀刻工艺造成。